化学镀铜废水处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及废水处理设备领域，公开了一种化学镀铜废水处理装置，包括破络组件、一级沉降组件、氧化组件及二级沉降组件。破络组件包括第一pH调节池及破络池，一级沉降组件包括第一混凝池、第一絮凝池及第一沉淀池，氧化组件包括第二pH调节池及氧化池，二级沉降组件包括第二混凝池、第二絮凝池及第二沉淀池，第一pH调节池、破络池、第一混凝池、第一絮凝池、第一沉淀池、第二pH调节池、氧化池、第二混凝池、第二絮凝池及第二沉淀池依次连通。本装置具有沉降效果更好、不会造成二次污染以及能够降低COD含量、色度和气味的优点。

【技术实现步骤摘要】
化学镀铜废水处理装置
本技术涉及废水处理设备领域，特别是涉及一种化学镀铜废水处理装置。
技术介绍
化学镀铜俗称沉铜，是一种自身的催化性氧化还原反应。首先用活化剂处理，使绝缘基材表面吸附上一层活性的粒子，通常用的是金属钯粒子，铜离子首先在这些活性的金属钯粒子上被还原，而这些被还原的金属铜晶核本身又成为铜离子的催化层，使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行。目前化学沉铜在PCB制造业得到了广泛的应用，随着而来的是大量化学沉铜废水的产生。由于化学镀铜废水中含有强络合剂EDTA，EDTA与铜形成络合态铜—Cu-EDTA，该Cu-EDTA的稳定性极高，采用传统的加药沉淀除铜工艺不能使铜形成沉淀物，也就达不到除铜的目的。对于化学沉铜废水的处理，首要的处理就是破络，即将络合态的Cu-EDTA破除，使铜离子游离出来，再通过加药沉淀除铜工艺在沉淀池中将铜沉淀下来，或者破络后直接形成铜的沉淀物。常见的化学镀铜废水处理装置是通过往破络池内加入硫化钠使化学镀铜废水中的铜离子沉淀。但是，一方面，硫化钠有形成胶性溶液的倾向，能透过滤纸，沉降效果不好，使出水的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学镀铜废水处理装置，其特征在于，包括：/n破络组件，所述破络组件包括化学镀铜废水通入管、第一硫酸通入管、第一pH调节池、第一硫酸亚铁通入管及破络池，所述化学镀铜废水通入管及所述第一硫酸通入管分别与所述第一pH调节池连通，所述第一pH调节池及所述第一硫酸亚铁通入管分别与所述破络池连通；/n一级沉降组件，所述一级沉降组件包括第一氢氧化钠通入管、第一混凝池、第一絮凝剂通入管、第一絮凝池、第一沉淀池、一级清液流出管及一级污泥流出管，所述破络池及所述第一氢氧化钠通入管分别与所述第一混凝池连通，所述第一混凝池及所述第一絮凝剂通入管分别与所述第一絮凝池连通，所述第一絮凝池与所述第一沉淀池连通，所述...

【技术特征摘要】
1.一种化学镀铜废水处理装置，其特征在于，包括：
破络组件，所述破络组件包括化学镀铜废水通入管、第一硫酸通入管、第一pH调节池、第一硫酸亚铁通入管及破络池，所述化学镀铜废水通入管及所述第一硫酸通入管分别与所述第一pH调节池连通，所述第一pH调节池及所述第一硫酸亚铁通入管分别与所述破络池连通；
一级沉降组件，所述一级沉降组件包括第一氢氧化钠通入管、第一混凝池、第一絮凝剂通入管、第一絮凝池、第一沉淀池、一级清液流出管及一级污泥流出管，所述破络池及所述第一氢氧化钠通入管分别与所述第一混凝池连通，所述第一混凝池及所述第一絮凝剂通入管分别与所述第一絮凝池连通，所述第一絮凝池与所述第一沉淀池连通，所述第一沉淀池与所述一级清液流出管及所述一级污泥流出管连通；
氧化组件，所述氧化组件包括第二硫酸通入管、第二pH调节池、第二硫酸亚铁通入管、双氧水通入管及氧化池，所述一级清液流出管及所述第二硫酸通入管分别与所述第二pH调节池连通，所述第二pH调节池、所述第二硫酸亚铁通入管及所述双氧水通入管分别与所述氧化池连通；及
二级沉降组件，所述二级沉降组件包括第二氢氧化钠通入管、第二混凝池、第二絮凝剂通入管、第二絮凝池、第二沉淀池、二级清液流出管及二级污泥流出管，所述氧化池及所述第二氢氧化钠通入管分别与所述第二混凝池连通，所述第二混凝池及所述第二絮凝剂通入管分别与所述第二絮凝池连通，所述第二絮凝池与所述第二沉淀池连通，所述第二沉淀池与所述二级清液流出管及所述二级污泥流出管连通。


2.根据权利要求1所述的化学镀铜废水处理装置，其特征在于，所述一级沉降组件还包括第一清水池及第一污泥井，所述第一清水池的第一端与所述第一沉淀池连接，所述第一清水池的第二端与所述一级清液流出管连通，所述第一污泥井与所述一级污泥流出管连通。


3.根据权利要求2所述的化学镀铜废水处理装置，其特征在于，还包括一级污泥处理组件，所述一级污泥处理组件包括第一污泥浓缩池、第一板框压滤机及第一烘干机，所述第一污泥井、所述第一污泥浓缩池、所述第一板框压滤机及...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈李鑫，叶树勤，郭升彬，杨伟杰，莫火斌，
申请(专利权)人：惠州金茂源环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44