薄膜及其制备方法和游离镉离子的检测方法技术

本发明专利技术属于量子点技术领域，具体涉及一种薄膜及其制备方法和游离镉离子的检测方法。所述薄膜包括：基板和生长在所述基板上的二氧化钛纳米管阵列；其中，所述二氧化钛纳米管阵列由靠近所述基板的一段和远离所述基板的一段组成，所述二氧化钛纳米管阵列靠近所述基板的一段的表面结合有聚多巴胺，所述聚多巴胺结合有硫化铅量子点。该薄膜具有优异的光电性能，可以用于检测量子点溶液中游离镉离子的浓度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜及其制备方法和游离镉离子的检测方法
本专利技术属于量子点
，具体涉及一种薄膜及其制备方法和游离镉离子的检测方法。
技术介绍
量子点(QuantumDot，QD)及量子点相关材料、器件被已经被誉为当前显示领域的核心技术之一，因其每一个量子点单元都是单晶颗粒，且尺寸具有良好的可调谐性，所以具有高色纯度、宽色域、高热稳定性、窄且对称的荧光发射光谱、宽且连续的紫外吸收光谱的特点，这使其成为一种理想的印刷显示的新型材料。量子点的合成较为复杂，涉及到的原料化合物多且杂，反应过程的物质变化监测难，由于量子点没有固定的化学式，所以对其具体成分、含量、元素存在状态的分析有很大的困难。其中，阳离子(镉离子，锌离子，铟离子，镓离子等)的存在状态就很难判断，由于不同前驱体反应活性的差异以及形成的量子点组分的不同要求，在量子点形成后，反应体系中往往仍然存在一种或几种过量或者残余的前驱体反应物，而多余的阳离子的存在大大影响了量子点产物的纯度和性能，所以，找到一种可以定量检测量子点溶液中游离镉离子含量的方法尤为重要，它可监测反应过程，可用于量子点产率计算，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括：基板和生长在所述基板上的二氧化钛纳米管阵列；其中，所述二氧化钛纳米管阵列由靠近所述基板的一段和远离所述基板的一段组成，所述二氧化钛纳米管阵列靠近所述基板的一段的表面结合有聚多巴胺，所述聚多巴胺结合有硫化铅量子点。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括：基板和生长在所述基板上的二氧化钛纳米管阵列；其中，所述二氧化钛纳米管阵列由靠近所述基板的一段和远离所述基板的一段组成，所述二氧化钛纳米管阵列靠近所述基板的一段的表面结合有聚多巴胺，所述聚多巴胺结合有硫化铅量子点。


2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜包括：基板和生长在所述基板上的二氧化钛纳米管阵列；其中，所述二氧化钛纳米管阵列的二氧化钛纳米管表面包覆有聚多巴胺层，所述聚多巴胺层表面结合有硫化铅量子点。


3.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜用于检测量子点溶液中游离镉离子的浓度；和/或，
所述基板为Ti基板或FTO基板。


4.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述二氧化钛纳米管阵列与所述聚多巴胺的质量比为100：(0.01-1)；和/或，
所述二氧化钛纳米管阵列的质量与所述硫化铅量子点的摩尔比为100mg：(1-2)mol；和/或,
所述二氧化钛纳米管阵列靠近所述基板的一段中二氧化钛纳米管的长度为所述二氧化钛纳米管阵列中二氧化钛纳米管的长度的1/3-2/3。


5.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供生长在基板上的二氧化钛纳米管阵列；
将所述二氧化钛纳米管阵列置于聚多巴胺溶液中，使所述二氧化钛纳米管阵列中靠近所述基板的一段浸入所述于聚多巴胺溶液中，所述二氧化钛纳米管阵列中靠近所述基板的一段得到二氧化钛纳米管表面结合有聚多巴胺的二氧化钛纳米管阵列；
将所述结合有聚多巴胺的二氧化钛纳米管阵列依次置于铅离子前驱体溶液和硫离子前驱体溶液中，得到所述薄膜。


6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述聚多巴胺溶液中的聚多巴胺浓度为0.1-10mg/mL；和/或，
所述铅离子前驱体溶液中铅离...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍蕊，邓承雨，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44