一种参考电压确定方法、装置及存储介质制造方法及图纸

技术编号:24802372 阅读:77 留言:0更新日期:2020-07-07 21:31
本发明专利技术实施例公开了一种参考电压确定方法,其特征在于,所述方法包括:以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取电子设备的最小参考电压;以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电子设备的最大参考电压;根据所述电子设备的最小参考电压和所述电子设备的最大参考电压确定所述电子设备的参考电压。采用本发明专利技术的方法,通过参考电压递增的方式获取电子设备的最小参考电压,以及参考电压递减的方式获取电子设备的最大参考电压,能够适应不同外界环境带来的影响,避免参考电压边界不稳定的问题,使得参考电压数值更加准确,从而提高电子设备的系统稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种参考电压确定方法、装置及存储介质
本专利技术涉及计算机
,尤其涉及一种参考电压确定方法、装置及存储介质。
技术介绍
双倍数据速率(DoubleDataRate,DDR)是目前主流的内存规范,DDR存储技术中的双向数据参考电压(DataInput/OutputVoltageReference,DQ_VREF)指标,用于判断当前数据的值是1或0。当电压大于DQ_VREF值时判定数据为1,当电压小于DQ_VREF值时则判定数据为0。随着DDR存储技术的发展,运行速率越来越快,为了提高DDR的可靠性,在第四代DDR(DDR4)中引入了DQ_VREF实时训练的概念,以提高DQ_VREF的精确度。相关技术中,DQ_VREF训练时,从参考电压范围的最小值向最大值遍历,以确定可用的最小参考电压(VREF_Min)和可用的最大参考电压(VREF_Max);但是,由于DDR涉及模拟信号,在参考电压范围的边界处会受到不同外界环境的影响而不稳定;当在参考电压范围的最小值的边界处出现不稳定的情况时,将导致所获得的可用的VREF_Max异常;如与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种参考电压确定方法,其特征在于,所述方法包括:/n以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取电子设备的最小参考电压;/n以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电子设备的最大参考电压;/n根据所述电子设备的最小参考电压和所述电子设备的最大参考电压确定所述电子设备的参考电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种参考电压确定方法,其特征在于,所述方法包括:
以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取电子设备的最小参考电压;
以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电子设备的最大参考电压;
根据所述电子设备的最小参考电压和所述电子设备的最大参考电压确定所述电子设备的参考电压。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电子设备的最小参考电压,包括:
遍历所述参考电压值集合中的参考电压,对所述电子设备进行读写校验;
将读写校验成功的第一个参考电压确定为所述电子设备的最小参考电压;
其中,所述参考电压值集合按参考电压值大小的升序进行排列。


3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述以递增的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电子设备的最小参考电压,包括:
基于所述参考电压值集合中的第一个参考电压,对所述电子设备进行读写校验;
读写校验成功时,确定第一个参考电压为所述电子设备的最小参考电压;
读写校验失败时,基于所述参考电压值集合中的第二个参考电压,对所述电子设备进行读写校验,直至读写校验成功;将读写校验成功对应的参考电压确定为所述电子设备的最小参考电压。


4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电子设备的最大参考电压,包括:
遍历所述参考电压值集合中的参考电压,对所述电子设备进行读写校验;
将读写校验成功的第一个参考电压确定为所述电子设备的最大参考电压;
其中,所述参考电压值集合按参考电压值大小的降序进行排列。


5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述以递减的方式遍历参考电压值集合中的参考电压,获取所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员:何飞龙衡田春雨
申请(专利权)人:深圳市中兴微电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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