一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈制造技术

本实用新型专利技术提供了一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，包括带有线圈眼和以线圈眼为中心的十字切缝的线圈主体，其中一个切缝为长切缝，长切缝延伸至线圈主体外圆边沿并位于线圈主体的两个线圈腿中间，还包括以线圈眼为中心设置于线圈主体内的圆弧形的掺杂气路，掺杂气路位于十字切缝的三个短切缝的外侧，掺杂气路的圆弧形的两个端点对称的位于长切缝的两侧且不与长切缝连接；掺杂气路上等间距设有多个气孔；掺杂气路与设于线圈主体内的进气气路连接。本实用新型专利技术所述的气掺线圈在线圈主体上直接开设掺杂气路，不单独设计气路，掺杂气路上等间距设有多个气孔，可实现均匀出气，保证了掺杂效果的良好，提高了气掺单晶的均匀性。

An air doped coil for improving the uniformity of zone melting single crystal

【技术实现步骤摘要】
一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈
本技术属于区熔感应加热硅单晶
，尤其是涉及一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈。
技术介绍
区熔硅单晶是电力电子器件、大功率高压元件的关键材料，其各类元器件广泛应用于光探测、光纤通讯、工业自动化控制系统中以及医疗、军事、电讯、工业自动化等领域，拥有极大的市场空间。区熔硅单晶具有少子寿命高、晶体晶格损伤小、生产周期短及生产成本低等特点。随着现代社会电子信息产业的发展,对硅晶体的完美性和电学参数的高均匀性提出了更高的要求。区熔硅单晶制备过程中,掺入一定量的电活性杂质可将高纯度多晶硅原料制成具有一定电学性质的掺杂硅单晶。区熔硅单晶的掺杂方法中,使用最广泛的方法是气相掺杂法。但现有的气相掺杂单晶在掺杂均匀性及重复一致性方面还有一定的问题，掺杂效果不好，效率不高。因此，如何提供掺杂均匀性，提高现有工艺水平，是区熔硅单晶生长
面临的技术难题。公开号为CN105177698A和CN202072793U的中国专利提供了一种线圈，均是在原来的感应线圈上，水平插入吹气气管，然后由吹气气管出气作用于熔体区域，此方式出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，包括线圈主体，所述线圈主体为中心带有线圈眼(1)的圆环形结构，所述线圈主体上开设有以所述线圈眼(1)为中心贯通上下表面的十字切缝(2)，其中一个切缝为长切缝，所述长切缝延伸至所述线圈主体外圆边沿并位于所述线圈主体的两个线圈腿中间，其特征在于：还包括以所述线圈眼(1)为中心围绕所述线圈眼(1)设置于所述线圈主体内的圆弧形的掺杂气路(3)，所述掺杂气路(3)位于所述十字切缝(2)的三个短切缝的外侧，所述掺杂气路(3)的圆弧形的两个端点对称的位于所述长切缝的两侧且不与长切缝连接；所述掺杂气路(3)上等间距设有多个气孔(4)；所述掺杂气路(3)与设于所述线圈主体内...

【技术特征摘要】
1.一种提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，包括线圈主体，所述线圈主体为中心带有线圈眼(1)的圆环形结构，所述线圈主体上开设有以所述线圈眼(1)为中心贯通上下表面的十字切缝(2)，其中一个切缝为长切缝，所述长切缝延伸至所述线圈主体外圆边沿并位于所述线圈主体的两个线圈腿中间，其特征在于：还包括以所述线圈眼(1)为中心围绕所述线圈眼(1)设置于所述线圈主体内的圆弧形的掺杂气路(3)，所述掺杂气路(3)位于所述十字切缝(2)的三个短切缝的外侧，所述掺杂气路(3)的圆弧形的两个端点对称的位于所述长切缝的两侧且不与长切缝连接；所述掺杂气路(3)上等间距设有多个气孔(4)；所述掺杂气路(3)与设于所述线圈主体内的进气气路(5)连接。


2.根据权利要求1所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)开设于所述掺杂气路(3)的上端面，所述气孔(4)在所述线圈主体的轴向上贯通所述线圈主体的上端面。


3.根据权利要求1所述的提高区熔单晶均匀性的气掺线圈，其特征在于：所述气孔(4)开设于所述掺杂气路(3)的下端面，所述气孔(4)在所述线圈主体的轴向上贯通所述线圈主体的下端面。


4.根据权利要求2或3任一项所述的提高区熔...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，郝大维，万静，王遵义，孙健，谭永麟，孙晨光，王彦君，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12