【技术实现步骤摘要】
一种储能系统的多电平变换器及SOC自均衡调制方法
本专利技术涉及储能系统领域，更具体地，涉及一种储能系统的多电平变换器及SOC自均衡调制方法。
技术介绍
多电平变换器具有开关应力小、输出电压高、谐波含量小、易于拓展等优势，是将大规模储能系统接入电网的有效方案。现有的多电平变换器主要包括三种拓扑结构，即二极管箝位型多电平变换器、飞跨电容型多电平变换器、级联型多电平变换器。其中，级联型多电平变换器的拓扑结构和工作原理简单，且易于通过串联拓展到所需电平数量，已得到广泛应用。以图1和图2为例，来说明级联型多电平变换器的拓扑结构。图1为传统级联型7电平变换器，它由3个结构完全相同的H桥模块组成，每个模块都包含一个H桥变换器和一个直流电源，各直流电源之间的电压相等。由于每个模块的结构相同，该系统非常易于拓展。同时，当其中某个模块故障时，可通过将其旁路使剩余模块维持运行，电路可靠性高。图2为混合级联型多电平变换器的拓扑结构，与图1的区别在于，图2中各直流电源的输出电压按4:2:1的比例设置，从而形成了15电平变换器，从而有助于进一...
【技术保护点】
1.一种储能系统的多电平变换器，其特征在于，所述多电平变换器包括：n个电池组：BAT1、BAT2……BATn；/n2n个P沟道增强型MOS管：S1、S2…Si…Sn、P1、P2…Pi…Pn；/nn+4个N沟道增强型MOS管：B1、B2…Bi…Bn、Q1、Q2、Q3、Q4；/nSi的漏极与SBi-1连接，Si的源极与SPi连接；/nBATi的正极与SPi连接，BATi的负极与SBi连接；/nPi的漏极与SPi连接，Pi的源极与SPi+1连接；/nBi的源极与SBi连接，Bi的漏极与SBi-1连接；/n其中，n为大于等于3的正整数，i∈[2，n-1]；/nP1的漏极与SP1连接...
【技术特征摘要】
1.一种储能系统的多电平变换器，其特征在于，所述多电平变换器包括：n个电池组：BAT1、BAT2……BATn；
2n个P沟道增强型MOS管：S1、S2…Si…Sn、P1、P2…Pi…Pn；
n+4个N沟道增强型MOS管：B1、B2…Bi…Bn、Q1、Q2、Q3、Q4；
Si的漏极与SBi-1连接，Si的源极与SPi连接；
BATi的正极与SPi连接，BATi的负极与SBi连接；
Pi的漏极与SPi连接，Pi的源极与SPi+1连接；
Bi的源极与SBi连接，Bi的漏极与SBi-1连接；
其中，n为大于等于3的正整数，i∈[2，n-1]；
P1的漏极与SP1连接，P1的源极与SP2连接；
BAT1的正极与SP1连接，BAT1的负极与SB1连接；
S1的源极与SP1连接，S1的漏极分别与B1的漏极、Q1的漏极、Q3的漏极连接；
B1的源极与SB1连接，B1的漏极分别与S1的漏极、Q1的漏极、Q3的漏极连接；
Pn的漏极与SPn连接，Pn的源极空接；
BATn的正极与SPn连接，负极分别与Bn的源极、Q2的源极、Q4的源极连接；
Bn的漏极与SBn-1连接，Bn的源极分别与BATn的源极、Q2的源极、Q4的源极连接；
Sn的漏极与SBn-1连接，Sn的源极与SPn连接；
S1、S2……Sn、P1、P2……Pn、B1、B2……Bn、Q1、Q2、Q3、Q4的栅极接控制信号；
Q2的漏极、Q1的源极分别与QQ1连接；
Q3的源极、Q4的漏极分别与QQ2连接；
QQ1为所述多电平变换器电压正极输出点；
QQ2为所述多电平变换器电压负极输出点。
2.根据权利要求1所述的储能系统的多电平变换器，其特征在于，n＝4。
3.一种基于权利要求2所述储能系统的多电平变换器的SOC自均衡调制方法，其特征在于，所述方法为：
以+e1为1电平时所对应的载波信号强度，输出的电压强度为+E，+e2为2电平时所对应的载波信号强度，输出的电压强度为+2E，+e3为3电平时所对应的载波信号强度，输出的电压强度为+3E，+e4为4电平时所对应的载波强度，输出的电压强度为+4E；
-e1为-1电平时所对应的载波信号强度，输出的电压强度为-E，-e2为-2电平时所对应的载波信号强度，输出的电压强度为-2E，-e3为-3电平时所对应的载波信号强度，输出的电压强度为-3E，-...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈思哲，黎荣伟，王玉乐，常乐，王裕，章云，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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