一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法技术

技术编号:24741100 阅读:31 留言:0更新日期:2020-07-04 06:47
本发明专利技术涉及电感材料技术领域,针对现有技术的粉料的包覆性较差及一体式电感的性能指标较低的问题,公开了提供一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法,包括如下制备步骤:1)选择粉料;2)绝缘包覆;3)二次包覆;4)造粒;5)调粉;6)压制成型;7)产品烘烤等七个步骤,最终得到成品。本发明专利技术通过选择合适粒径的铁硅铬粉料,将绝缘材料均匀的包覆在颗粒表面,从而大幅度提升粉料的绝缘性及绝缘电阻,制备出绝缘性能佳的一体式电感;在加热条件下,选用绝缘效果好的材料进行包覆,再烘干形成均匀、高附着力、耐高温绝缘膜;各材料成本低,各材料组成成分,工艺步骤及使用参数范围明确,制备工艺简单,优质成品率高。

【技术实现步骤摘要】
一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法
本专利技术涉及一种电感材料
,尤其涉及一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法。
技术介绍
目前许多生产厂家都会用到合金粉料来制作一体式电感,而一体式电感就是将粉料和线圈一体成型后的电感,这里的线圈是用漆包铜线绕制而成,因此如何降低成型时漆包线的漆皮破损而引起的层间短路问题是比较重要的环节,而粉料就是其中一个比较关键的因素,粉料颗粒间的绝缘性差是导致短路的重要因素,因此粉料颗粒绝缘性的提升对一体式电感线圈具有重要意义。专利号为201910265631.9的专利了公开了一种高阻抗铁硅材料制备方法及含有该铁硅材料的一体式电感,一种高阻抗铁硅材料制备方法,包括如下步骤:选择400-500目的水雾化铁硅粉料进行球磨;将球磨后的粉料加入包覆液中进行绝缘包覆,包覆液由磷酸、磷酸二氢铝、铬酸、钾水玻璃中的两种或两种以上溶于丙酮中制得;将绝缘包覆后的粉料加入二次包覆液中进行二次包覆,二次包覆液由硅树脂和液体胶水的一种或一种以上溶于丙酮中制得;将二次包覆后的粉料依次进行造粒、晾干和烘烤;冷却至室温后加入辅助材料进行搅拌、过筛。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法,其特征是,包括如下制备步骤:/n1)选择粉料:筛选铁硅铬粉料;/n2)绝缘包覆:将磷酸、磷酸二氢铝、纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌,得到溶液A,将铁硅铬粉料加入溶液A中,同时加热搅拌,再进行第一次烘烤;/n3)二次包覆:将环氧树脂、硬化剂混合均匀,加丙酮稀释搅拌溶解,将该溶液加入经过步骤2)绝缘包覆的铁硅铬粉料中,搅拌均匀;/n4)造粒:将搅拌均匀的粉料进行造粒,得到造粒粉;/n5)调粉:加入氧化镁、脱模粉,搅拌得到调和粉;/n6)压制成型:将步骤5)述调和粉和线圈一起压制成型;/n7)产品烘烤:将成型后的产品置于烘箱内进行第三次烘烤。/n

【技术特征摘要】
1.一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法,其特征是,包括如下制备步骤:
1)选择粉料:筛选铁硅铬粉料;
2)绝缘包覆:将磷酸、磷酸二氢铝、纳米二氧化硅加入去离子水溶解初搅拌,得到溶液A,将铁硅铬粉料加入溶液A中,同时加热搅拌,再进行第一次烘烤;
3)二次包覆:将环氧树脂、硬化剂混合均匀,加丙酮稀释搅拌溶解,将该溶液加入经过步骤2)绝缘包覆的铁硅铬粉料中,搅拌均匀;
4)造粒:将搅拌均匀的粉料进行造粒,得到造粒粉;
5)调粉:加入氧化镁、脱模粉,搅拌得到调和粉;
6)压制成型:将步骤5)述调和粉和线圈一起压制成型;
7)产品烘烤:将成型后的产品置于烘箱内进行第三次烘烤。


2.根据权利要求1所述的一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法,其特征是,步骤2)中各原料组成按100质量分计:0.025-0.2份磷酸、0.075-0.6份磷酸二氢铝、0.01-0.08份纳米二氧化硅,其余均为铁硅铬粉料。


3.根据权利要求1所述的一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法,其特征是,步骤1)所选铁硅铬粉料的粒径小于等于325目。


4.根据权利要求1所述的一种高阻抗铁硅铬材料的制备方法,其特征是,所述步骤2)的初搅拌时间为30-40min,加热搅拌中加热时间为80-98min,加热温度为145-180℃,第一次烘烤温度为141-162℃,烘烤时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁卫坡王媛珍王林科方萌郭宾
申请(专利权)人:横店集团东磁股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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