多模式电源管理电路制造技术

在示例电路(200)中，第一电感器(205)耦合在第一节点和第二节点(290)之间。第一PFET(215)具有耦合到第二节点(290)的源极端子和耦合到第三节点(275)的漏极端子。第二PFET(220)具有耦合到接地电压电势(285)的源极端子和耦合到第二节点(290)的漏极端子。第三PFET(225)具有耦合到第四节点(294)的源极端子和耦合到第三节点(275)的漏极端子。第四PFET(230)具有耦合到接地电压电势(285)的源极端子和耦合到第四节点(294)的漏极端子。NFET(245)具有耦合到第五节点(296)的源极端子和耦合到第三节点(275)的漏极端子。第二电感器(240)耦合在第四节点(294)和第五节点(296)之间。

Multi mode power management circuit

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多模式电源管理电路
技术介绍
本专利技术涉及电源管理电路。
技术实现思路
在至少一个示例中，电路包括第一电感器，所述第一电感器具有被配置为耦合到第一节点的第一端子和被配置为耦合到第二节点的第二端子。所述电路进一步包括第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(PFET)，所述第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管具有耦合到所述第二节点的源极端子和耦合到第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第二PFET，所述第二PFET具有耦合到接地电压电势的源极端子和耦合到所述第二节点的漏极端子。所述电路进一步包括第三PFET，所述第三PFET具有耦合到第四节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第四PFET，所述第四PFET具有耦合到所述接地电压电势的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子。所述电路进一步包括n型MOSFET(NFET)，所述n-型MOSFET具有耦合到第五节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子。所述电路进一步包括第二电感器，所述第二电感器具有被配置为耦合到所述第四节点的第一端子和被配置为耦合到所述第五节点的第二端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路，其包含：/n第一电感器，具有被配置为耦合到第一节点的第一端子和被配置为耦合到第二节点的第二端子；/n第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET PFET，具有耦合到所述第二节点的源极端子和耦合到第三节点的漏极端子；/n第二PFET，具有耦合到接地电压电势的源极端子和耦合到所述第二节点的漏极端子；/n第三PFET，具有耦合到第四节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子；/n第四PFET，具有耦合到所述接地电压电势的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子；/nn型MOSFET NFET，具有耦合到第五节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子；/n第二电感器，具有被配置为...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171002 US 62/566,652;20180920 US 16/137,3261.一种电路，其包含：
第一电感器，具有被配置为耦合到第一节点的第一端子和被配置为耦合到第二节点的第二端子；
第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFETPFET，具有耦合到所述第二节点的源极端子和耦合到第三节点的漏极端子；
第二PFET，具有耦合到接地电压电势的源极端子和耦合到所述第二节点的漏极端子；
第三PFET，具有耦合到第四节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子；
第四PFET，具有耦合到所述接地电压电势的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子；
n型MOSFETNFET，具有耦合到第五节点的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子；
第二电感器，具有被配置为耦合到所述第四节点的第一端子和被配置为耦合到所述第五节点的第二端子；和
控制器，耦合到所述第一PFET的栅极端子、所述第二PFET的栅极端子、所述第三PFET的栅极端子、所述第四PFET的栅极端子和所述NFET的栅极端子。


2.根据权利要求1所述的电路，进一步包含：
第一电阻器，被配置为耦合在所述第一节点和第六节点之间；
第一电容器，被配置为耦合在所述第六节点和所述接地电压电势之间；
第二电容器，被配置为耦合在所述第三节点和所述接地电压电势之间；
第三电容器，被配置为耦合在所述第三节点和所述接地电压电势之间；和
第二电阻器，被配置为耦合在所述第五节点和第七节点之间。


3.根据权利要求2所述的电路，进一步包含第五PFET，所述第五PFET具有耦合到所述第六节点的源极端子、耦合到第八节点的漏极端子和耦合到所述控制器的栅极端子。


4.根据权利要求2所述的电路，进一步包含第五PFET，所述第五PFET被配置为耦合在所述第二电容器和所述第三电容器之间，并且具有耦合到所述控制器的栅极端子。


5.根据权利要求2所述的电路，进一步包含被配置为耦合在所述第七节点和所述接地电压电势之间的电池。


6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述控制器被配置为控制所述第一PFET、所述第二PFET、所述第三PFET、所述第四PFET和所述NFET以：
在充电操作模式期间，将所述第一节点耦合到所述第四节点和所述第五节点；和
在放电操作模式期间，将所述第五节点耦合到所述第四节点。


7.根据权利要求1所述的电路，其中，所述控制器被配置为控制所述第一PFET、所述第二PFET、所述第三PFET、所述第四PFET和所述NFET以：
在活动式操作模式期间，将所述第五节点耦合到所述第一节点；和
在涡轮操作模式期间，将所述第一节点和所述第五节点耦合到所述第四节点。


8.根据权利要求1所述的电路，其中，所述控制器被配置为控制所述第一PFET、所述第二PFET、所述第三PFET、所述第四PFET和所述NFET以作为向所述第三节点供电的不间断电源操作。


9.一种系统，其包含：
电路，其包含：
第一电阻器，被配置为耦合在第一节点和第二节点之间；
第一电感器，耦合在所述第二节点和所述第三节点之间；
第一p型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFETPFET，具有耦合到所述第三节点的源极端子和耦合到第四节点的漏极端子；
第二PFET，具有耦合到接地电压电势的源极端子和耦合到所述第三节点的漏极端子；
第三PFET，具有耦合到第五节点的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子；
第四PFET，具有耦合到所述接地电压电势的源极端子和耦合到所述第五节点的漏极端子；
n型MOSFETNFET，具有耦合到第六节点的源极端子和耦合到所述第四节点的漏极端子；
第二电感器，具有被配置为耦合到所述第五节点的第一端子和被配置为耦合到所述第六节点的第二端子；和
控制器，耦合到所述第一PFET的栅极端子、所述第二PFET的栅极端子、所述第三PFET的栅极端子、所述第四PFET的栅极端子和所述NFET的栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李旺，Q·M·李，Y·苏，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US