芯片和电流采样电路制造技术

本发明专利技术涉及一种芯片和电流采样电路，包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；其中，MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与栅极驱动电路连接，MOS管MP0的漏端还与所述栅极驱动电路连接，所述MOS管MS0、MOS管MP0的漏端跟源端输入运放电路连接，所述MOS管MP3和MOS管MP4的均源端与所述MOS管MS0的漏端连接，所述源端输入运放电路的输出端用于将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压，MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，MOS管MP4中通过的电流用于过流保护，电路结构简单。

Chip and current sampling circuit

【技术实现步骤摘要】
芯片和电流采样电路
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种芯片和电流采样电路。
技术介绍
电流采样电路作为集成电路中的重要模块，广泛用于模数转换器、接口电路及电源管理电路中。在电流采样电路实现系统功能的同时，往往还需要额外的过流保护电路防止系统由于过大的电流出现损伤。在大部分现有电路中，这两个功能是通过不同的电路实现的，即需要同时存在电流采样电路和过流保护电路，电流采样电路和过流保护电路均接入输入电流，如果输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分还要分别引入耐高压器件，电路结构较为复杂。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种电流采样电路，能够简化电路的结构。第一方面，提出一种电流采样电路，所述电流采样电路包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；其中，所述MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路的一端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述栅极驱动电路的另一端连接，所述MOS管MS0的漏端与所述源端输入运放电路的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路的另一输入端连接，所述源端输入运放电路的输出端分别与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3的源端和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；所述栅极驱动电路用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP3的电流，所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护；所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，以及将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。其中一个实施例中，所述源端输入运放电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN1、MOS管MN2以及第一恒流源和第二恒流源；所述MOS管MS0的漏端跟所述MOS管MP1的源端连接，所述MOS管MP0的漏端跟源端输入运放电路中MOS管MP2的源端连接，所述MOS管MP1的漏端跟所述MOS管MN1的漏端连接，所述MN1的源端通过第一恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端跟所述MOS管MN2的漏端连接，所述MOS管MN2的源端通过第二恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端分别与所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MN1的栅端和所述MOS管MN2的栅端用于接入驱动电压。其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括电阻R3，所述MOS管MP3、MOS管MP4的源端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接。其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括运算放大器和第四恒流源，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述运算放大器的反向输入端与所述第四恒流源连接，所述运算放大器的输出端用于输出放大后的采样电流。其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括第三恒流源和过流标志位，所述第三恒流源用于设置翻转电流阈值，所述过流标志位用于在通过MOS管MP4的过流保护电流大于翻转电流阈值时产生过流标志信号。其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括电阻R4，所述MOS管MP3漏端通过所述电阻R4接地。其中一个实施例中，所述电流采样电路还包括钳位电路和MOS管MP5，所述钳位电路与所述MOS管MP5的栅端连接，所述MOS管MP5的源端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述MOS管MP5的漏端接地，所述钳位电路用于钳位所述MOS管MP5的栅端电压，所述MOS管MP5用于在其源端电压超过栅端电压时导通，形成与所述电阻R4并联的对地通路。其中一个实施例中，所述钳位电路包括MOS管MP6和MOS管MN3；所述MOS管MP5的源极与所述MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP5的漏极接地，所述MOS管MP5的栅极与所述MOS管MP6的源极连接，所述MOS管MP6的漏极接地，所述MOS管MP6的栅极与所述MOS管MN3的源极连接，所述MOS管MN3的栅极接入高电平电压，所述MOS管MN3的源极接地。其中一个实施例中，所述钳位电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、第四恒流源、第五恒流源和第六恒流源，所述第四恒流源通过电阻R5接地，还连接MOS管MN3的栅极，MOS管MN3的漏极通过电阻R6接入高电平电压，MOS管MN3的源极通过第六恒流源接地，还跟MOS管MP6的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟MOS管MP5的栅极连接，MOS管MP6的源极通过电阻R7跟第五恒流源串接，第五恒流源接入高电平电压，MOS管MP6的漏极通过电阻R8接地。上述电流采样电路，通过MOS管MP3的电流用于过流采样，通过MOS管MP4的电流用于过流保护，MOS管MP3和MOS管MP4共用一个输入端就可以使电路同时具备电流采样和过流保护功能，即便输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分也是共用耐高压器件，相比在芯片中采用传统的电流采样电路和过流保护电路，采用本专利技术实施例中的电流采样电路，将过流保护电路与电流采样电路相结合，可以简化电路结构，减少对芯片面积的占用，且相比于传统的电流采样电路和过流保护电路，采用本专利技术实施例中的电流采样电路因减少了与输入端口连接的电路，减少了静电放电和浪涌风险。另一方面，本专利技术实施例还提出一种芯片，形成有如上任一实施例中所述的电流采样电路，所述芯片为模数转换芯片、接口芯片或电源管理芯片。附图说明图1为传统的电流采样电路的结构示意图；图2为传统的过流保护电路的结构示意图；图3为本专利技术一实施例中的过流保护电路的结构示意图；图4为本专利技术另一实施例中的过流保护电路的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如
技术介绍
所述，在大部分现有电流采样电路中，需要同时存在电流采样电路和过流保护电路，如图1和图2分别为传统的过流采样电路和过流保护电路的结构示意图，如图1和图2所示，传统的过流采样电路和过流保护电路均接入输入电流，如果输入端存在高压源，二者与输入端相连的部分还要分别引入耐高压器件，这样就会使得电路结构比较复杂。基于此，本专利技术实施例提出一种电流采样电路，可以简化电路结构，减少对芯片面积的占用。请参阅图3，所述电流采样电路包括电流采样子电路10，该电流采样子电路10包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路U1、源端输入运放电路101、MOS管MP3和MOS管MP4；其中，MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；/n其中，所述MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路的一端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述栅极驱动电路的另一端连接，所述MOS管MS0的漏端与所述源端输入运放电路的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路的另一输入端连接，所述源端输入运放电路的输出端分别与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3的源端和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；/n所述栅极驱动电路用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护；/n所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，以及将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；
其中，所述MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路的一端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述栅极驱动电路的另一端连接，所述MOS管MS0的漏端与所述源端输入运放电路的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路的另一输入端连接，所述源端输入运放电路的输出端分别与所述MOS管MP3的栅端、所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3的源端和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；
所述栅极驱动电路用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护；
所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，以及将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。


2.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述源端输入运放电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN1、MOS管MN2以及第一恒流源和第二恒流源；
所述MOS管MS0的漏端跟所述MOS管MP1的源端连接，所述MOS管MP0的漏端跟所述MOS管MP2的源端连接，所述MOS管MP1的漏端跟所述MOS管MN1的漏端连接，所述MN1的源端通过第一恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端跟所述MOS管MN2的漏端连接，所述MOS管MN2的源端通过第二恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端分别与所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MN1的栅端和所述MOS管MN2的栅端用于接入驱动电压。


3.根据权利要求2所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括电阻R3，所述MOS管MP3、MOS管MP4的源端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接。


4.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括运算放大器和第四恒流源，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李响，董渊，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31