一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法技术

一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过设计PCB测试电路获得开关振荡频率和实际波形后，利用ANSYS软件的STATIC STRUCTURE建模功能、Q3D寄生参数提取功能、Saber软件中ModelArchitect构建SiC MOSFET SPICE模型的功能等，快速准确地建立了模型。本发明专利技术根据实际振荡频率进行分析，得到的寄生参数较为准确。利用Saber软件建立了一种SiC MOSFET SPICE模型，采用实际振荡频率下从封装结构提取的寄生参数，提高了仿真模型的准确性。本发明专利技术建立的模型经过与实际测试的对比，显示出较好的准确性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。

A spice modeling method for SiC MOSFET based on bare chip packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种基于裸片封装结构的SiCMOSFETSPICE模型建立方法
本专利技术属于新型器件的建模与仿真领域，具体涉及一种基于裸片封装结构的SiCMOSFETSPICE模型建立方法。
技术介绍
近几年，在大功率电力电子应用领域SiCMOSFET器件的发展十分迅速。与传统的SiMOSFET相比，它具有耐高温、耐高压、开关性能好以及低导通电阻等优点。但由于SiCMOSFET器件的价格仍然较高，在实际生产中要尽可能的充分利用其性能。同时由于电力电子产品趋向于复杂化，在实际测试前进行准确有效的仿真可以大大缩短产品的生产周期，而SiCMOSFET新型器件还没有统一的快速建模方法，专利技术一种快速准确的SiCMOSFET器件建模方法可以使仿真更加贴近实际效果，对SiCMOSFET产品的生产有着重大的意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种基于裸片封装结构的SiCMOSFETSPICE模型建立方法，所述方法通过设计PCB测试电路获得开关振荡频率和实际波形后，利用ANSYS软件的STATICSTRUCTURE建模功能、Q3D寄生参数提取功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于裸片封装结构的SiC MOSFET SPICE模型建立方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：/n步骤一、实际测试：使用示波器对测试电路门极和源极间、漏极和源极间的开关波形进行观察，测量开关的振荡频率；/n步骤二、基于裸片封装提取寄生参数：/n(1)在ANSYS STATIC STRUCTURE中建立SiC MOSFET的裸片封装结构模型；/n(2)将上述模型导入ANSYS Q3D中，并进行材料设置、类型设置以及每个键合丝上电流的进出面设置；/n(3)根据步骤一得到的实际测试结果选择振荡频率下的AC RL分析，得到各键合丝的电感和电阻矩阵，计算每个键合丝在振荡过程中的等效电感，根据...

【技术特征摘要】
1.一种基于裸片封装结构的SiCMOSFETSPICE模型建立方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
步骤一、实际测试：使用示波器对测试电路门极和源极间、漏极和源极间的开关波形进行观察，测量开关的振荡频率；
步骤二、基于裸片封装提取寄生参数：
(1)在ANSYSSTATICSTRUCTURE中建立SiCMOSFET的裸片封装结构模型；
(2)将上述模型导入ANSYSQ3D中，并进行材料设置、类型设置以及每个键合丝上电流的进出面设置；
(3)根据步骤一得到的实际测试结果选择振荡频率下的ACRL分析，得到各键合丝的电感和电阻矩阵，计算每个键合丝在振荡过程中的等效电感，根据键合丝的分布情况，计算在门极和源极间、漏极和源极间...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶雪荣，王浩南，张宏宇，翟国富，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙;23