一种大切深磨削砂轮及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体加工技术领域，具体涉及一种大切深磨削砂轮及其制备方法。所述大切深磨削砂轮，包括以下重量份数的原料：金刚石14‑21份、铜粉28‑46份、石墨3‑6份、羰基铁14‑32份、刚玉5‑10份、酚醛树脂8‑10份、偶联剂1‑2份。本发明专利技术砂轮满足一次进给10um/s的进刀量，加工后的工件表面粗糙度值在400nm以下。

【技术实现步骤摘要】
一种大切深磨削砂轮及其制备方法
本专利技术属于半导体加工
，具体涉及一种大切深磨削砂轮及其制备方法。
技术介绍
硅属于半导体材料，半导体材料用途广泛，硅主要可以作为电子整流器和可控硅整流器、硅二极管、晶体管及集成电路、太阳能电池等，同时也可以用于物联网、人工智能、车载智能等领域。硅晶体主要包括单晶硅和多晶硅，硅的纯度主要是分为5-9N级别的多晶硅和9-12N级别的单晶硅，纯度越高，最终加工的产品等级越高。单多晶硅在前道工序过程中需要经过开方、研磨、抛光、切片等工序制成硅片，硅片需要进行减薄、划切等工序最终制成电子器件，实际加工工序过程中需要对硅材料进行研磨抛光去量和硅基底进行减薄去量，去除不必要的硅材料，该过程主要是通过砂轮去量，目前砂轮主要是通过小进给磨削去除，加工效率低，本专利技术主要专利技术一种满足大切深需求的超硬材料砂轮，这种砂轮可以用在减薄工序，也可以用在研磨工序阶段。
技术实现思路
为了克服现有技术中的问题，本专利技术提供了一种大切深磨削砂轮。该砂轮可以磨削单多晶硅，满足一次进给10um/s的进刀量，加工后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大切深磨削砂轮，其特征在于，包括以下重量份数的原料：金刚石14-21份、铜粉28-46份、石墨3-6份、羰基铁14-32份、刚玉5-10份、酚醛树脂8-10份、偶联剂1-2份。/n

【技术特征摘要】
1.一种大切深磨削砂轮，其特征在于，包括以下重量份数的原料：金刚石14-21份、铜粉28-46份、石墨3-6份、羰基铁14-32份、刚玉5-10份、酚醛树脂8-10份、偶联剂1-2份。


2.根据权利要求1所述大切深磨削砂轮，其特征在于，金刚石的粒度为200/230-270/325，铜粉的粒度为600-800目，石墨的粒度为1200-1500目，羰基铁的粒度＞200目，刚玉的粒度为w10-w20，酚醛树脂的粒度为230-270目，所述偶联剂为偶联剂KH792。


3.根据权利要求1所述大切深磨削砂轮，其特征在于，石墨和羰基铁的形状为球型，刚玉的形状为板状。


4.权利要求1-3任一所述大切深磨削砂轮的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将酚醛树脂溶解于丙酮中，得混合物A；
（2）将铜粉和羰基铁混合过筛，再与金刚石混合过筛...

【专利技术属性】
技术研发人员：惠珍，赵延军，钱灌文，张高亮，王礼华，
申请(专利权)人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41