电容器用电极材料制造技术

本发明专利技术提供比表面积大、具有高电导率的硼掺杂纳米金刚石、包含硼掺杂纳米金刚石的电极、以及具备上述电极的传感器或蓄电设备。本发明专利技术的硼掺杂纳米金刚石的特征在于，比表面积为110m

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器用电极材料
本专利技术涉及作为电容器用电极材料等有用的硼掺杂纳米金刚石、包含硼掺杂纳米金刚石的电极、以及具备上述电极的传感器或蓄电设备。需要说明的是，本专利技术的硼掺杂纳米金刚石的用途并不限定于电容器用电极材料。本申请主张2017年11月16日在日本提出申请的日本特愿2017-220842号的优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
已知在绝缘性的金刚石中以高浓度掺杂硼时，会生成空穴(p型半导体)，从而被赋予金属性的导电性。进而，金刚石中以高浓度掺杂有硼的硼掺杂金刚石(BDD：BoronDopedDiamond)具有来自于金刚石的高物理稳定性及化学稳定性、以及优异的导电性，包含该硼掺杂金刚石的电极具有宽的电位窗口(不发生水的电解的电位范围)和小的背景电流，因此，与贵金属、碳等电极材料相比，作为对电化学分析、电解有效的功能性电极材料而受到关注。作为硼掺杂金刚石的制造方法，例如，在专利文献1中公开了通过对硼、金刚石粒子及碱土金属类碳酸盐粉末的混合物，在5.0～8.0Gpa的加压条件下于1300～1800℃的温度进行加热，由此在金刚石粒子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硼掺杂纳米金刚石，其比表面积为110m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171116 JP 2017-2208421.一种硼掺杂纳米金刚石，其比表面积为110m2/g以上，且20℃下的电导率为5.0×10-3S/cm以上。


2.根据权利要求1所述的硼掺杂纳米金刚石，其中值粒径为200nm以下。


3.根据权利要求1或2所述的硼掺杂纳米金刚石，其在光源波长325nm的拉曼光谱...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤刚史，相川达男，汤浅真，宫下健丈，西川正浩，郑贵宽，
申请(专利权)人：株式会社大赛璐，学校法人东京理科大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP