【技术实现步骤摘要】
电子设备
实施例涉及电子设备，并且更具体地涉及被设计为在具有显著温度变化的环境中保持稳定性能的电子设备。
技术介绍
一般而言，为了最小化温度变化的影响，电子设备包括：特定结构，诸如被设计为在温度升高时疏散热量的壳体(或封装)；或者热传感器和控制模块，热传感器被配置为检测温度，控制模块被配置为基于检测到的温度来控制所述电子设备的热电活动，以增加或减少由电子设备生成的热量；或者电流源模块，其被配置为生成正温度系数(PTC)和/或负温度系数(NTC)电流，以生成对环境温度不敏感的电流；或者偏置电路，其被配置为围绕本领域技术人员已知的零温度系数(ZTC)点精确地偏置所述电子设备的某些晶体管，以使这些晶体管对环境温度不敏感。然而，这些传统的解决方案通常需要包括多个附加复杂模块的突兀结构，以便补偿温度变化的影响，或者以便当这些晶体管制造在绝缘体上硅基底时，经由它们的背栅极充分地偏置所述某些晶体管，从而结果导致长的开发时间、高的制造成本和/或大的硅占用。
技术实现思路
因此需要一种低复杂性、低成本和低硅表面...
【技术保护点】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：/n电路模块，具有第一输出端子，所述第一输出端子被配置为递送正温度系数输出电压；/n其中所述电路模块包括：/n热敏电阻器，具有第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管被配置为在弱反型模式中操作，并且具有负温度系数漏极-源极电阻，并且所述第一MOS晶体管的源极耦合到所述第一输出端子，以及/n电流源，具有耦合到所述第一输出端子的控制端子，并且被配置为施加所述第一MOS晶体管的漏极-源极电流。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180924 FR 18586561.一种电子设备，其特征在于，包括：
电路模块，具有第一输出端子，所述第一输出端子被配置为递送正温度系数输出电压；
其中所述电路模块包括：
热敏电阻器，具有第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管被配置为在弱反型模式中操作，并且具有负温度系数漏极-源极电阻，并且所述第一MOS晶体管的源极耦合到所述第一输出端子，以及
电流源，具有耦合到所述第一输出端子的控制端子，并且被配置为施加所述第一MOS晶体管的漏极-源极电流。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电流源包括第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管具有耦合到所述第一输出端子的栅极，所述第二MOS晶体管被配置为在强反型模式中操作，并且具有栅极漏电流，所述栅极漏电流被配置为施加所述第一MOS晶体管的所述漏极-源极电流。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管是NMOS晶体管。
4.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第二MOS晶体管的所述栅极漏电流具有与所述第一MOS晶体管的所述漏极-源极电流相同的数量级。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第二MOS晶体管的栅极氧化物的厚度小于2nm。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述电路模块形成温度传感器，其中在所述第一输出端子处的输出电压与温度成比例地变化。
7.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，还包括：
负温度系数MOS晶体管，具有耦合到所述第一MOS晶体管的漏极的栅极、耦合到所述电路模块的所述第二MOS晶体管的源极的源极、以及耦合到所述第二MOS晶体管的漏极的漏极，
其中所述第二MOS晶体管的源极和所述负温度系数MOS晶体管的源极形成第二输出。
8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述负温度系数MOS晶体管是NMOS晶体管。
9.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述第二输出生成与温度无关的输出电流。
10.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，被制造在绝缘体上硅基底上，其中所述第一MOS晶体管、所述第二MOS晶体管和所述负温度系数MOS晶体管中的每一者具有背栅极，并且所述背栅极被耦合在一起以接收共同电压。
11.根据权利要求10所述的电子设备，其特征在于，所述绝缘体上硅基底是全耗尽或部分耗尽绝缘体上硅基底。
12.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备是电子装置的组件，所述电子装置选自由以下组成的组：蜂窝移动电话、平板计算机和膝上型计算机。
13.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，以集成方式被制造。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，被制造在绝缘体上硅基底上。
技术研发人员：R·勒蒂克，P·加利，
申请(专利权)人：意法半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR
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