一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，属于星体探测辅助设备的技术领域。空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，包括第一筒体、第一隔热层、侧壁缓冲吸能层和第二筒体；第一筒体的内部用于安装取样设备，第一隔热层连接在第一筒体的外侧；侧壁缓冲吸能层连接在第一隔热层的外侧，第二筒体套接在侧壁缓冲吸能层的外侧。解决了天体内部的温差大，导致取样设备的内部仪器超出使用温度范围，高速侵彻过程中冲击力大，容易损坏取样设备，使取样设备不能够正常使用的技术问题。本发明专利技术的第一筒体内安装取样设备，第一隔热层对天体内部的温度进行隔热，侧壁缓冲吸能层对高速侵彻的冲击力进行缓冲，确保设备能够正常使用。

【技术实现步骤摘要】
一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构
本专利技术涉及星体探测辅助设备的
，具体的涉及一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构。
技术介绍
人类对深空探索的天体覆盖至太阳系内的大部分行星、卫星及小行星。随着科技的发展，人类发现，天体的次表层星壤剖面含有丰富的地质学及星表环境信息，是研究天体起源及演化过程的重要探测目标。因此，科学考察逐渐从星体表面深入至星体的内部，这时，就需要利用一种取样设备，采用高速冲击侵彻的方式进入天体内部，以探测天体的次表层星壤剖面。高速侵彻取样设备在探测天体的次表层时，由于其体积轻巧，功耗低，是一种可取的方式。但是，取样设备在运行的过程中，其内部的仪器需要保持在一定的温度区间内，通常只要保证在0℃至50℃的区间即可。而取样设备进入天体内部后，由于天体内部内的温差比较大，温差范围可从极热状态到极冷状态，通常为120℃至零下270℃之间。因此，一旦取样设备进入天体内部，如不采取保温措施，很快就会超出工作温度范围，就会导致设备的内部仪器损坏，不能正常使用。并且，取样设备高速侵彻进入天体内部时，还将面临高速冲击与过载，如不采取缓冲吸能装置，也会导致设备的内部仪器遭遇撞击损坏。这样就导致取样设备无法进入深空进行探测，对探测造成了一定的阻力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，以解决现有技术中存在的，天体内部的温差大，导致取样设备的内部仪器损坏，高速侵彻进入天体内部过程中冲击力大，容易损坏取样设备，使取样设备不能够正常使用的技术问题。本专利技术提供的一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，包括第一筒体、第一隔热层、侧壁缓冲吸能层和第二筒体；第一筒体的内部用于安装取样设备，第一隔热层连接在第一筒体的外侧；侧壁缓冲吸能层连接在第一隔热层的外侧，第二筒体套接在侧壁缓冲吸能层的外侧。进一步的，侧壁缓冲吸能层设有卡槽，卡槽内连接有弹性缓冲件。进一步的，卡槽的数量为多个，弹性缓冲件的数量为与卡槽的数量相对应的多个，每个弹性缓冲件连接在每个卡槽内。进一步的，还包括第二隔热层；第二隔热层连接在侧壁缓冲吸能层与第二筒体之间。进一步的，还包括加热层；加热层连接在第一筒体的内侧壁。进一步的，第一筒体包括第一内壳和第二内壳；加热层连接在第一内壳的内侧壁，第二内壳套接在第一内壳的外侧；第一内壳与第二内壳之间通过连接件连接。进一步的，第一筒体的一端连接有第一缓冲吸能部；第一筒体的另一端连接有第二缓冲吸能部。进一步的，第一缓冲吸能部包括第一缓冲块、第一弹性连接件和第二缓冲块，第一缓冲块设有第一缓冲槽，第一弹性连接件连接在第一缓冲槽内，第二缓冲块连接在第一弹性连接件上；第二缓冲吸能部包括第三缓冲块、第二弹性连接件和第四缓冲块，第三缓冲块设有第二缓冲槽，第二弹性连接件连接在第二缓冲槽内，第四缓冲块连接在第二弹性连接件上。进一步的，第一筒体的一端与第一缓冲吸能部之间连接第一伸缩件；第一筒体的另一端与第二缓冲吸能部之间连接第二伸缩件。进一步的，第二筒体的一端连接第一盖体；第二筒体的另一端连接第二盖体。相对于现有技术，本专利技术的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构具有以下优势：本专利技术的第一筒体的内部安装取样设备，以利用第一筒体对取样设备的安装位置进行限定，确保取样设备的安装位置牢固；第一隔热层连接在第一筒体的外侧，设备进入天体内部后，利用第一隔热层进行保温隔热，确保第一筒体内部的温差在一定的范围内，从而确保设备的内部仪器能够正常使用；侧壁缓冲吸能层连接在第一隔热层的外侧，设备高速侵彻进入天体内部时，利用侧壁缓冲吸能层的变形吸能，对天体内部的冲击力进行缓冲，确保设备不被损坏。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构的示意图；图2为本专利技术实施例提供的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构的主视图；图3为图2中沿A-A方向的剖视图；图4为图3剖视后的立体示意图；图5为图3中的B部放大图；图6为图3中的C部放大图；图7为本专利技术实施例提供的第一弹性连接件的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的第二弹性连接件的结构示意图。附图标记说明：100-第一筒体；200-第一隔热层；300-侧壁缓冲吸能层；400-第二筒体；500-第二隔热层；600-加热层；101-第一内壳；102-第二内壳；103-连接件；104-第一缓冲吸能部；105-第二缓冲吸能部；106-第一缓冲块；107-第一弹性连接件；108-第二缓冲块；109-第一缓冲槽；110-第三缓冲块；111-第二弹性连接件；112-第四缓冲块；113-第二缓冲槽；114-第一伸缩件；115-第二伸缩件；301-卡槽；302-弹性缓冲件；401-第一盖体；402-第二盖体。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。如图1～8所示，本专利技术提供的一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，包括第一筒体100、第一隔热层200、侧壁缓冲吸能层300和第二筒体400；第一筒体100的内部用于安装取样设备，第一隔热层20本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，包括第一筒体(100)、第一隔热层(200)、侧壁缓冲吸能层(300)和第二筒体(400)；/n所述第一筒体(100)的内部用于安装取样设备，所述第一隔热层(200)连接在所述第一筒体(100)的外侧；/n所述侧壁缓冲吸能层(300)连接在所述第一隔热层(200)的外侧，所述第二筒体(400)套接在所述侧壁缓冲吸能层(300)的外侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，包括第一筒体(100)、第一隔热层(200)、侧壁缓冲吸能层(300)和第二筒体(400)；
所述第一筒体(100)的内部用于安装取样设备，所述第一隔热层(200)连接在所述第一筒体(100)的外侧；
所述侧壁缓冲吸能层(300)连接在所述第一隔热层(200)的外侧，所述第二筒体(400)套接在所述侧壁缓冲吸能层(300)的外侧。


2.根据权利要求1所述的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，所述侧壁缓冲吸能层(300)设有卡槽(301)，所述卡槽(301)内连接有弹性缓冲件(302)。


3.根据权利要求2所述的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，所述卡槽(301)的数量为多个，所述弹性缓冲件(302)的数量为与所述卡槽(301)的数量相对应的多个，每个所述弹性缓冲件(302)连接在每个所述卡槽(301)内。


4.根据权利要求1所述的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，还包括第二隔热层(500)；
所述第二隔热层(500)连接在所述侧壁缓冲吸能层(300)与所述第二筒体(400)之间。


5.根据权利要求1所述的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，还包括加热层(600)；
所述加热层(600)连接在所述第一筒体(100)的内侧壁。


6.根据权利要求5所述的空间星体勘察取样装置的缓冲吸能保温结构，其特征在于，所述第一筒体(100)包括第一内壳(101)和第二内壳(102)；
所述加热层(600)连接在所述第一内壳(101)的内侧壁，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐占文，刘希超，王东东，麻永帅，刘千，
申请(专利权)人：天津爱思达新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12