包括至少一个交联层的电缆制造技术

本发明专利技术涉及一种电缆(1)，所述电缆包括至少一个细长导电体(2)和至少一个围绕所述细长导电体的交联层(3，4，5)，所述交联层由包含至少一种聚合物的聚合物组合物获得，其特征在于，所述聚合物组合物进一步包含至少一种硅烷化的纳米填料，所述纳米填料具有至少50m

【技术实现步骤摘要】
包括至少一个交联层的电缆
本专利技术涉及一种包括至少一个交联层的电缆。
技术介绍
本专利技术典型地但不排他地适用于直流电或交流电的低电压(尤其小于6kV)、中电压(尤其从6至45-60kV)或高电压(尤其大于60kV，并且可能范围最高达800kV)电力电缆领域。在高电压电缆中，已知可以使用添加到聚合物组合物中的纳米填料以便增强耐击穿性。在这种情况下，仍然需要具有展现出越来越高的耐介电击穿性同时确保低泄漏电流的电缆。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过提供一种电缆来克服现有技术的缺点，所述电缆包括至少一个交联层、展现出增强的耐介电击穿性，同时尤其确保低泄漏电流。本专利技术提供了一种电缆，所述电缆包括至少一个细长导电体和至少一个围绕所述细长导电体的交联层，所述交联层由包含至少一种聚合物的聚合物组合物获得，其特征在于，所述聚合物组合物进一步包含至少一种硅烷化的纳米填料，所述纳米填料具有至少50m2/g、并且优选至少70m2/g的比表面积(BET)。借助于本专利技术，交联层在直流电流下，尤其在70℃本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电缆(1)，其包括至少一个细长导电体(2)和至少一个围绕所述细长导电体的交联层(3，4，5)，所述交联层由包含至少一种聚合物的聚合物组合物获得，其特征在于，所述聚合物组合物进一步包含至少一种硅烷化的纳米填料，所述纳米填料具有至少50m

【技术特征摘要】
20181220 FR 18737091.一种电缆(1)，其包括至少一个细长导电体(2)和至少一个围绕所述细长导电体的交联层(3，4，5)，所述交联层由包含至少一种聚合物的聚合物组合物获得，其特征在于，所述聚合物组合物进一步包含至少一种硅烷化的纳米填料，所述纳米填料具有至少50m2/g的比表面积(BET)。


2.根据权利要求1所述的电缆，其特征在于，所述硅烷化的纳米填料具有至少70m2/g的比表面积(BET)。


3.根据权利要求1或2所述的电缆，其特征在于，所述纳米填料选自碱土金属碳酸盐、碱土金属硫酸盐、金属氧化物、类金属氧化物、金属硅酸盐、和硅氧烷。


4.根据前述权利要求中任一项所述的电缆，其特征在于，所述纳米填料选自氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、和氧化铁(Fe2O3、Fe3O4)。


5.根据前述权利要求中任一项所述的电缆，其特征在于，所述硅烷化的纳米填料是硅烷化的金属氧化物。


6.根据前述权利要求中任一项所述的电缆，其特征在于，所述纳米填料包括硅氧烷和/或硅烷基团。


7.根据前述权利要求中任一项所述的电缆，其特征在于，所述纳米填料具有其尺寸中的至少一个不超过1000nm。


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【专利技术属性】
技术研发人员：吉汉·萨尤，让米歇尔·马蒂，拉斐尔·古福德，
申请(专利权)人：耐克森公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR