一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料制造技术

本发明专利技术属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料；所述光伏薄膜材料的制备原料包括：纳米尖晶石型粉体、纳米铜铟镓粉体；其制备方法简单，克服了以往各种方法步骤多、后处理困难、产率低等缺点。同时具有光电转化效率高、原材料及生产设备成本低的优点，适宜进行工业化生产。

A photovoltaic thin film material for solar cells

【技术实现步骤摘要】
一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料。
技术介绍
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。近几年，太阳能电池成为了全球热门的研究课题，业界也普遍认为太阳能电池的发展已经进入了第三代--薄膜太阳能电池。(第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。)1953年由Hahn首次合成出CIS。1974年Wagner等人制备出p型的CIS单晶，在CIS单晶上蒸发n型的CdS层，制出第一块CIS太阳能电池，光电转换效率为12％。1981年，Boeing公司采用多元共蒸发沉积技术制备多晶CIS薄膜太阳能电池的效率为9.4％。Acrosolar于1987年提出硒化法制备多晶CIS薄膜的新技术，相对于多元共蒸发方法更简单，成本更低。从20世纪80年代开始，人们发现在CIS中加入Ga元素能够提高禁带宽度，能够更有效地吸收太阳能，获得更高的转换效率。美本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料，所述光伏薄膜材料的制备原料包括：纳米尖晶石型粉体、纳米铜铟镓粉体。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于太阳能电池的光伏薄膜材料，所述光伏薄膜材料的制备原料包括：纳米尖晶石型粉体、纳米铜铟镓粉体。


2.如权利要求1所述的光伏薄膜材料，其特征在于，按照重量份数计，所述光伏薄膜材料的制备原料包括：纳米尖晶石型粉体2-10份、纳米铜铟镓粉体90-120份。


3.如权利要求1所述的光伏薄膜材料，其特征在于，所述纳米尖晶石型粉体由MCl2和NCl3制备而成；其中，M＝Mg、Cu、Ni、Zn或Cd中的任一种；N＝Al、Co、Cr或Ga中的任一种。


4.如权利要求3所述的光伏薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将MCl2和NCl3混合，溶于醇-水溶液中，调节pH值至8-9，得到复合氢氧化物前躯体；将复合氢氧化物前躯体水洗，加入PEG，在乙醇中回流，干燥后研磨，焙烧，制得纳米尖晶石型粉体A；
(2)配制Cu(NO3)2、In(NO3)3和Ga(NO3)3溶液，混合，加入助剂；加热，调节pH值至7.5-10.5；抽滤，用乙醇溶液洗涤；干燥，煅烧，冷却，制得纳米金属氧化物粉末B；
(3)将A和B混合，加入分散剂，球磨，添加助剂，超声，制得纳米复合墨水；
取基底进行油污处理后，超声，烘干；把纳米复合墨水喷涂到基底表面，待墨水流平后干燥，而制得纳米复合薄膜；
(4)高温处理纳米复合薄膜，还原，得到合金薄膜；
(5)对合金薄膜进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵明，戴国清，佘金荣，
申请(专利权)人：莆田市威特电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35