转移装置及其清洁方法制造方法及图纸

一种转移装置，用于在半导体制造过程中将半导体晶片转移到蚀刻和其他制造过程中的装置中，并保持真空环境的清洁度。该转移装置包括存储晶片的转移室，从转移室抽取颗粒的真空系统以及用于温度控制的热电装置。真空系统包括抽气管，热电装置包括用于冷却转移室的冷却装置，以及监测装置。所述监测装置用于检测转移室中的颗粒浓度。冷却装置和真空系统设于转移室下方，所述冷却装置包括设置在抽气管上的帕尔帖元件，以冷却抽气管，从而使烟雾和颗粒朝着转移室下部移动。本申请还提供一种清洁方法，用于清洁所述转移装置中的转移室。

Transfer device and cleaning method

【技术实现步骤摘要】
转移装置及其清洁方法
本专利技术涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种转移装置及其清洁方法。
技术介绍
半导体制造的某些阶段，例如等离子蚀刻阶段和化学气相沉积阶段，需要在低气压或接近真空条件下进行。在半导体的这些制造阶段中使用的半导体加工设备的内部必须保持在低压/真空条件下。为了实现(接近)真空条件，需要使用真空泵对半导体加工设备进行抽签。为了保持半导体加工设备中的真空条件，一个或多个前置样品室和转移室作为半导体加工设备与一个或多个加载端口之间的接口，用于暂存和转移需要加工的半导体晶片。由于半导体晶片在加工过程中会产生颗粒，并在半导体晶片转移的过程中将颗粒带入转移室中，如何获知转移室的洁净程度并保持转移室的清洁成为需要解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提供一种能够清洁转移室并检测转移室清洁程度的转移装置。一种转移装置，包括：转移室，用于放置半导体晶片；真空系统，用于吸取所述转移室内的颗粒，设置在所述转移室下方，所述真空系统包括连通所述转移室的抽气管；和热电装置，设置在所述抽气管上。所述热电装置包括一冷却装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移装置，包括：/n转移室，用于放置半导体晶片；/n真空系统，用于吸取所述转移室内的颗粒，设置在所述转移室下方，所述真空系统包括连通所述转移室的抽气管；和/n热电装置，设置在所述抽气管上；/n其特征在于，所述热电装置包括一冷却装置和一监测装置；/n所述冷却装置设置在所述转移室下方并用于冷却所述转移室，所述转移室中被冷却的颗粒掉落至所述转移室下部，所述冷却装置包括多个帕尔帖元件，所述多个帕尔帖元件设置在所述抽气管上；/n所述监测装置设置在所述冷却装置上并连通所述抽气管，所述监测装置用于检测所述转移室内的颗粒浓度；/n当检测的颗粒浓度大于或等于一预设值时，所述监测装置发出清洁警报。/n

【技术特征摘要】
20181219 US 62/781620;20191023 US 16/6611391.一种转移装置，包括：
转移室，用于放置半导体晶片；
真空系统，用于吸取所述转移室内的颗粒，设置在所述转移室下方，所述真空系统包括连通所述转移室的抽气管；和
热电装置，设置在所述抽气管上；
其特征在于，所述热电装置包括一冷却装置和一监测装置；
所述冷却装置设置在所述转移室下方并用于冷却所述转移室，所述转移室中被冷却的颗粒掉落至所述转移室下部，所述冷却装置包括多个帕尔帖元件，所述多个帕尔帖元件设置在所述抽气管上；
所述监测装置设置在所述冷却装置上并连通所述抽气管，所述监测装置用于检测所述转移室内的颗粒浓度；
当检测的颗粒浓度大于或等于一预设值时，所述监测装置发出清洁警报。


2.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述冷却装置包括一多边形壳体，所述多边形壳体设置在所述抽气管上，所述多个帕尔帖元件设置在所述多边形壳体上。


3.如权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述多个帕尔帖元件设置在所述多边形壳体的外表面，并且所述多个帕尔帖元件相互并联或串联；所述多个帕尔帖元件布置成与多边形壳体的外周形状匹配的阵列结构。


4.如权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述监测装置包括颗粒传感器，所述颗粒传感器用于检测所述抽气管中的颗粒浓度。


5.如权利要求4所述的转移装置，其特征在于，所述颗粒传感器...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大镇，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37