【技术实现步骤摘要】
钴掺杂硫化钼材料于自供能压电增强制氢中的应用
本专利技术涉及一种钴掺杂硫化钼材料于自供能压电增强制氢中的应用，特别涉及钴掺杂硫化钼材料于光催化自供能压电增强制氢中的应用，属于新能源领域。
技术介绍
随着人类社会的快速发展，人们对能源的需求日益增长，化石燃料的枯竭造成能源短缺。氢能因其燃烧值高，不产生二次污染等优点受到人们的广泛关注。但是，氢气容易发生爆炸，压缩氢气的成本比较高，因此如何安全有效而又经济地制取氢气和使用氢气一直是氢能源和氢经济需要解决的技术难题。氨硼烷(NH3BH3)是一种主要的储氢材料，其氢含量高达19.6wt％，在常温常压下呈固体，具有较高的稳定性，并且安全无毒性，容易携带。因此，与气态或液态氢相比，NH3BH3被认为是一种更有效和更安全的氢能储存方式。但是，NH3BH3在自然条件下释放氢气十分缓慢。为了快速释放氢气，人们开发了一些含有贵金属的催化剂，如铂、钯、铑、金等。然而，贵金属的成本高和丰度低，因此它们的应用十分有限。这就需要研究开发一种既安全、又经济、且环保、并能高效释放氢气的新技术。
【技术保护点】
1.一种钴掺杂硫化钼压电增强材料(Co-MoS
【技术特征摘要】
1.一种钴掺杂硫化钼压电增强材料(Co-MoS2)在红外光照射下自供能压电增强制氢中的用途。
2.如权利要求1所述的用途，其特征在于：所述钴掺杂硫化钼材料包括对近红外光具有响应的硫化钼MoS2材料以及掺杂在硫化钼内部及表面的二价钴离子。
3.如权利要求2所述的用途，其特征在于：所述二价钴离子的质量为所述硫化钼质量的10.0wt％-35.0wt％。
4.如权利要求2所述的用途，其特征在于：所述钴掺杂硫化钼材料的禁带宽度为0.7eV-1.3eV。
5.如权利要求2所述的用途，其特征在于：所述钴掺杂硫化钼MoS2半导体材料对红外光的响应范围为780-1550nm。
6.如权利要求2所述的用途，其特征在于包括：在温度为20-30℃的条件下，同时对主要由钴掺杂硫化钼材料和氨硼烷水溶液混合形成的制氢反应体系施加超声波和近红外光辐照，实现氢气的制备。
7.如权利要求6所述的用途，其特征在于：所述超声波的功率为20-30KHz。
8.如权利要求1所述的用途，其特征在于，所述钴掺杂硫化钼材料是采用水热法制备的，并且所述的制备方法包括以下步骤：
(1)将钼酸钠溶于去离子水中，并超声处理30-60m...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘守清，黄匡正，刘文晓，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。