3D石墨烯制造技术

一种形成附着于基底表面的3D石墨烯材料的方法，包括：在基底表面上提供碳源；和将至少一部分所述碳源和/或至少一部分所述基底暴露于激光束，从而将至少一部分所述碳源转化为附着于所述基底表面的3D石墨烯材料。

3D graphene

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】3D石墨烯
本专利技术涉及3D石墨烯材料，形成附着于基底上的3D石墨烯材料的方法，包括附着于该基底上的3D石墨烯材料的系统，包含3D石墨烯材料的器件组件以及制作包含3D石墨烯材料的器件组件的方法。
技术介绍
已知碳会形成许多不同的同素异形体(allotrope)。同素异形体诸如金刚石(其中一个面心立方晶格会装饰每个原始晶胞(primitiveunitcell)两个sp3杂化的四面体排列的碳原子的基序)或石墨(其中sp2杂化的碳原子以六角形排列而形成平面薄板，相邻的薄板通过弱的范德华相互作用保持至一起)已经为人所知很久了。仅仅直到最近才发现其他碳-基结构，如石墨烯、巴克敏斯特富勒烯(buckminsterfullerenes)、碳纳米管、碳纳米带、类金刚石碳和无定形碳。石墨烯因其非比寻常的电子、热和机械性能而引起了人们的特别关注。一种特定的石墨烯材料被称为2D石墨烯。这是一种排列于六边形晶格上的单一的二维sp2键合碳原子薄板，本质上是一个单独的石墨单层。2D石墨烯是一种零间隙半导体，在室温下具有约10-6Ωcm的电阻率和大于15000cm本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成附着于基底表面的3D石墨烯材料的方法，所述方法包括：在基底的表面上提供碳源，所述碳源包括含碳材料；和将至少一部分所述碳源和/或至少一部分所述基底暴露于激光束，从而将至少一部分所述碳源转化为附着于所述基底表面的3D石墨烯材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170824 EP 17187835.81.一种形成附着于基底表面的3D石墨烯材料的方法，所述方法包括：在基底的表面上提供碳源，所述碳源包括含碳材料；和将至少一部分所述碳源和/或至少一部分所述基底暴露于激光束，从而将至少一部分所述碳源转化为附着于所述基底表面的3D石墨烯材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳源是包括含碳材料的预成型片材，并且其中将至少一部分所述碳源转化为附着于所述基底表面的3D石墨烯材料包括将碳从所述预成型片材转移到所述基底表面，并形成附着于所述基底表面的3D石墨烯材料。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括从所述基底表面去除未转化为所述3D石墨烯材料的所述碳源的一个或多个未转化部分。


4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述碳源包括一种或多种聚合物。


5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述基底包括对所述激光束基本上透明的一种或多种材料。


6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述基底在所述激光束的波长或多个波长处吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：马尔科·卡菲奥，克劳斯·马阔特，
申请(专利权)人：RD石墨烯有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB