一种GaN纵向逆导结场效应管制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，涉及GaN纵向逆导结场效应管。本发明专利技术利用器件顶层两个背靠背的PN结形成JFET结构来控制沟道的开启和关断。肖特基金属和欧姆金属分别淀积在相邻两个JFET区上形成源极，利用源极肖特基金属形成逆导二极管的阳极，漏极金属为逆导二极管的阴极。通过适当的控制欧姆接触JFET区的沟道宽度和PN结的掺杂浓度可以实现对器件阈值电压的控制。本发明专利技术的有益效果为，在正向开关工作状态下，具有阈值电压可调，导通电阻低、饱和电流大、关态耐压高和低功耗等优点；在逆导工作状态下，具有开启电压低、导通电阻低，反向耐压大和低功耗等优点。

A kind of Gan longitudinal inverse Junction FET

【技术实现步骤摘要】
一种GaN纵向逆导结场效应管
本专利技术属于功率半导体
，涉及一种GaN纵向逆导结场效应管。
技术介绍
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表，由于其优异于第一代(Si)和第二代(GaAs)半导体材料的材料特性，使其在当今社会的应用越来越广泛。由于GaN材料的禁带宽度大，具备高的功率密度，使其在5G通信方面有着重要地位；AlGaN/GaN异质结界面处由于材料极化效应而引起的2DEG具有高浓度、高迁移率的特点，因此器件可以实现高开关频率和低导通损耗，因此该类GaN器件被广泛的无人驾驶技术和电动汽车上。与SiC材料相比，同样属于第三代半导体材料GaN具备更大优势。一方面，GaN-on-Si的发展使得GaN器件的成本显著下降，这对于GaN器件的应用是具有里程碑意义的。另一方面，由于GaN器件属于平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。正因如此，对于GaN材料的研究也越来越受到人们的关注。GaN器件发展30几年来，对于横向AlGaN/GaNHEMT器件的研究相对比较成熟，因此横向器件的缺点也越来越被大家本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN纵向逆导结场效应管，从下至上依次包括层叠设置的漏极金属(8)、漏极N型重掺杂GaN层(1)、N型GaN漂移区(2)和P型掺杂GaN阻挡层(3)；其特征在于，所述P型掺杂GaN阻挡层(3)与N型GaN漂移区(2)构成PNP结构的源极肖特基接触JFET区(10)和源极欧姆接触JFET区(11)，PNP结构的源极肖特基接触JFET区(10)和源极欧姆接触JFET区(11)之间被P型GaN掺杂阻挡层(3)隔开；在所述源极肖特基接触JFET区(10)上表面具有源极肖特基金属(6)，在所述源极欧姆接触JFET区(11)上表面具有N型重掺杂GaN层(4)，N型GaN重掺杂层(4)上表面具有源极...

【技术特征摘要】
1.一种GaN纵向逆导结场效应管，从下至上依次包括层叠设置的漏极金属(8)、漏极N型重掺杂GaN层(1)、N型GaN漂移区(2)和P型掺杂GaN阻挡层(3)；其特征在于，所述P型掺杂GaN阻挡层(3)与N型GaN漂移区(2)构成PNP结构的源极肖特基接触JFET区(10)和源极欧姆接触JFET区(11)，PNP结构的源极肖特基接触JFET区(10)和源极欧姆接触JFET区(11)之间被P型GaN掺杂阻挡层(3)隔开；在所述源极肖特基接触JFET区(10)上表面具有源极肖特基金属(6)，在所述源极欧姆接触JFET区(11)上表面具有N型重掺杂GaN层(4)，N型GaN重掺杂层(4)上表面具有源极欧姆金属(5)，所述P型掺杂GaN阻挡层(3)的上表面具有栅极金属(...

【专利技术属性】
技术研发人员：周琦，魏鹏程，董志文，马骁勇，熊娓，杨秀，刘熙，陈万军，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51