多波长发光二极管磊晶结构制造技术

一种多波长发光二极管磊晶结构，其包含基板以及至少三个发光元件。至少三个发光元件层叠地设置于基板上。相邻的二个发光元件中，设置于较接近出光面的该发光元件的能隙比设置于较远离该出光面的该发光元件的能隙高。

【技术实现步骤摘要】
多波长发光二极管磊晶结构
本专利技术涉及发光二极管领域，特别是涉及一种多波长发光二极管磊晶结构。
技术介绍
发光二极管为通入微小电流即能自发光的半导体电子元件，且相较于其他灯源使用寿命相当长。根据现今技术，其能够发出的光已可涵盖到可见光、红外线及紫外线，且亮度亦可达到相当高的程度，使得越来越多产品的发光源均采用发光二极管进行设计。常见的发光二极管应用包括白光照明、液晶屏幕(LCD)的背光光源、投影机的光源以及户外屏幕使用发光二极管来取代原本的光源，而逐渐广泛应用于日常生活中。发光二极管主要使用的半导体材料通常为周期表中三族元素及五族元素所构成的合金化合物，通过不同材料的选用，电子/电洞所占的能阶会有所不同，能阶的高低差将影响电子/电洞结合后光子能量而产生不同波长的光，亦即可发出不同颜色的光，例如红光、橙光、黄光、绿光、蓝光或紫外光等，并可通过不同颜色的发光二极管的光源混合产生不同颜色。现有的发光二极管磊晶结构大多仅具有单一发光层，少数设计至多具有二发光层，因此只能发出单一或两种波长的光，而其发光波长受限于材料特性影响，所能涵盖频本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多波长发光二极管磊晶结构，其特征在于，其包含：/n基板；以及/n至少三个发光元件，层叠地设置于所述基板上；/n其中，相邻的二个所述发光元件中，设置于较接近出光面的所述发光元件的能隙比设置于较远离所述出光面的所述发光元件的能隙高。/n

【技术特征摘要】
20181228 TW 1071476881.一种多波长发光二极管磊晶结构，其特征在于，其包含：
基板；以及
至少三个发光元件，层叠地设置于所述基板上；
其中，相邻的二个所述发光元件中，设置于较接近出光面的所述发光元件的能隙比设置于较远离所述出光面的所述发光元件的能隙高。


2.如权利要求1所述的多波长发光二极管磊晶结构，其特征在于，每一所述发光元件包含发光层，所述发光层具有多重量子井结构。


3.如权利要求2所述的多波长发光二极管磊晶结构，其特征在于，至少一个所述发光元件进一步包含第一包覆层和第二包覆层，所述第一包覆层和所述第二包覆层位于以所述发光层为基准而相对的二侧，使所述发光层位于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间，所述第一包覆层与所述第二包覆层的厚度相异。


4.如权利要求2所述的多波长发光二极管磊晶结构，其特征在于，至少一个所述发光元件进一步包含第一包覆层和第二包覆层，所述第一包覆层和所述第二包覆层位于以所述发光层为基准而相对的二侧，使所述发光层位于所述第一包覆层和所述第二包覆层之间，所述第一包覆层与所述第二包覆层的厚度相同。


5.如权利要求3或4所述的多波长发光二极管磊晶结构，其特征在于，相邻且分别设置有所述第一包覆层及所述第二包覆层的二个所述发光元件中，设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜俊纬，曾暐祐，乡田哲也，
申请(专利权)人：光鋐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71