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一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置制造方法及图纸

技术编号:24793456 阅读:66 留言:0更新日期:2020-07-07 20:14
一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置,涉及人工晶体领域,本发明专利技术中冷却液体通路对插板阀下面进行冷却,进而提高插板阀使用的可靠性,有效的提高了插板阀的寿命等,然后在每个吹气管(3)的进气端分别设置节流阀(10),可以对不同结晶温度的拉制孔实现吹气量的调节,这样可以保证每个结晶区的结晶温度一致,进而实现多根硅芯的同时拉制,有效的保证了硅芯质量等,硅芯的快速均匀冷却可以提高晶体的拉制速度、增加所拉制的硅芯的直径,而硅芯直径的加大,又使其后期在还原炉内的生长速度加快,由此提高了生产效率等,本发明专利技术具有结构简单,使用效果好等优点,适合大范围的推广和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置
本专利技术涉及人工晶体领域,具体涉及一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置。
技术介绍
已知的,在硅芯制备过程中,一般使用籽晶进行引晶,待引晶完成后再进行硅芯的拉制。在此过程中,籽晶需要借助籽晶夹头夹持。待高频线圈将原料棒的端头局部融化成液体后,籽晶夹头带动籽晶下降,穿过高频线圈的拉制孔后插入原料棒上端的溶液内,随后通过籽晶夹头带动籽晶上升,籽晶带动溶液上升并重新结晶,最终形成所需长度的硅芯。在籽晶带着融液上升的过程中,当融液离开高频线圈的拉制孔后会逐渐冷却并重新结晶。此时带动籽晶上升的上轴的提升速度较慢,以拉制直径为&8mm的硅芯为例,拉制直径为&8mm的硅芯时,上轴的提升速度为14mm/min左右,拉制直径为&10mm的硅芯时,上轴的提升速度为12mm/min左右,拉制硅芯的直径一般都在&8~&15mm之间。所拉制的硅芯直径越大,其后期在还原炉内的生长速度越快,生产效率越高,所以如何提高硅芯的生产效率和增大硅芯的直径就成了本领域的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置,包括板体(1)和吹气管(3),其特征是:在所述板体(1)的上面设有向下凹陷的上凹槽,在所述上凹槽底面的上部间隔设有复数个向上延伸的硅芯穿孔固定柱,在每个硅芯穿孔固定柱上分别设有贯通至板体(1)下面的硅芯穿孔(8),在上凹槽的底面设有复数条冷却气体通路,每条冷却气体通路的出气口(13)分别连接设置在板体(1)下面吹气管(3)的进气端,每个吹气管(3)的出气端分别对应硅芯的结晶区,每条冷却气体通路的进气口(16)分别贯通至板体(1)的外缘面,每个进气口(16)分别连接节流阀(10)的出气端,每个节流阀(10)的进气端分别连接设置在板体(1)下面总气...

【技术特征摘要】
1.一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置,包括板体(1)和吹气管(3),其特征是:在所述板体(1)的上面设有向下凹陷的上凹槽,在所述上凹槽底面的上部间隔设有复数个向上延伸的硅芯穿孔固定柱,在每个硅芯穿孔固定柱上分别设有贯通至板体(1)下面的硅芯穿孔(8),在上凹槽的底面设有复数条冷却气体通路,每条冷却气体通路的出气口(13)分别连接设置在板体(1)下面吹气管(3)的进气端,每个吹气管(3)的出气端分别对应硅芯的结晶区,每条冷却气体通路的进气口(16)分别贯通至板体(1)的外缘面,每个进气口(16)分别连接节流阀(10)的出气端,每个节流阀(10)的进气端分别连接设置在板体(1)下面总气路的气体分流出口(15),所述总气路的总进气口(19)连接气源,在上凹槽的内缘面上间隔设有进水口(11)和出水口(12),所述进水口(11)和出水口(12)分别连接进水管和排水管,在上凹槽的上面设有上盖板(9),在所述上盖板(9)上设有复数个与硅芯穿孔(8)一一对应的穿孔形成所述的用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置。


2.根据权利要求1所述的用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置,其特征是:复数个硅芯穿孔固定柱的布局为中间设置一个硅芯穿孔固定柱,其余硅芯穿孔固定柱均布设置在中间硅芯穿孔固定柱的外围。


3.根据权利要求2所述的用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置,其特征是:所述中间硅芯穿孔固定柱与其外围的硅芯穿孔固定柱之间设有导流板(22),所述导流板(22)位于进水口(11)和出水口(12)的中间。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:戚振华
申请(专利权)人:戚振华
类型:发明
国别省市:河南;41

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