NMOS驱动电路和晶片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种NMOS驱动电路和晶片，包括驱动电源模块、缓冲模块、NMOS驱动模块、NMOS模块，其中：所述驱动电源模块、所述缓冲模块、所述NMOS驱动模块和所述NMOS模块顺序连接，所述驱动电源模块用于为所述缓冲模块和所述NMOS驱动模块提供电源供应，所述缓冲模块用于实现输入信号的电平转换，所述NMOS驱动模块用于驱动所述NMOS模块，可见，通过本实用新型专利技术的NMOS驱动电路可以降低开关损耗，提高开关转换效率，减少产品体积，减少成本。

【技术实现步骤摘要】
NMOS驱动电路和晶片
本技术涉及驱动电路领域，尤其涉及一种NMOS驱动电路和晶片。
技术介绍
随着单片机以及ASIC(专用集成电路)技术的成熟和广泛使用，用GPIO驱动MOS尤其NMOS的应用场景越来越多，例如各种各样的电子锁驱动电路、步进电机驱动电路、PWM控制驱动等电路中都是GPIO驱动MOS的典型应用。目前市场通用的做法是GPIO加一个信号MOS或者三极管反相器直接驱动NMOS。但是当MOS或三极管反相器中电流大到一定程度之后，将影响NMOS的开关速度，由于NMOS的开关管导通和关闭时间过长，会严重影响PWM的控制精度，且开关损耗也会变大。
技术实现思路
本技术实施例提供一种NMOS驱动电路和晶片，通过GPIO直接控制NMOS模块，可以降低开关损耗，提高开关转换效率，减少产品体积，减少成本。第一方面，本技术实施例提供一种NMOS驱动电路，包括驱动电源模块、缓冲模块、NMOS驱动模块、NMOS模块，其中：所述驱动电源模块、所述缓冲模块、所述NMOS驱动模块和所述NMOS模块顺序连接，所述驱动电源模块用于为所述缓冲模块和所述NMOS驱动模块提供电源供应，所述缓冲模块用于实现输入信号的电平转换，所述NMOS驱动模块用于驱动所述NMOS模块。在一个实施例中，所述驱动电源模块包括第一电阻、第二电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、输入使能端口和输入控制端口，所述第一电阻的两端分别连接所述输入使能端口和所述第一稳压二极管的阴极，所述第二电阻的两端分别连接所述输入控制端口和所述第二稳压二极管的阴极，所述第一稳压二极管的阳极和所述第二稳压二极管的阳极均接地。在一个实施例中，所述缓冲模块包括缓冲器，所述缓冲器的第一管脚连接所述第二稳压二极管的阴极，所述缓冲器的第二管脚连接所述第一稳压二极管的阴极，所述缓冲器的第四管脚连接第一电源，所述缓冲器的第六管脚连接第二电源，所述缓冲器的第五管脚接地，所述缓冲器的第三管脚连接所述NMOS驱动模块。在一个实施例中，所述NMOS驱动模块包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、低压参考端口、高压参考端口、第一比较器、第二比较器、第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第三电阻的两端分别连接所述缓冲器的第三管脚和所述第一比较器的第五管脚，所述第四电阻的两端分别连接所述低压参考端口和所述第一比较器的第四管脚，所述第五电阻的两端分别连接所述第一比较器的第二管脚和所述第一MOS管的栅极，所述第一比较器的第三管脚连接所述第二电源，所述第一比较器的第十二管脚接地，所述第六电阻的两端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第一MOS管的源级，所述第一MOS管的源级连接所述第二电源，所述第七电阻的两端分别连接所述缓冲器的第三管脚和所述第二比较器的第七管脚，所述第八电阻的两端分别连接所述高压参考端口和所述第二比较器的第六管脚，所述第九电阻的两端分别连接所述第二比较器的第一管脚和所述第二MOS管的栅极，所述第二比较器的第三管脚连接所述第二电源，所述第二比较器的第十二管脚接地，所述第十电阻的两端分别连接所述第二MOS管的栅极和所述第二电源，所述第二MOS管的漏极连接所述第一MOS管的漏极，所述第二MOS管的源极接地。在一个实施例中，所述NMOS模块包括第十一电阻、第三MOS管和输出端口，所述第十一电阻的两端分别连接所述第二MOS管的漏极和所述第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的源级接地，所述第三MOS管的漏级连接所述输出端口。在一个实施例中，当所述缓冲器的第三管脚输出电压高于所述高压参考端口的参考电压时，所述第二MOS管导通，所述第一MOS管关断，所述第三MOS管关断。在一个实施例中，当所述缓冲器的第三管脚输出电压低于所述低压参考端口的参考电压时，所述第一MOS管导通，所述第二MOS管关断，所述第三MOS管导通。在一个实施例中，当所述缓冲器的第三管脚输出电压高于所述低压参考端口的参考电压且低于所述高压参考端口的参考电压时，所述第一MOS管和所述第二MOS管均关断。在一个实施例中，所述缓冲器为双电源反向缓冲器，所述第一MOS管为P沟道MOS管，所述第二MOS管和所述第三MOS管为N沟道MOS管。第二方面，本技术实施例提供一种晶片，包括本技术实施例第一方面公开的NMOS驱动电路，所述晶片包括驱动电源模块、缓冲模块、NMOS驱动模块和NMOS模块，所述晶片用于降低开关损耗。在本技术中，NMOS驱动电路包括驱动电源模块、缓冲模块、NMOS驱动模块、NMOS模块，其中：所述驱动电源模块、所述缓冲模块、所述NMOS驱动模块和所述NMOS模块顺序连接，所述驱动电源模块用于为所述缓冲模块和所述NMOS驱动模块提供电源供应，所述缓冲模块用于实现输入信号的电平转换，所述NMOS驱动模块用于驱动所述NMOS模块，可见，通过本技术的NMOS驱动电路可以降低开关损耗，提高开关转换效率，减少产品体积，减少成本。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例公开的一种NMOS驱动电路的电路框图；图2是本技术实施例公开的一种NMOS驱动电路的电路结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、产品或设备固有的其他步骤或单元。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。请参阅图1，图1是本技术实施例公开的一种NMOS驱动电路的电路框图。本实施例中所描述的NMOS驱动电路100包括驱动电源模块101、缓冲模块102、NMOS驱动模块103和NMOS模块104，其中：所述驱动电源模块101、所述缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NMOS驱动电路，其特征在于，包括驱动电源模块、缓冲模块、NMOS驱动模块、NMOS模块，其中：所述驱动电源模块、所述缓冲模块、所述NMOS驱动模块和所述NMOS模块顺序连接，所述驱动电源模块用于为所述缓冲模块和所述NMOS驱动模块提供电源供应，所述缓冲模块用于实现输入信号的电平转换，所述NMOS驱动模块用于驱动所述NMOS模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种NMOS驱动电路，其特征在于，包括驱动电源模块、缓冲模块、NMOS驱动模块、NMOS模块，其中：所述驱动电源模块、所述缓冲模块、所述NMOS驱动模块和所述NMOS模块顺序连接，所述驱动电源模块用于为所述缓冲模块和所述NMOS驱动模块提供电源供应，所述缓冲模块用于实现输入信号的电平转换，所述NMOS驱动模块用于驱动所述NMOS模块。


2.根据权利要求1所述的NMOS驱动电路，其特征在于，所述驱动电源模块包括第一电阻、第二电阻、第一稳压二极管、第二稳压二极管、输入使能端口和输入控制端口，所述第一电阻的两端分别连接所述输入使能端口和所述第一稳压二极管的阴极，所述第二电阻的两端分别连接所述输入控制端口和所述第二稳压二极管的阴极，所述第一稳压二极管的阳极和所述第二稳压二极管的阳极均接地。


3.根据权利要求2所述的NMOS驱动电路，其特征在于，所述缓冲模块包括缓冲器，所述缓冲器的第一管脚连接所述第二稳压二极管的阴极，所述缓冲器的第二管脚连接所述第一稳压二极管的阴极，所述缓冲器的第四管脚连接第一电源，所述缓冲器的第六管脚连接第二电源，所述缓冲器的第五管脚接地，所述缓冲器的第三管脚连接所述NMOS驱动模块。


4.根据权利要求3所述的NMOS驱动电路，其特征在于，所述NMOS驱动模块包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、低压参考端口、高压参考端口、第一比较器、第二比较器、第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第三电阻的两端分别连接所述缓冲器的第三管脚和所述第一比较器的第五管脚，所述第四电阻的两端分别连接所述低压参考端口和所述第一比较器的第四管脚，所述第五电阻的两端分别连接所述第一比较器的第二管脚和所述第一MOS管的栅极，所述第一比较器的第三管脚连接所述第二电源，所述第一比较器的第十二管脚接地，所述第六电阻的两端分别连接所述第一MOS管的栅极和所述第一MOS管的源级，所述第一MOS管的源级连接所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓森，
申请(专利权)人：深圳谜影科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44