一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法技术

本发明专利技术提供一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法，包括以下步骤：步骤(1).将钴源与2‑甲基咪唑按照摩尔比1:8称量，将钴源与溶剂按1摩尔钴对应20毫升溶剂进行配比形成溶液A；将称量好的2‑甲基咪唑溶于同样体积的溶剂中形成溶液B；将B倒入A中，在室温下静置12‑24h；步骤(2).离心清洗后，真空干燥不少于12h，即获得前驱体；步骤(3).将上述前驱体同磷源按照摩尔比1:5称量，一起置于通保护气的管式炉中；步骤(4).使管式炉在气氛保护条件下按照升温曲线进行升温过程，再在300℃～500℃下反应2～5h，冷却至室温即得纳米片状磷化钴。本发明专利技术其结构稳定，排列有序，有利于后续合成加工；原料为钴的硝酸盐、氯化盐、或乙酸盐，原料价格低廉。

A method of preparing nano flake cobalt phosphide by vapor deposition

【技术实现步骤摘要】
一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法
本专利技术涉及纳米片状磷化钴制备
，具体为一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法。
技术介绍
磷化钴具有良好的金属性质和良好的导电性，在许多领域得到了广泛的研究，如作为电催化剂用于水的裂解，作为负极材料用于锂离子电池，作为催化剂用于加氢脱硫反应等。目前国内所合成的磷化钴其形貌大多是纳米球、纳米线及纳米球等。如中国专利CN201910027895.0公开了一种氮掺杂的磷化钴/纳米碳复合材料及其制备方法和应用，其特点是将磷源、钴源、合成凝胶的单体在聚合助剂下聚合,得到双网络水凝胶；双网络水凝胶经冷冻干燥处理,得到干凝胶；干凝胶在保护性气氛、750-1000℃下煅烧；将煅烧产物与纳米碳材料复合得到磷化钴/纳米碳复合材料。中国专利201811655267.9公开了一种磷化钴纳米线电解水产氢催化剂及其制备方法，其特点是在反应釜中加入硫酸钴尿素、水以及乙二醇中充分溶解；将反应釜加热至130-170℃,进行水热反应,得到磷化钴前驱体；待反应釜自然冷却至常温后,加入氨水和乙二醇、三氧化钼；将反应釜加热至110-135℃本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤(1).将钴源与2-甲基咪唑按照摩尔比1:8称量，将钴源与溶剂按1摩尔钴对应20毫升溶剂进行配比形成溶液A；/n将称量好的2-甲基咪唑溶于同样体积的溶剂中形成溶液B；/n将B倒入A中，搅拌后形成均一溶液，在室温下静置12-24h；/n步骤(2).离心清洗后，真空干燥不少于12h，即获得前驱体；通过液相沉积在室温下静置制备出了片状前驱体纳米阵列，其结构稳定，排列有序，有利于后续合成加工；/n步骤(3).将上述前驱体同磷源按照摩尔比1:5称量一起置于通保护气的管式炉中，磷源置于管式炉上游，前驱体置于下游；/n步骤(4).设...

【技术特征摘要】
1.一种气相沉积制备纳米片状磷化钴的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤(1).将钴源与2-甲基咪唑按照摩尔比1:8称量，将钴源与溶剂按1摩尔钴对应20毫升溶剂进行配比形成溶液A；
将称量好的2-甲基咪唑溶于同样体积的溶剂中形成溶液B；
将B倒入A中，搅拌后形成均一溶液，在室温下静置12-24h；
步骤(2).离心清洗后，真空干燥不少于12h，即获得前驱体；通过液相沉积在室温下静置制备出了片状前驱体纳米阵列，其结构稳定，排列有序，有利于后续合成加工；
步骤(3).将上述前驱体同磷源按照摩尔比1:5称量一起置于通保护气的管式炉中，磷源置于管式炉上游，前驱体置于下游；
步骤(4).设置升温曲线，使管式炉在气氛保护条件下按照升温曲线进行升温过程，再在300℃～500℃下反应2～5h，蒸发的磷元素在前驱体表面发生气相沉积反应，片状前驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈道理，杨绪勇，委福祥，
申请(专利权)人：盱眙新远光学科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32