【技术实现步骤摘要】
存储器装置、存储器系统及相关方法
本专利技术涉及存储器系统、装置及相关联方法。特定来说，本专利技术涉及具有裸片上数据传送能力的存储器装置及相关联系统及方法。
技术介绍
存储器装置被广泛地用于存储与例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者的各种电子装置相关的信息。存储器装置经常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可卸除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。包含静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器可能需要施加电源来维持其数据。相比之下，即使不从外部供电，非易失性存储器也可保留其存储数据。非易失性存储器可用于多种技术中，其包含快闪存储器(例如，NAND及NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度，增加读取/写入速度或以其它方式减少操作时延、增加可靠性、增加...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n易失性存储器单元阵列；及/n多个内部输入/输出IO线，其可操作地连接到所述阵列，/n其中所述存储器装置经配置以将存储在所述阵列中的第一位置处的一或多个易失性存储器单元中的数据内部地传送到所述阵列中的第二位置处的一或多个易失性存储器单元。/n
【技术特征摘要】
20181231 US 16/237,1151.一种存储器装置，其包括：
易失性存储器单元阵列；及
多个内部输入/输出IO线，其可操作地连接到所述阵列，
其中所述存储器装置经配置以将存储在所述阵列中的第一位置处的一或多个易失性存储器单元中的数据内部地传送到所述阵列中的第二位置处的一或多个易失性存储器单元。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
所述阵列的所述易失性存储器单元布置在多根字线及多根位线的交叉处；
所述第一位置对应于所述多根字线中的第一字线与所述多根位线中的第一位线的交叉处的第一易失性存储器单元；
所述第二位置对应于所述多根字线中的第二字线与所述第一位线的交叉处的第二易失性存储器单元；且
所述存储器装置经配置以通过开启所述第一字线并在开启所述第一字线的同时开启所述第二字线来将存储在所述第一易失性存储器单元上的所述数据内部地传送到所述第二易失性存储器单元。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中：
所述易失性存储器单元布置在多个存储器区中；
所述多个存储器区布置在两个或更多个存储器区群组中；
所述多个IO线包含每存储器区群组一或多根数据读取/写入DRW线；
所述第一位置及所述第二位置对应于第一存储器区群组；且
所述存储器装置经配置以通过使用所述第一存储器区群组的所述一或多根DRW线且不使用其它存储器区群组的所述DRW线来从所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元读取所述数据并将所述数据直接写入所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元来将存储在所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元中的所述数据传送到所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括可操作地连接到所述易失性存储器单元阵列的高速缓存。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述存储器装置经配置以通过(i)从所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元读取所述数据到所述高速缓存中及(ii)从所述高速缓存将所述数据写入所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元来将存储在所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元中的所述数据内部地传送到所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其进一步包括算术逻辑单元ALU，其中所述数据是第一数据，且其中所述存储器装置进一步经配置以：
根据由所述ALU指定的第一顺序从所述阵列中第三位置处的一或多个易失性存储器单元读取第二数据到所述高速缓存中；
根据由所述ALU指定的第二顺序，将所述第一数据写入所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元；
根据由所述ALU指定的第三顺序，从所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元读取第三数据到所述ALU中；及/或
根据由所述ALU指定的第四顺序，从所述高速缓存读取第四数据到所述ALU中。
7.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述高速缓存是可操作地连接到所述阵列的所有所述易失性存储器单元的全局高速缓存。
8.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述高速缓存是可操作地连接到所述阵列的所述易失性存储器单元的子集的局部高速缓存。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置进一步经配置以：(i)跟踪所述数据从所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元到所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元的传送及/或(ii)将所述数据的所述传送记录在存储在所述存储器装置上的数据传送表中。
10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置经配置以响应于接收整合、重新整合、重新布置及/或数据操纵命令而将所述数据从所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元传送到所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元。
11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述阵列的所述易失性存储器单元布置在多个存储器库中，且其中所述多个存储器库布置在多个存储器库群组中。
12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器DRAM装置。
13.一种用于将所存储数据内部地传送到存储器装置的易失性存储器单元阵列的方法，所述方法包括：
接收数据传送命令；以及
将存储在所述阵列中的第一位置处的一或多个易失性存储器单元上的数据传送到所述阵列中的第二位置处的一或多个易失性存储器单元。
14.根据权利要求13所述的方法，其中：
所述第一位置对应于所述阵列的第一字线与所述阵列的第一位线的交叉处的第一易失性存储器单元；
所述第二位置对应于所述阵列的第二字线与所述第一位线的交叉处的第二易失性存储器单元；且
所述传送包含在开启所述第一字线的同时开启所述第一字线及开启所述第二字线。
15.根据权利要求13所述的方法，其中：
所述易失性存储器单元阵列布置在存储器区群组中；
所述存储器装置包含每存储器区群组一组数据读取/写入DRW线；
所述第一位置及所述第二位置对应于第一存储器区群组；且
所述传送包含使用对应于所述第一存储器区群组的一组DRW线且不使用对应于其它存储器区群组的DRW组来将存储在所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元上的所述数据传送到所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述传送包含：
将所述数据从所述第一位置处的所述一或多个易失性存储器单元读取到可操作地连接到所述阵列的高速缓存中；以及
将所述数据从所述高速缓存写入所述第二位置处的所述一或多个易失性存储器单元。
17.根据权利要求16所述的方法，其中将所述数据从所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·H·希斯科克，D·M·贝尔，M·卡明斯基，J·E·阿尔茨海默，A·D·韦切斯，J·S·雷赫迈耶，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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