一种全熔高效硅块制造装置制造方法及图纸

技术编号:24648972 阅读:53 留言:0更新日期:2020-06-24 20:48
本实用新型专利技术公开了一种全熔高效硅块制造装置,属于硅块生产领域,包括炉壳和坩埚,所述坩埚镶嵌于炉壳内部,所述炉壳内部底端焊接有隔温底座,所述隔温底座顶端表面开设有限位滑槽,所述限位滑槽内部滑扣安装有坩埚底座,所述坩埚底座与坩埚底端相互连通,所述坩埚表面套扣安装有冷却液循环管组,所述炉壳一侧表面镶嵌有储液箱。本实用新型专利技术利用储液箱内的多级管道离心泵依次向冷却液循环管组内注入冷却液,对坩埚进行分层冷却降温,减少硅块内部错位以及防止硅块晶裂的情况,本装置采用全熔工艺,不需要使用籽晶,成本相对有籽晶的半熔工业要低,而且不需要控制籽晶回炉,生产自动化与效率较高,工艺周期短,硅块硬度低,更利于产业化生产。

A full melting and high efficiency silicon block manufacturing device

【技术实现步骤摘要】
一种全熔高效硅块制造装置
本技术涉及硅块生产领域,尤其涉及一种全熔高效硅块制造装置。
技术介绍
硅是一种化学元素,它的化学符号是Si,旧称矽。原子序数14,相对原子质量28.0855,有无定形硅和晶体硅两种同素异形体,属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素。硅也是极为常见的一种元素,然而它极少以单质的形式在自然界出现,而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式,广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中,它是第二丰富的元素,构成地壳总质量的26.4%,仅次于第一位的氧。而硅块在生产过程中,通常采用半熔工业,这种生产方式成本较高,而且需要控制籽晶回炉,生产周期较长,而且传统熔高效硅块制造装置一般多数通过自然降温,其生产效率较低,而且容易导致硅块内部错位以及硅块晶裂的情况。为此,我们提出一种全熔高效硅块制造装置。
技术实现思路
本技术提供一种全熔高效硅块制造装置,通过搭扣炉壳一侧表面铰链安装的炉门,滑动移出限位滑槽内部滑扣安装的坩埚底座,可对坩埚内底端积留的废料残渣进行清除,从而避免残渣影响下次硅块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全熔高效硅块制造装置,包括炉壳和坩埚,所述坩埚镶嵌于炉壳内部,其特征在于,所述炉壳内部底端焊接有隔温底座,所述隔温底座顶端表面开设有限位滑槽,所述限位滑槽内部滑扣安装有坩埚底座,所述坩埚底座与坩埚底端相互连通,所述坩埚表面套扣安装有冷却液循环管组,所述炉壳一侧表面镶嵌有储液箱,所述冷却液循环管组一端与储液箱内部相互连通,所述储液箱内部镶嵌有多级管道离心泵,所述多级管道离心泵出液口与冷却液循环管组一端相互连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种全熔高效硅块制造装置,包括炉壳和坩埚,所述坩埚镶嵌于炉壳内部,其特征在于,所述炉壳内部底端焊接有隔温底座,所述隔温底座顶端表面开设有限位滑槽,所述限位滑槽内部滑扣安装有坩埚底座,所述坩埚底座与坩埚底端相互连通,所述坩埚表面套扣安装有冷却液循环管组,所述炉壳一侧表面镶嵌有储液箱,所述冷却液循环管组一端与储液箱内部相互连通,所述储液箱内部镶嵌有多级管道离心泵,所述多级管道离心泵出液口与冷却液循环管组一端相互连通。


2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘磊磊
申请(专利权)人:浙江鹏展新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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