【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动系统及IGBT电路
本技术涉及IGBT应用领域,特别涉及一种IGBT驱动系统及IGBT电路。
技术介绍
在IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)的驱动过程中,其关断电阻的阻值大小会影响IGBT的开关速度,当IGBT正常工作时,要求IGBT的驱动电阻尽量小,这样IGBT的开关损耗会比较低,而当IGBT短路或有大电流通过时,需要立即关断IGBT,但由于关断电阻(也即驱动电阻)较小,使IGBT的关断速度过快会产生较大的di/dt,此时IGBT的集电极和发射极之间产生很大的尖峰电压,进而损坏IGBT。因此,现有的技术需要在IGBT的开关损耗和关断时尖峰电压对IGBT的影响之间做一个均衡,这样必然会牺牲IGBT的效率并使得IGBT在大电流关断时存在一定的安全风险。因此,如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本技术的目的在于提供一种兼顾IGBT的效率和大电流关断的安全保障的一种I ...
【技术保护点】
1.一种IGBT驱动系统,其特征在于,包括:/n获取目标IGBT的采样电流的电流检测模块;/n接收所述采样电流并输出对应的电流值比较结果的比较模块;/n驱动信号端接收驱动信号并向所述目标IGBT发送对应的控制信号、接收所述电流值比较结果并相应输出内部关断电阻的调整指令的驱动模块。/n
【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动系统,其特征在于,包括:
获取目标IGBT的采样电流的电流检测模块;
接收所述采样电流并输出对应的电流值比较结果的比较模块;
驱动信号端接收驱动信号并向所述目标IGBT发送对应的控制信号、接收所述电流值比较结果并相应输出内部关断电阻的调整指令的驱动模块。
2.根据权利要求1所述IGBT驱动系统,其特征在于,所述驱动模块包括由高电平控制导通的第一开关管、由低电平控制导通的第二开关管、由低电平控制导通的第三开关管、第一二极管和所述内部关断电阻,所述内部关断电阻包括第一电阻单元、第二电阻单元和第三电阻单元,其中:
所述第一开关管的控制端、所述第二开关管的控制端均与所述驱动信号端连接;所述第一二极管的阳极与所述驱动信号端连接,其阴极与所述第三开关管的控制端、所述比较模块的输出端均连接;
所述第一开关管的第一端与第一电压源连接,其第二端通过所述第一电阻单元与所述目标IGBT的控制端连接;
所述第二开关管的第一端通过所述第二电阻单元与所述目标IGBT的控制端连接,其第二端与第二电压源连接;
所述第三开关管的第一端通过所述第三电阻单元与所述目标IGBT的控制端连接,其第二端与所述第二电压源连接;
所述第二电压源具体为电压比所述第一电压源的电压小预设量的电压源。
3.根据权利要求2所述I...
【专利技术属性】
技术研发人员:王冲,孙松,殷江洪,
申请(专利权)人:深圳市英威腾电动汽车驱动技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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