用于检测及报告存储器装置的故障的存储器装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术描述用于检测及报告存储器装置的故障的存储器装置及方法。当位翻转错误的计数高于故障阈值时，存储器装置可报告故障。故障报告可指示所述存储器装置正累积错误的速率。替代例如标准化阈值或所规定阈值等默认故障阈值，可应用偏移故障阈值。所述偏移故障阈值可为所述默认故障阈值与从初始错误计数确定的偏移的和，所述初始错误计数是在所述存储器装置因使用而累积错误之前确定。

【技术实现步骤摘要】
用于检测及报告存储器装置的故障的存储器装置及方法
本专利技术大体来说涉及存储器装置，且更具体来说，涉及基于定制阈值而检测及报告存储器装置中的故障。
技术介绍
存储器装置广泛地用于存储与各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等)相关的信息。存储器装置可为易失性或非易失性且可为各种类型，例如磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)及其它。通过将存储器单元充电为具有不同状态而将信息存储于各种类型的RAM中。改进RAM存储器装置通常可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度，或者以其它方式减少操作等待时间、减少处理开销、增加可靠性、增加数据保持、减少电力消耗或减少制造成本，以及其它度量。
技术实现思路
在一个方面中，本申请案提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列；第一电路，其经配置以检查所述存储器阵列的至少一部分中的错误且确定所找出的错误的计数；及第二电路，其经配置以：基于默认故障阈值及由所述第一电路找出的初始错误计数而确定偏移故障阈值；将由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n存储器阵列；/n第一电路，其经配置以检查所述存储器阵列的至少一部分中的错误且确定所找出的错误的计数；及/n第二电路，其经配置以：/n基于默认故障阈值及由所述第一电路找出的初始错误计数而确定偏移故障阈值；/n将由所述第一电路找出的后续错误计数与所述偏移故障阈值进行比较；且/n当所述比较指示由所述第一电路找出的所述后续错误计数大于所述偏移故障阈值时，致使进行故障程序步骤。/n

【技术特征摘要】
20181231 US 16/237,1631.一种存储器装置，其包括：
存储器阵列；
第一电路，其经配置以检查所述存储器阵列的至少一部分中的错误且确定所找出的错误的计数；及
第二电路，其经配置以：
基于默认故障阈值及由所述第一电路找出的初始错误计数而确定偏移故障阈值；
将由所述第一电路找出的后续错误计数与所述偏移故障阈值进行比较；且
当所述比较指示由所述第一电路找出的所述后续错误计数大于所述偏移故障阈值时，致使进行故障程序步骤。


2.根据权利要求1所述的存储器装置，其经配置以：
识别先前所报告故障的先前错误范围；且
响应于确定所述后续错误计数在大于所述先前错误范围的下一错误范围内而报告故障。


3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述下一错误范围的下限与所述下一错误范围的上限之间的差是基于所述偏移故障阈值。


4.根据权利要求1所述的存储器装置，其经配置以发射指示故障的信令。


5.根据权利要求1所述的存储器装置，其经配置以通过将所述默认故障阈值与所述初始错误计数相加且将所述相加的结果调整为一系列所规定间隔中的下一最高值而确定所述偏移故障阈值。


6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置是DRAM装置。


7.一种方法，其包括：
经由错误检查程序步骤确定存储器装置的初始错误计数；
识别默认故障阈值；
基于所述初始错误计数与所述默认故障阈值的和而计算偏移故障阈值；
将所述偏移故障阈值与通过另一次实施所述错误检查程序步骤所得的另一错误计数进行比较；及
当所述另一错误计数大于所述偏移故障阈值时，起始故障程序步骤。


8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：
从两个或多于两个非重叠故障报告错误范围识别第一经报告故障的错误范围；及
响应于确定所述另一错误计数在所述两个或多于两个故障报告错误范围中的大于所述第一经报告故障的所述错误范围的错误范围内而报告第二故障。


9.根据权利要求8所述的方法，
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者对应于低错误计数与高错误计数的划定；且
其中所述两个或多于两个故障报告错误范围中的每一者的所述低错误计数与所述高错误计数之间的差是所述偏移故障阈值的倍数。


10.根据权利要求8所述的方法，
其中所述两个或多于...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·J·鲁尼，G·D·沃尔夫，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US