低熔点合金半固态熔体制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了低熔点合金半固态熔体制备工艺，包括以下步骤：a.合金熔炼；将低熔点合金进行加热熔炼成半固态熔体；b.熔体射出；将半固态熔体通过喷射管进行喷出，所述喷射管通过摆动机构带动摆动，使得半固态熔体由所述喷射管摆动喷出；c.熔体搅拌；喷射管喷出的半固态熔体进入搅拌仓内，所述搅拌仓呈螺旋形，所述搅拌仓自上至下依次设有第一温控区域、第二温控区域、第三温控区域和第四温控区域，其中，第一温控区域低于合金固相温度，第二温控区域高于合金液相温度，第三温控区域位于合金固相温度和合金液相温度之间，所述第四温控区域为常温。本发明专利技术工艺步骤简单，操作方便，而且半固态合金存在成分均匀、晶核圆整度好。

Preparation of semi solid melt of low melting point alloy

【技术实现步骤摘要】
低熔点合金半固态熔体制备工艺
本专利技术涉及流变成形
，特别涉及低熔点合金半固态熔体制备工艺。
技术介绍
半固态合金是介于液态和固态之间的一类“软物质”，静止时像固体物质可以搬运，外力作用下像流体可以产生连续变形，其内部特征是（近）球状晶均匀悬浮于液相中。制备半固态金属可采用环保型低熔点合金，低熔点合金指能够在100℃内进行液固相的转变。现有的低熔点半固态合金在制备时，需要通过多道工序，才能将固态合金制备成半固态合金，工序复杂，自动化程度低，每一工序均是通过人工进行操作，劳动强度大，耗时较长。而且现有的半固态熔体制备装置多采用机械搅拌、电磁搅拌以及超声波搅拌等方式。但机械搅拌产出的半固态熔体存在成分不均匀、晶核圆整度差等缺点，且制备装置不易清洗。电磁搅拌和超声波搅拌装置仍存在搅拌死区，合金利用率低且制备成本较高。
技术实现思路
针对现有技术的不足和缺陷，提供一种低熔点合金半固态熔体制备工艺，工艺步骤简单，操作方便，而且半固态合金存在成分均匀、晶核圆整度好。为实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案。...

【技术保护点】
1.低熔点合金半固态熔体制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：/na.合金熔炼；将低熔点合金进行加热熔炼成半固态熔体；/nb.熔体射出；将半固态熔体通过喷射管进行喷出，使得半固态熔体由所述喷射管摆动喷出,喷射管喷出的半固态熔体进入搅拌仓上部的预形核区域内，半固态熔体内的晶核与预形核区域的内壁发生碰撞炸裂，在高速旋转融合下，晶核裂变速度加快，提高形核效率；/nc.熔体搅拌；所述搅拌仓呈上大下小的螺旋状，且所述搅拌仓自预形核区域往下依次设有第一温控区域、第二温控区域、第三温控区域和第四温控区域，其中，第一温控区域低于合金固相温度，用于半固态熔体快速形核；第二温控区域高于合金液相温度，用于半固态熔体熔...

【技术特征摘要】
1.低熔点合金半固态熔体制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：
a.合金熔炼；将低熔点合金进行加热熔炼成半固态熔体；
b.熔体射出；将半固态熔体通过喷射管进行喷出，使得半固态熔体由所述喷射管摆动喷出,喷射管喷出的半固态熔体进入搅拌仓上部的预形核区域内，半固态熔体内的晶核与预形核区域的内壁发生碰撞炸裂，在高速旋转融合下，晶核裂变速度加快，提高形核效率；
c.熔体搅拌；所述搅拌仓呈上大下小的螺旋状，且所述搅拌仓自预形核区域往下依次设有第一温控区域、第二温控区域、第三温控区域和第四温控区域，其中，第一温控区域低于合金固相温度，用于半固态熔体快速形核；第二温控区域高于合金液相温度，用于半固态熔体熔断晶核的晶状臂；第三温控区域位于合金固相温度和合金液相温度之间，用于调整半固态熔体晶核的圆整度；所述第四温控区域为常温，用于最后的合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文，王涛，张海英，张池，王春鸽，于艳东，罗开臣，章翔宇，陈怡江，
申请(专利权)人：浙江大学宁波理工学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33