一种结构简单的振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种结构简单的振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低，振荡器功耗低精度高，可运用在多种用途的芯片中。

A simple oscillator

【技术实现步骤摘要】
一种结构简单的振荡器
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及到振荡器。
技术介绍
如图1所示，是市场上现有振荡器的设计常用方法电路。市场上现有设计调频调占空比的振荡器往往需要两个比较器来实现，通过恒定电流I1给电容C1充电，使得比较器的一端从电压0V升到Vref电压所需的时间即为Ton或Toff时间；通过恒定电流I2给电容C2充电，使得比较器的一端从电压0V升到Vref电压所需的时间即为Toff或Ton时间，从而最后实现频率可调，占空比可调。如图2所示，是现有另一种实现该种振荡器的设计常用方法电路。其调频调占空比的振荡器通过两个施密特触发器来实现导通时间设定和关断时间设定。现有的振荡器元器件多，结构复杂，其调频方式不容易掌握，性能低。
技术实现思路
本专利提供的一种结构简单的振荡器，采用简单的电路元件和一个施密特触发器组成，功耗非常低，方便调节振荡器的频率。本专利方案提供一种结构简单的振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结构简单的振荡器，其特征在于，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC；/n第一电阻R1的一端接电源电压VDD，另一端接第一NMOS管N1的漏级，第一NMOS管N1的栅级接第二NMOS管N2的栅级、施密特触发器SMT的输出端、以及反相器INV1的输入端，第一NMOS管N1的源极接第二NMOS管N2漏/源极、以及第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端接地，第二电容C2的一端接电源电压，另一端接第二NMOS管N2的源/漏极、第三NMOS管N3的漏/源极、...

【技术特征摘要】
1.一种结构简单的振荡器，其特征在于，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC；
第一电阻R1的一端接电源电压VDD，另一端接第一NMOS管N1的漏级，第一NMOS管N1的栅级接第二NMOS管N2的栅级、施密特触发器SMT的输出端、以及反相器INV1的输入端，第一NMOS管N1的源极接第二NMOS管N2漏/源极、以及第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端接地，第二电容C2的一端接电源电压，另一端接第二NMOS管N2的源/漏极、第三NMOS管N3的漏/源极、以及所述施密特触发器SMT的输入端；反相器INV1的输出端接第三NMOS管N3的栅级，第三NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩旭善，陈长兴，
申请(专利权)人：广州裕芯电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44