在存储设备中写入数据的方法、存储设备、和存储系统技术方案

可以提供一种在存储设备中写入数据的方法，所述方法包括：顺序地接收多个数据写入命令；通过确定与所述多个数据写入命令相对应的多个写入数据的逻辑地址的连续性，顺序地将所述多个写入数据指派给多个缓冲器组，使得所述多个缓冲器组中的每一个临时存储所述多个写入数据中的包括在相应单个流中并具有连续逻辑地址的一些写入数据；基于将所述多个写入数据指派给所述多个缓冲器组的顺序，将多个序列号分别指派给所述多个写入数据；将临时存储在所述多个缓冲器组中的所述多个写入数据编程到多个存储器块中；并且基于所述多个序列号来更新逻辑到物理映射表。

【技术实现步骤摘要】
在存储设备中写入数据的方法、存储设备、和存储系统相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月20日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0165962的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
示例实施例涉及半导体集成电路，更具体地，涉及在存储设备中写入数据的方法、执行所述方法的存储设备、和/或包括所述存储设备的存储系统。
技术介绍
存储系统包括主机设备和存储设备。在存储系统中，主机设备和存储设备通过各种接口标准彼此连接，接口标准例如是通用闪存(UFS)、串行高级技术附件(SATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、串行附接SCSI(SAS)、嵌入式多媒体卡(eMMC)等。存储设备可以是包括存储器控制器和存储器设备的存储器系统或仅包括存储器设备的存储器系统。这些类型的存储设备通常包括非易失性存储器和易失性存储器。在存储设备中，非易失性存储器通常用作主数据存储介质，而易失性存储器用作非易失性存储器与控制器或接口之间的数据输入和/或输出(I/O)缓冲存储器(或“高速缓冲存储器”)。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在存储设备中写入数据的方法，所述方法包括：/n顺序地接收多个数据写入命令；/n通过确定与所述多个数据写入命令相对应的多个写入数据的逻辑地址的连续性，顺序地将所述多个写入数据指派给多个缓冲器组，使得所述多个缓冲器组中的每一个临时存储所述多个写入数据中的包括在相应单个流中并具有连续逻辑地址的一些写入数据；/n基于将所述多个写入数据指派给所述多个缓冲器组的顺序，将多个序列号分别指派给所述多个写入数据；/n将临时存储在所述多个缓冲器组中的所述多个写入数据编程到多个存储器块中；以及/n基于所述多个序列号来更新逻辑到物理映射表。/n

【技术特征摘要】
20181220 KR 10-2018-01659621.一种在存储设备中写入数据的方法，所述方法包括：
顺序地接收多个数据写入命令；
通过确定与所述多个数据写入命令相对应的多个写入数据的逻辑地址的连续性，顺序地将所述多个写入数据指派给多个缓冲器组，使得所述多个缓冲器组中的每一个临时存储所述多个写入数据中的包括在相应单个流中并具有连续逻辑地址的一些写入数据；
基于将所述多个写入数据指派给所述多个缓冲器组的顺序，将多个序列号分别指派给所述多个写入数据；
将临时存储在所述多个缓冲器组中的所述多个写入数据编程到多个存储器块中；以及
基于所述多个序列号来更新逻辑到物理映射表。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述顺序地将多个写入数据指派给所述多个缓冲器组包括：
将第一写入数据指派给第一缓冲器组，所述第一写入数据对应于第一写入命令和第一流并具有作为连续地址的第一逻辑地址；以及
将第二写入数据指派给第二缓冲器组，所述第二写入数据对应于第二写入命令和第二流并具有作为连续地址的第二逻辑地址，所述第二写入命令在所述第一写入命令之后，所述第二流与所述第一流不同。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述顺序地将多个写入数据指派给所述多个缓冲器组还包括：
响应于所述第一写入数据的大小小于所述第一缓冲器组的容量，将第三写入数据指派给所述第一缓冲器组，所述第三写入数据对应于第三写入命令和第一流并具有作为连续地址的第三逻辑地址，所述第三写入命令在所述第一写入命令之后。


4.根据权利要求2所述的方法，其中所述顺序地将多个写入数据指派给所述多个缓冲器组还包括：
响应于所述第二写入数据的大小大于所述第二缓冲器组的容量，将所述第二写入数据的一部分指派给第三缓冲器组。


5.根据权利要求2所述的方法，其中所述将多个序列号指派给所述多个写入数据包括：
将作为连续编号的第一序列号指派给所述第一写入数据；以及
将作为连续编号的第二序列号指派给所述第二写入数据。


6.根据权利要求5所述的方法，其中
所述第一序列号根据所述第一写入数据的顺序依次增加，并且
所述第二序列号根据所述第二写入数据的顺序依次增加。


7.根据权利要求6所述的方法，其中与所述第一写入命令相关联的所述第一序列号中的最大序列号和与所述第二写入命令相关联的所述第二序列号中的最小序列号是连续的，其中所述第二写入命令和所述第一写入命令是连续的。


8.根据权利要求5所述的方法，其中所述编程包括：
将临时存储在所述第一缓冲器组中的所述第一写入数据编程到所述存储器块的第一存储器块中；以及
将临时存储在所述第二缓冲器组中的所述第二写入数据编程到所述多个存储器块中的与所述第一存储器块不同的第二存储器块中。


9.根据权利要求8所述的方法，其中所述编程包括首先对临时存储在所述缓冲器组中的首先被完全填充的一个缓冲器组中的数据执行编程操作。


10.根据权利要求1所述的方法，其中所述更新包括：
将编程在所述存储器块中的第一对应存储器块中的第一写入数据的第一序列号与参考序列号进行比较；以及
响应于所述参考序列号和所述第一序列号彼此连续，将所述第一写入数据的地址信息更新到元日志树。


11.根据权利要求10所述的方法，其中所述更新还包括：
响应于所述参考序列号和所述第一序列号是非连续的，将所述第一写入数据的所述地址信息添加到延迟元日志。
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【专利技术属性】
技术研发人员：金甫暻，李注英，郑锡八，曹成铉，崔承恩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR