波长转换装置及其制备方法和发光装置制造方法及图纸

一种波长转换装置，包括依次层叠的基板、金属反射层、纳米二氧化硅低折射率层、荧光陶瓷层及纳米二氧化硅增透层。还提供该波长转换装置的制备方法及应用其的发光装置。该制备方法包括：提供荧光陶瓷层；采用溶胶‑凝胶方法，于荧光陶瓷层的相对两表面形成纳米二氧化硅低折射率层和纳米二氧化硅增透层；于纳米二氧化硅低折射率层远离荧光陶瓷层的表面形成金属反射层；提供基板，使基板与金属反射层、纳米二氧化硅低折射率层、荧光陶瓷层及纳米二氧化硅增透层依次层叠设置。

【技术实现步骤摘要】
波长转换装置及其制备方法和发光装置
本专利技术涉及光学
，尤其涉及一种波长转换装置及其制备方法和应用该波长转换装置的发光装置。
技术介绍
现有技术中，固定式波长转换装置封装技术中的主要面临的难点有：1)荧光陶瓷层背部设置的金属反射层，需要兼顾高的反射率和较薄的厚度，通常的做法是直接将荧光陶瓷层表面抛光后镀金属反射层，但是由于两种材料的物理属性差异，会存在金属反射层易脱落、附着力差的问题；且由于在荧光陶瓷层的折射率较高，使得金属反射层界面处反射率低。2)荧光陶瓷层与导热基板间的高导热通道和较短的导热路径要求陶瓷和导热基板之间设置的物质热导率高，且设置的层数及厚度较小。这两点之间存在着一定的内在联系，金属反射层材料的热导率高，层数及厚度越小，界面层的反射率越大越好。由于在荧光陶瓷层的折射率较高，使得金属反射层界面处反射率低。通常会在荧光陶瓷层材料与金属反射层之间的界面预制一种过渡层。现有技术中，该过渡层的制备方法一般采用磁控溅射、真空蒸镀、化学气相沉积或物理气相沉积等技术。然而，上述技术方法需要昂贵的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长转换装置，其特征在于，包括：/n依次层叠设置的基板、金属反射层、纳米二氧化硅低折射率层、荧光陶瓷层及纳米二氧化硅增透层；/n所述纳米二氧化硅低折射率层和所述纳米二氧化硅增透层的折射率在1.30～1.43之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种波长转换装置，其特征在于，包括：
依次层叠设置的基板、金属反射层、纳米二氧化硅低折射率层、荧光陶瓷层及纳米二氧化硅增透层；
所述纳米二氧化硅低折射率层和所述纳米二氧化硅增透层的折射率在1.30～1.43之间。


2.如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述纳米二氧化硅低折射率层和所述纳米二氧化硅增透层基本由纳米二氧化硅粒子组成；
所述纳米二氧化硅粒子至少有一维的尺寸处于1纳米～100纳米的范围。


3.如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述金属反射层为银层。


4.如权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述基板和所述金属反射层之间还设置有用于保护所述金属反射层的金属保护层。


5.如权利要求4所述的波长转换装置，其特征在于，所述金属保护层和所述基板之间还设置有用于粘结所述金属保护层和所述基板的粘结层。


6.一种发光装置，其特征在于，包括用于产生激发光的光源以及如权利要求1至5中任一项所述的波长转换装置，所述波长转换装置位于所述激发光的光路上以将所述激发光转换为受激光。


7.一种波长转换装置的制备方法，其包括如下步骤：
步骤S1：提供荧光陶瓷层；
步骤S2：采用溶胶-凝胶方法，于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雨叁，段银祥，刘莹莹，李乾，李屹，
申请(专利权)人：深圳光峰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44