【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在密封气室空腔中产生气体的方法
技术介绍
在微波到毫米波(mm-wave)区域中，分子光谱学可用于构造微波或毫米波原子时钟以及需要准确时序信号的其它系统。原子时钟使用由RF收发器引发的激光或毫米波辐射来激发气室内的气体，并且系统检测偶极分子的旋转量子跃迁作为参考。气室理想地是气密环境，其包含处于稳定低压下的所需目标气体。通过在气室空腔的密封期间使用先进的质量流量控制器及类似设备，可在控制已知量的挥发性物种的同时，产生适度的真空环境。然而，在空腔密封操作期间，控制环境条件可能是困难且昂贵的。
技术实现思路
为制造气室并在密封空腔内部产生目标气体，实例方法包含：在第一衬底中形成空腔；在所述空腔中提供非挥发性前体材料；将第二衬底接合到所述第一衬底以形成在所述空腔中包含所述非挥发性前体材料的所述密封空腔；及在形成所述密封空腔之后或期间活化所述前体材料以在所述密封空腔内部释放所述目标气体。为在密封空腔内部产生目标气体，实例方法包含：在第一衬底的空腔中提供非挥发性前体材料；将第二衬底接合到所述第一衬底以密封包含所述非挥发性前体材料的所述空...
【技术保护点】
1.一种制造气室的方法，所述方法包括：/n在第一衬底的第一侧中形成空腔；/n在所述空腔的至少一个侧壁及底部上形成导电材料；/n在所述第一衬底的所述空腔中提供非挥发性前体材料；/n将第二衬底接合到所述第一衬底的所述第一侧以形成包含所述空腔中的所述非挥发性前体材料的密封空腔；及/n在形成所述密封空腔之后或期间活化所述前体材料以在所述密封空腔内部释放目标气体。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171215 US 15/843,3131.一种制造气室的方法，所述方法包括：
在第一衬底的第一侧中形成空腔；
在所述空腔的至少一个侧壁及底部上形成导电材料；
在所述第一衬底的所述空腔中提供非挥发性前体材料；
将第二衬底接合到所述第一衬底的所述第一侧以形成包含所述空腔中的所述非挥发性前体材料的密封空腔；及
在形成所述密封空腔之后或期间活化所述前体材料以在所述密封空腔内部释放目标气体。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在接合所述第一及第二衬底之前：
在所述第二衬底的底部侧上形成导电材料；
穿过所述第二衬底的所述底部侧上的所述导电材料蚀刻第一及第二间隔孔；
在所述第二衬底的顶部侧上形成第一及第二导电耦合结构；以及
将所述第二衬底的所述底部侧接合到所述第一衬底的所述第一侧以形成所述密封空腔。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述空腔中提供所述非挥发性前体材料包含执行原子层沉积ALD或分子层沉积MLD工艺，其在接合所述第一及第二衬底之前将所述非挥发性前体材料沉积在所述空腔的内面上。
4.根据权利要求3所述的方法，
其中执行所述ALD或MLD工艺包含在接合所述第一及第二衬底之前使有机金属化合物与水反应以在所述空腔的所述内面上形成部分完整金属氧化物前体材料；且
其中在形成所述密封空腔之后活化所述前体材料包含加热所述密封空腔以在所述密封空腔内部释放所述目标气体。
5.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述ALD或MLD工艺包含在接合所述第一及第二衬底之前使有机铝化合物与水反应以在所述空腔的所述内面上形成部分完整铝氧化物前体材料。
6.根据权利要求4所述的方法，
其中执行所述ALD或MLD工艺包含在接合所述第一及第二衬底之前，使三甲基铝与水在大约200摄氏度或更低的第一温度下反应，以在所述空腔的所述内面上形成部分完整氧化铝前体材料；且
其中在形成所述密封空腔之后活化所述前体材料包含在大约350摄氏度或更高的第二温度下加热所述密封空腔以在所述密封空腔内部释放所述目标气体。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述空腔中提供所述非挥发性前体材料包含在接合所述第一及第二衬底之前将固体聚合物前体材料放置在所述空腔中。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述空腔中提供所述非挥发性前体材料包含在接合所述第一及第二衬底之前将刚性转子分子的固体聚合前体放置在所述空腔中。
9.根据权利要求8所述的方法，
其中在所述空腔中提供所述非挥发性前体材料包含在接合所述第一及第二衬底之前将固体氰化氢、氰基乙炔或戊二烯腈前体材料放置在所述空腔中；且
其中在形成所述密封空腔之后活化所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·J·雅各布斯，J·A·赫布佐默，A·J·弗吕林，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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