N型分片太阳能电池结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种N型分片太阳能电池结构及其制作方法。该制作方法包括：提供n型太阳能电池基体，并至少在所述基体一侧表面加工形成用于裂片的切槽；至少在所述基体的一侧表面形成连续的钝化层，并使所述切槽的切槽壁被钝化层覆盖；沿所述的切槽对所述基体进行裂片，形成分片电池，且使所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区上形成自然氧化层；以氢等离子体对所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区及所述自然氧化层进行钝化处理。本发明专利技术在切片后形成在分片电池边缘形成有第一钝化结构和第二钝化结构，该第一钝化结构覆盖暴露的空间电荷区，该第二钝化结构覆盖准中性区，进而获得具有边缘全面积钝化结构的分片电池。

Structure and fabrication of n-type solar cell

【技术实现步骤摘要】
N型分片太阳能电池结构及其制作方法
本专利技术涉及一种太阳能电池的制作方法，特别涉及一种N型分片太阳能电池结构及其制作方法，属于太阳能电池

技术介绍
N型太阳电池被认为是继P型PERC电池之后，更高效效率的太阳电池技术，其中，N型异质结电池和N型TOPCON电池是最有希望实现低成本高效率的两种电池技术，N型异质结电池具有双面钝化接触结构，有钝化效果好、工艺温度低、双面发电等优点。N型异质结电池的基本结构如图1所示，n型单晶硅表面沉积本征氢化非晶硅薄膜(i-a-Si:H)/p型氢化非晶硅薄膜(p-a-Si:H)叠层和本征氢化非晶硅薄膜(i-a-Si:H)/n型氢化非晶硅薄膜(n-a-Si:H)叠层，钝化硅表面，p-a-Si:H和n型单晶硅构成异质p-n结，p-a-Si:H和n-a-Si:H薄膜之上沉积透明导电薄膜(TCO)，以利于载流子的收集和传输，也是非晶硅薄膜的保护层；最后在电池两面形成金属电极。N型异质结太阳电池是对称结构，掺杂非晶硅层的位置可以互换，既可以是p-a-Si:H在入光面，也可以是n-a-Si:H在入光面。...

【技术保护点】
1.一种N型分片太阳能电池结构的制作方法，其特征在于包括：/n提供n型太阳能电池基体，并至少在所述基体一侧表面加工形成用于裂片的切槽；/n至少在所述基体的一侧表面形成连续的钝化层，并使所述切槽的切槽壁被钝化层覆盖；/n沿所述的切槽对所述基体进行裂片，形成分片电池，且使所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区上形成自然氧化层；/n以氢等离子体对所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区及所述自然氧化层进行钝化处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种N型分片太阳能电池结构的制作方法，其特征在于包括：
提供n型太阳能电池基体，并至少在所述基体一侧表面加工形成用于裂片的切槽；
至少在所述基体的一侧表面形成连续的钝化层，并使所述切槽的切槽壁被钝化层覆盖；
沿所述的切槽对所述基体进行裂片，形成分片电池，且使所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区上形成自然氧化层；
以氢等离子体对所述分片电池边缘未被所述钝化层覆盖的准中性区及所述自然氧化层进行钝化处理。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于具体包括：在所述基体的第一表面加工出所述的切槽，在所述基体的第一表面形成连续的第一钝化层、在所述第二基体的第二表面形成连续的第二钝化层，并使所述切槽的槽壁也被所述第一钝化层覆盖，所述第一钝化层与所述基体构成异质p-n结，其中，所述第一表面和第二表面背对设置；和/或，所述钝化层包括叠层设置的化学钝化层和场钝化层。


3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于具体包括：采用n型单晶硅片作为所述的基体，在所述基体的第一表面沉积本征氢化非晶硅薄膜与p型氢化非晶硅薄膜的叠层作为第一钝化层，在所述基体的第二表面沉积本征氢化非晶硅薄膜与n型氢化非晶硅薄膜的叠层作为第二钝化层，所述p型氢化非晶硅薄膜与所述基体构成异质p-n结，从而形成N型异质结电池；优选的，所述本征氢化非晶硅薄膜的厚度为1-10nm；优选的，所述p型氢化非晶硅薄膜的厚度为1-15nm。


4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于具体包括：采用n型单晶硅片作为所述的基体，在所述基体的第一表面扩散或离子注入硼形成同质p-n结，再沉积第一钝化层，以及在所述基体的第二表面生长超薄氧化硅膜和n型多晶硅或微晶硅薄膜的叠层，形成钝化接触结构作为第二钝化层，从而形成单面N型TOPCON电池；优选的，所述超薄氧化硅膜的厚度为0.1-2nm；优选的，所述n型多晶硅或...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨黎飞，杨青松，李杏兵，张闻斌，
申请(专利权)人：苏州光汇新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32