【技术实现步骤摘要】
毫米波二阶分形天线、制备方法及在三维集成结构的运用
本专利技术涉及天线
，尤其涉及毫米波二阶分形天线、制备方法及在三维集成结构的运用。
技术介绍
天线是一种变换器，它把传输线上传播的导行波，变换成在无界媒介(通常是自由空间)中传播的电磁波，或者进行相反的变换，它也是在无线电设备中用来发射或接收电磁波的部件。随着更高密度的晶圆级系统级封装(WLSiP)技术的发展，急需解决天线在硅基上的集成问题，如何实现硅基毫米波小型化平面天线，对于形成更为完整的微波封装系统具有重要意义。传统的硅基天线通常设有矩形芯片，而使用矩形芯片会导致天线所占面积较大，不利于与其他电路和器件集成。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供毫米波二阶分形天线、制备方法及在三维集成结构的运用，以解决天线所占面积较大，不利于与其他电路和器件集成的问题。本专利技术通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：毫米波二阶分形天线，包括衬底，所述衬底的底部溅射有第一种子层，所述衬底的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层...
【技术保护点】
1.毫米波二阶分形天线，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)的底部溅射有第一种子层(2)，所述衬底(1)的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层(3)，且所述BCB介质层(3)溅射有第二种子层，所述BCB介质层(3)的顶部通过第二种子层与导电层(4)相连，所述导电层(4)上设置有Peano曲线。/n
【技术特征摘要】
1.毫米波二阶分形天线，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)的底部溅射有第一种子层(2)，所述衬底(1)的顶部涂覆并固化设置有BCB介质层(3)，且所述BCB介质层(3)溅射有第二种子层，所述BCB介质层(3)的顶部通过第二种子层与导电层(4)相连，所述导电层(4)上设置有Peano曲线。
2.根据权利要求1所述的毫米波二阶分形天线，其特征在于，所述衬底(1)为双抛高阻硅片，厚度300-450μm。
3.根据权利要求1所述的毫米波二阶分形天线，其特征在于，所述第一种子层(2)、第二种子层均包括TiW层以及Cu层，且在所述Cu层与衬底(1)之间均通过溅射一层TiW层相连。
4.根据权利要求1所述的毫米波二阶分形天线，其特征在于，所述TiW层以及Cu层的厚度分别为
5.根据权利要求1所述的毫米波二阶分形天线，其特征在于，所述导电层(4)为铜。
6.一种基于权利要求1-5任一所述的毫米波二阶分形天线的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、准备衬底(1)；
步骤S2、溅射第一种子层(2)；
步骤S3、衬底(1)的顶部进行BCB介质层(3)涂覆与固化；
步骤S4、在固化的BCB介质层(3)进行第二种子层溅射，再进行光刻、显影；然后将显影处理后的衬底(1)的顶部进行电镀导电层(4)；再去除衬底(1)顶部的第二种子层得到整个天线。
7.根据权利要求6所述的毫米波二阶分形天线的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，在衬底(1)的底部溅射第一种子层(2)；采用磁控溅射仪完成第一种子层(2)的溅...
【专利技术属性】
技术研发人员：周杨，李旺，张根烜，陈奇海，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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