对多存储片存储器件进行编程的方法技术

一种存储器件，包括多个存储片、行驱动器和控制器。一种对存储器件进行编程的方法，包括：在编程操作中，行驱动器向多个存储片中的第一存储片中的多个存储单元施加编程脉冲；在行驱动器向多个存储单元施加编程脉冲之后，控制器验证多个存储单元是否已经达到预定的程序状态；以及，如果在多个存储单元以及被验证了预定次数之后所述多个存储单元中的预设数量的存储单元是否还未达到预定的程序状态，则控制器禁用第一存储片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对多存储片存储器件进行编程的方法
本专利技术涉及存储器控制，并且具体涉及对多存储片存储器件进行编程的方法。
技术介绍
非易失性存储器已广泛用于个人计算机、电信、消费电子和其它领域。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存是其中最广泛使用的非易失性存储器。根据存储器阵列的结构配置，可以将存储器件分为单存储片类型和多存储片类型。单存储片类型存储器件包括被组织成单个存储片的存储器阵列，而多存储片类型存储器件包括被组织成多个存储片的存储器阵列。当对多存储片类型存储器件进行编程时，可以同时对两个或更多个存储片进行编程以提高编程效率。然而，当多存储片类型存储器件包含有缺陷的存储片时，普通存储片和有缺陷的存储片都将被重复编程，以试图将数据编程到有缺陷的存储片中，从而降低编程速度、降低编程效率、并且增加正常存储片中的程序干扰。
技术实现思路
根据一个实施例，一种存储器件包括多个存储片、行驱动器和控制器。一种对存储器件进行编程的方法，包括：在编程操作中，行驱动器向多个存储片中的第一存储片的多个存储单元施加编程脉冲；在行驱动器向多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对存储器件进行编程的方法，所述存储器件包括多个存储片、行驱动器和控制器，所述方法包括：/n在编程操作中，所述行驱动器向所述多个存储片中的第一存储片的多个存储单元施加编程脉冲；/n在所述行驱动器向所述多个存储单元施加所述编程脉冲之后，所述控制器验证所述多个存储单元是否已经达到预定程序状态；以及/n如果在所述多个存储单元被验证了预定次数之后，所述多个存储单元中的预设数量的存储单元还未能达到所述预定程序状态，则所述控制器禁用所述第一存储片。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种对存储器件进行编程的方法，所述存储器件包括多个存储片、行驱动器和控制器，所述方法包括：
在编程操作中，所述行驱动器向所述多个存储片中的第一存储片的多个存储单元施加编程脉冲；
在所述行驱动器向所述多个存储单元施加所述编程脉冲之后，所述控制器验证所述多个存储单元是否已经达到预定程序状态；以及
如果在所述多个存储单元被验证了预定次数之后，所述多个存储单元中的预设数量的存储单元还未能达到所述预定程序状态，则所述控制器禁用所述第一存储片。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
当所述多个存储单元中的所述预设数量的存储单元还未达到所述预定程序状态时，所述控制器对验证失败计数进行递增。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述预定程序状态和另一程序状态的失败验证相关联的预定次数是相同的。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，与所述预定程序状态和另一程序状态的失败验证相关联的预定次数是不同的。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述控制器禁用所述第一存储片包括：
所述控制器阻止存储片选择...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓佳梁，王瑜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42