OLED显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的有源层；栅绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；栅极层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。本发明专利技术的技术方案能够解决显示装置存储电容电容值过小的技术问题。

OLED display substrate and its manufacturing method and display device

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
显示器分辨率升级是显示行业发展的大趋势。随着显示屏尺寸变大，分辨率变高，相应的，显示面板中电源走线的压降也会变大，为了减小电源走线的压降，相关技术会采用较厚的金属走线作为电源走线。相关技术中，电源走线位于有源层和源/漏金属层之间的介电层内，随着电源走线的厚度增加，该介电层的厚度也需要相应增加。然而，相关技术中，像素结构中的存储电容通常由部分有源层与部分源/漏金属层组成，随着有源层和源/漏金属层之间介电层厚度的增加，像素结构中的存储电容的电容值会相应减小，从而导致不能满足显示面板的需求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够解决显示装置存储电容电容值过小的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED显示基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的有源层；栅绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；栅极层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。可选的，还包括：位于所述有源层朝向所述衬底基板一侧的缓冲层；位于所述缓冲层朝向所述衬底基板一侧的遮光金属层，所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述遮光金属层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第二存储电容。可选的，所述有源层包括：半导体部，所述半导体部在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；位于所述半导体部两端的导体部。可选的，还包括：位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的层间介电层，覆盖所述栅绝缘层和所述栅极层，其中，所述缓冲层、所述层间介电层上设置有第一过孔，所述第一过孔的正投影覆盖至少部分所述遮光金属层，所述层间介电层上设置有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔的正投影覆盖至少部分所述导体部，所述第三过孔的正投影覆盖至少部分所述栅极层；位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的源漏金属层，用于形成驱动晶体管的源极、漏极以及导电连接线，所述导电连接线通过所述第一过孔与所述遮光金属层连接，通过所述第三过孔与所述栅极层连接，所述源极和所述漏极分别通过所述第二过孔与所述半导体部两端的导体部连接。可选的，还包括：位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的钝化层，覆盖所述源漏金属层；位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的彩膜层；位于所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的平坦层，覆盖所述彩膜层；其中，所述平坦层、所述钝化层上设置有第四过孔，所述第四过孔的正投影覆盖至少部分所述漏极；位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的第一电极，所述第一电极通过所述第四过孔与所述漏极电连接；位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的像素限定层，包括像素开口区，所述像素开口区的正投影位于所述彩膜层内；位于所述像素开口区内的发光层；位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的第二电极。可选的，所述栅极层包括层叠设置的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形包括与所述金属图形不重叠的第一部分，所述OLED显示基板的像素开口区在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示装置，包括如上所述的OLED显示基板以及用于封装所述OLED显示基板的封装层。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成有源层；形成栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；形成栅极层，所述栅极层位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。可选的，形成所述有源层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成遮光金属层；在所述衬底基板上形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述遮光金属层，所述有源层位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧，其中，所述遮光金属层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第二存储电容。可选的，形成所述栅极层包括：形成层叠设置的透明导电图形和金属图形，所述透明导电图形包括与所述金属图形不重叠的第一部分，所述OLED显示基板的像素开口区在所述衬底基板上的正投影落入所述第一部分在所述衬底基板上的正投影内。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，OLED显示基板的栅极层与有源层组成OLED显示基板的第一存储电容，第一存储电容包括栅极层、有源层和位于栅极层和有源层之间的栅绝缘层，不受有源层和源/漏金属层之间介电层厚度的影响，由于栅绝缘层的厚度一般都比较小，从而可以形成较大的电容值。附图说明图1为本专利技术实施例OLED显示基板的像素结构示意图；图2-图7为本专利技术实施例OLED显示基板的制作方法的流程示意图；图8为本专利技术实施例OLED显示基板的存储电容的示意图。附图标记1遮光金属层2有源层3透明导电图形4金属图形5过孔6漏极7源极8彩膜层9平坦层10第二过孔11第一电极12像素界定层13发光层14第二电极20衬底基板21导体部22栅绝缘层23光刻胶24层间介电层25缓冲层26钝化层27第四过孔28栅极层具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。相关技术中，像素结构中的存储电容通常由部分有源层与部分源/漏金属层组成，有源层和源/漏金属层之间介电层的厚度通常可达6000埃，厚度比较大，导致像素结构中的存储电容的电容值会比较小，从而导致不能满足显示装置的需求。本专利技术的实施例提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够解决显示装置存储电容电容值过小的技术问题。本专利技术的实施例提供一种OLED显示基板，如图1和图7所示，包括：衬底基板20；位于所述衬底基板20上的有源层2；栅绝缘层22，位于所述有源层2远离所述衬底基板20的一侧；栅极层，位于所述栅绝缘层20远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层2在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层2组成所述OLED显示基板的第一存储电容。本实施例中，OLED显示基板的栅极层与有源层组成OLED显示基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板上的有源层；/n栅绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；/n栅极层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。/n

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的有源层；
栅绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
栅极层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。


2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述有源层朝向所述衬底基板一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层朝向所述衬底基板一侧的遮光金属层，所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述遮光金属层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第二存储电容。


3.根据权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述有源层包括：
半导体部，所述半导体部在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；
位于所述半导体部两端的导体部。


4.根据权利要求3所述的OLED显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的层间介电层，覆盖所述栅绝缘层和所述栅极层，其中，所述缓冲层、所述层间介电层上设置有第一过孔，所述第一过孔的正投影覆盖至少部分所述遮光金属层，所述层间介电层上设置有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔的正投影覆盖至少部分所述导体部，所述第三过孔的正投影覆盖至少部分所述栅极层；
位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的源漏金属层，用于形成驱动晶体管的源极、漏极以及导电连接线，所述导电连接线通过所述第一过孔与所述遮光金属层连接，通过所述第三过孔与所述栅极层连接，所述源极和所述漏极分别通过所述第二过孔与所述半导体部两端的导体部连接。


5.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的钝化层，覆盖所述源漏金属层；
位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的彩膜层；
位于所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的平坦层，覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，林奕呈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11