【技术实现步骤摘要】
一种高速高压电子开关
本技术涉及电路
，特别是一种高速高压电子开关。
技术介绍
现有技术中，当高能激光束照射在晶体上时，晶体会因为电效应而改变激光的波长或者其他震荡所需条件，晶体被晶体高压电路充以一定的能量，为了保证下一次高能激光束来临时的激发准确度，需要将晶体中的较小的高压能量泄放掉。那么需要将晶体的一端迅速连接到低电势端，由于晶体中的高压一般为5KV左右的直流高压，因此需要一个高压开关，并且为了保证在高压泄放的瞬间，不会击穿或烧毁高压开关，需要较快的开关转换速度。
技术实现思路
为达到上述目的，本技术提供了一种高速高压电子开关，包括隔离驱动电路、均压电路、辅助电源隔离电路；所述隔离驱动电路包含至少一组子电路，每组子电路包含3个结构相同的子电路；子电路的结构为：包括电流控制单元、脉冲变压器、脉冲整形单元、第四高压功率开关晶体管；电流控制单元输入端连接DVCC，输出端连接脉冲变压器主绕组的主绕组，脉冲整形单元输入端连接脉冲变压器组的次绕组，输出端连接第四高压功率开关晶体管；第四高压功率开...
【技术保护点】
1.一种高速高压电子开关，包括隔离驱动电路、均压电路、辅助电源隔离电路；/n所述隔离驱动电路包含至少一组子电路，每组子电路包含3个结构相同的子电路；子电路的结构为：包括电流控制单元、脉冲变压器、脉冲整形单元、第四高压功率开关晶体管；电流控制单元输入端连接DVCC，输出端连接脉冲变压器主绕组的主绕组，脉冲整形单元输入端连接脉冲变压器组的次绕组，输出端连接第四高压功率开关晶体管；第四高压功率开关晶体管连接均压电路；各个子电路的输入端、输出端串联；/n所述均压电路数量与隔离驱动电路子电路一一对应设置，其与对应子电路的输出端连接；/n辅助电源隔离电路用于将外部直流电变换为直流电。/n
【技术特征摘要】
1.一种高速高压电子开关，包括隔离驱动电路、均压电路、辅助电源隔离电路；
所述隔离驱动电路包含至少一组子电路，每组子电路包含3个结构相同的子电路；子电路的结构为：包括电流控制单元、脉冲变压器、脉冲整形单元、第四高压功率开关晶体管；电流控制单元输入端连接DVCC，输出端连接脉冲变压器主绕组的主绕组，脉冲整形单元输入端连接脉冲变压器组的次绕组，输出端连接第四高压功率开关晶体管；第四高压功率开关晶体管连接均压电路；各个子电路的输入端、输出端串联；
所述均压电路数量与隔离驱动电路子电路一一对应设置，其与对应子电路的输出端连接；
辅助电源隔离电路用于将外部直流电变换为直流电。
2.如权利要求1所述的高速高压电子开关，其特征在于，电流控制单元包括第三十一电阻、第八光电耦合器、第二十八电阻、第六二极管；第三十一电阻的一端连接到DVCC，另一端连接到第八光电耦合器的输入光电二极管阳极；第二十八电阻一端连接到AVCC及脉冲变压器主绕组的同名端。
3.如权利要求2所述的高速高压电子开关，其特征在于，脉冲整形单元的结构为：包括第三二极管、第五二极管、第三十二电阻、第三十三电阻、第二十五电阻、第二十四电阻、第二二极管；脉冲变压器的主绕组次绕组同名端连接到第三二极管的阳极，次绕组的另一端连接到第五二极管的阳极；第三二极管阴极连接到第五二极管的阴极、第二二极管的阴极，且连接到第二十五电阻的一端，第三十二电阻与第五二极管并联连接；第二二极管的阳极连接到第二十四电阻的一端，第二十四电阻另一端连接到第二十五电阻的另一端且连接到高压半导体功率管的栅极，第三十三电阻跨接在高压半导体功率管的栅极和源级。
4.如权利要求3所述的高速高压电子开关，其特征在于，电平转换电路包括第六电阻、第七滑动变阻器、第CX1电容、第十电阻、第三B运算放大器、第八电阻、第四A运算放大器、第四B运算放大器、第十八电阻、第十五滑动变阻器、第十一电阻、第三电阻、第一高频变压器、第一二极管、第五电容、第五电阻、第四电阻；第DX1二极管的阳极连接到第三A运算放大器的输出端，阴极连接到第CX1电容的一端及第十电阻一端，第CX1电容另一端连接到AGND，第十电阻另一端连接到第三B运算放大器的反相端，第三B运算放大器的同相端连接到第七滑动变阻器的滑动端，第七滑动变阻器的一个固定端连接到AGND，另一个固定端连接到...
【专利技术属性】
技术研发人员：李珂，李长城，王海时，陈昌明，羊裔高，赵斌，张斌，王天宝，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：新型
国别省市：四川;51
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