一种防反射膜及其制备方法技术

技术编号:24680160 阅读:41 留言:0更新日期:2020-06-27 07:11
本发明专利技术公开了一种防反射膜及其制备方法,本发明专利技术通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO

An antireflection film and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种防反射膜及其制备方法
本专利技术涉及镀膜
,特别涉及一种防反射膜及其制备方法。
技术介绍
显示产品已经触及到各个领域,为了满足高品质及多功能产品需求,防眩光、高透过率、低反射率多功能屏已越来越受到客户的偏爱。因此,目前的显示产品在窗口玻璃区域一般要镀制防反射膜(Anti-Reflective,AR)。目前针对带有高品质AR膜类的显示产品,特别是AR+CG(保护玻璃)或AR+OGM(触控屏)产品,当前主要采用包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜。为了防止Nb和Si镀制时交叉污染,Nb2O5和SiO2镀制的圈数较多(如在第一个腔体镀制Nb2O5,到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5,再到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5,最后到下一个腔体镀制SiO2),这样使镀制设备稼动率低、且镀制工艺过程过长,使得产品附加值降低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种防反射膜及其制备方法,用以解决
技术介绍
中采用Nb2O5和SiO2制备AR膜时镀制的圈数较多,使镀制设备稼动率低、镀制工艺过程过长,使得产品附加值降低的问题。本专利技术实施例提供了一种防反射膜,包括在基材上交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,所述SiN膜层和SiO2膜层的总层数为4层-6层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,包括在所述基材上交替层叠镀制的第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,还包括镀制在所述基材和所述第一SiN膜层之间的第三SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,所述第一SiN膜层的厚度为所述第一SiO2膜层的厚度为所述第二SiN膜层的厚度为所述第二SiO2膜层的厚度为所述第三SiO2膜层的厚度为可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,所述第一SiN膜层的厚度为所述第一SiO2膜层的厚度为所述第二SiN膜层的厚度为所述第二SiO2膜层的厚度为所述第三SiO2膜层的厚度为可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,在可见光波段380nm-780nm,所述防反射膜的透光率大于92.5%。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述防反射膜中,所述基材为保护玻璃或设有触控模组的保护玻璃。相应地,本专利技术实施例还提供了一种防反射膜的制备方法,包括:在基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述制备方法中,采用真空磁控溅射镀膜法在所述基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述制备方法中,采用真空磁控溅射镀膜法在所述基材上依次镀制第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述制备方法中,在镀制所述第一SiN膜层之前,还包括:在所述基材上镀制第三SiO2膜层。可选地,在具体实施时,在本专利技术实施例提供的上述制备方法中,在同一个镀制腔体的不同腔室内依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。本专利技术的有益效果如下:本专利技术实施例提供的防反射膜及其制备方法,本专利技术通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层构成防反射膜,在可见光波段能够起到增透减反的效果;并且在镀制本专利技术的防反射膜时,只需在一个腔体的不同腔室依次交替镀制层叠的SiN膜层和SiO2膜层,因此镀制本专利技术的防反射膜的镀制圈数只需一圈,从而使镀制设备稼动率较高(效率较高)、镀制工艺过程较短,使得产品附加值增大(成本较低)。附图说明图1A-图1I为相关技术中制备AR膜过程的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的防反射膜的结构示意图之一;图3为本专利技术实施例提供的防反射膜的结构示意图之二;图4A-图4F为本专利技术实施例中制备AR膜过程的结构示意图;图5为本专利技术实施例和相关技术中提供的防反射膜的反射率对比图;图6为本专利技术实施例和相关技术中提供的防反射膜制作在CoverGlass上的透过率对比图;图7为本专利技术实施例和相关技术中提供的防反射膜制作在镀有触控模组的CoverGlass上的透过率对比图;图8A-图8E为本专利技术实施例提供的防反射膜中各膜层膜厚对Rmax和Rave的影响示意图;图9A-图9E为本专利技术实施例提供的防反射膜中各膜层膜厚对ΔRa和ΔRb的影响示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的,技术方案和优点更加清楚,下面结合附图,对本专利技术实施例提供的防反射膜、有机发光显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映防反射膜的真实比例,且仅为防反射膜的局部结构,目的只是示意说明本
技术实现思路
。目前针对带有高品质AR膜类的显示产品,特别是AR+CG(保护玻璃)或AR+OGM(触控屏)产品,当前主要采用包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜。为了防止Nb和Si镀制时交叉污染,Nb2O5和SiO2镀制的圈数较多(如在第一个腔体镀制Nb2O5,到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5,再到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5,最后到下一个腔体镀制SiO2)。具体地,现有6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜的制备工艺流程以小片贴生产方式为例,小片贴生产方式是指在一张1850mm*1500mm的G6Glass(衬底玻璃)上贴若干个CoverGlass(保护玻璃),然后在贴有若干个CoverGlass的G6Glass上镀制包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠的AR膜;具体的工艺流程为:(1)清洗若干CoverGlass;(2)在G6Glass上挂片(Hanging)若干个CoverGlass,如图1A所示;(3)在第一个腔体内采用真空磁控溅射工艺在若干个CoverGlass上镀制厚度为的第一层Nb2O5,如图1B所示;(4)在第二个腔体内采用真空磁控溅射工艺在第一层Nb2O5上镀制厚度为的第一层SiO2和厚度为的第二层Nb2O5,如图1C所示;(5)在第三个腔体内采用真空磁控溅射工艺在第二层Nb2O5上镀制厚度为的第二层SiO2和厚度为的第三层Nb2O5,如图1D所示;(6)在第四个腔体内采用真空磁控溅射工艺在第三层Nb2O5上镀制厚度为的第三层SiO2,即在CoverGlass上形成包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜,如图1E所示;(7)将CoverGlass+AR膜从G6Glass上拆片(Dehanging),如图1F所示;(8)将拆片下来的若干镀制有AR膜的CoverGlass进行运输加工(Shipping),如图1G所示;(9)将镀制有AR膜的各个小片进行研磨(Polish)并在AR膜上贴一层防指纹膜ASF,如图1H所示;(10)在贴有防指本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种防反射膜,其特征在于,包括在基材上交替层叠镀制的SiN膜层和SiO

【技术特征摘要】
1.一种防反射膜,其特征在于,包括在基材上交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层。


2.如权利要求1所述的防反射膜,其特征在于,所述SiN膜层和SiO2膜层的总层数为4层-6层。


3.如权利要求1所述的防反射膜,其特征在于,包括在所述基材上交替层叠镀制的第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。


4.如权利要求3所述的防反射膜,其特征在于,还包括镀制在所述基材和所述第一SiN膜层之间的第三SiO2膜层。


5.如权利要求4所述的防反射膜,其特征在于,所述第一SiN膜层的厚度为所述第一SiO2膜层的厚度为所述第二SiN膜层的厚度为所述第二SiO2膜层的厚度为所述第三SiO2膜层的厚度为


6.如权利要求5所述的防反射膜,其特征在于,所述第一SiN膜层的厚度为所述第一SiO2膜层的厚度为所述第二SiN膜层的厚度为所述第二SiO2膜层的厚度为所述第三SiO2膜层的厚度为


7.如权利要求1所述的防反射膜,...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡海峰
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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