【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制作流程
本专利技术是关于一种电子装置及其制作流程,特别是有关于一种有源式矩阵(activematrix)发光二极管(LED)的电子装置及其制作流程。
技术介绍
在现有的市场中,有源式矩阵驱动是在每个像素上都有相对应的薄膜晶体管(thinfilmtransistor:TFT)以驱动每个像素的发光组件,因此可以产生高亮度和高清楚影像及具有较宽广的视觉角度。然而,在现有的有源式矩阵发光二极管的制作流程中,并没有方式可以在发光二极管执行表面贴焊技术(surfacemounttechnology:SMT)程序前,就先测试每一像素中所对应薄膜晶体管的功能是否正常,而是必须在发光二极管执行SMT程序后,才可执行对应每一像素的照明检查(light-oninspection)。因此,若在发光二极管打件后的照明检查中,才发现对应该像素的该薄膜晶体管有问题,则会浪费该发光二极管的电子组件,因而增加制程成本或制程时间。
技术实现思路
为解决上述浪费发光二极管的电子组件,增加制程成本或制程时间的问题,本专利技术提供一 ...
【技术保护点】
1.一种电子装置,其特征在于,包括:/n一第一子像素,包括:/n一第一晶体管;以及/n一第一电子单元,电性连接于该第一晶体管;以及/n一测试组件,电性连接于该第一晶体管;/n其中,该测试组件具有一第一阻抗,该第一电子单元具有一第二阻抗,并且该第一阻抗大于该第二阻抗。/n
【技术特征摘要】
20181218 US 62/781,1181.一种电子装置,其特征在于,包括:
一第一子像素,包括:
一第一晶体管;以及
一第一电子单元,电性连接于该第一晶体管;以及
一测试组件,电性连接于该第一晶体管;
其中,该测试组件具有一第一阻抗,该第一电子单元具有一第二阻抗,并且该第一阻抗大于该第二阻抗。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该第一阻抗与该第二阻抗的比值介于10至107范围之间。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该测试组件邻近于该第一晶体管,并且该测试组件与该第一子像素于俯视该电子装置的方向上至少部分重叠。
4.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该测试组件并联于该第一电子单元。
5.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该测试组件包括一电阻、一虚设薄膜晶体管或一高阻抗线路。
6.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:高克毅,丁景隆,陈良禄,
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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