含硅薄膜蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法技术

本发明专利技术涉及含有三甲硅烷基胺化合物的含硅薄膜蒸镀用组合物以及利用其的含硅薄膜的制造方法，更详细地，提供在低温下能够以非常优异的蒸镀速度形成含硅薄膜而能够作为含硅薄膜的前体和显示器的封装材料有效使用的含有三甲硅烷基胺化合物的含硅薄膜蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法。

Composition for evaporation and plating of silicon-containing film and manufacturing method of silicon containing film using the composition

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含硅薄膜蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法
本专利技术涉及含硅薄膜蒸镀用化合物及利用其的含硅薄膜的制造方法，更详细地，提供含有三甲硅烷基胺化合物作为薄膜蒸镀用前体的蒸镀用组合物及利用其的含硅薄膜的制造方法。
技术介绍
含硅薄膜可以在半导体领域中通过多种蒸镀工序制成硅膜(silicon)、氧化硅膜(siliconoxide)、氮化硅膜(siliconnitride)、碳氮化硅膜(Siliconcarbonitride)和氮氧化硅膜(Siliconoxynitride)等各种形态的薄膜，其应用领域广泛。尤其是，氧化硅膜和氮化硅膜由于非常优异的阻断特性和耐氧化性，因而在装置制作中用作绝缘膜、防扩散膜、硬掩模、蚀刻停止层、籽晶层、垫片、沟槽隔离物、金属间介电物质和保护膜层。最近，将多晶硅薄膜利用于薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)、太阳能电池等，其应用领域逐渐多样。为了制造含有硅的薄膜，公知的代表性的技术有混合的气体形态的硅前体和反应气体反应而在蒸镀对象基材表面形成膜或者在表面上直接反应而形成膜的化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含硅薄膜蒸镀用组合物，其含有下述化学式1的三甲硅烷基胺化合物，/n化学式1/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171122 KR 10-2017-0156464;20181121 KR 10-2018-011.一种含硅薄膜蒸镀用组合物，其含有下述化学式1的三甲硅烷基胺化合物，
化学式1





2.根据权利要求1所述的组合物，其用于蒸镀对象基材的温度小于100℃的低温蒸镀。


3.一种含硅薄膜的制造方法，其中，包括向蒸镀对象基材位于内部的腔室供给下述化学式1的三甲硅烷基胺化合物的步骤，
化学式1





4.根据权利要求3所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述蒸镀对象基材的温度小于100℃。


5.根据权利要求4所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述蒸镀对象基材的温度为95℃以下。


6.根据权利要求4所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述含硅薄膜是氮化硅膜，所述含硅薄膜的蒸镀速度为/分钟以上。


7.根据权利要求4所述的含硅薄膜的制造方法，其中，所述含硅薄膜是氧化硅膜，所述含硅薄膜的蒸镀速度为/分钟以上。


8.根据权利要求3所述的含硅薄膜的制造方法，其中，在所述三甲硅烷基胺化合物的供给前、供给中、或者供给后，供给选自氧(O2)、臭氧(O3)、蒸馏水(H2O)、过氧化氢(H2O2)、一氧化氮(NO)、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成基，朴重进，杨炳日，张世珍，朴建柱，朴廷主，丁熙娟，李三东，李相益，金铭云，
申请(专利权)人：DNF有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR