【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
显示器分辨率升级是显示行业发展的大趋势。随着显示屏尺寸变大，分辨率变高，相应的，显示面板中电源走线的压降也会变大，为了减小电源走线的压降，相关技术会采用较厚的金属走线作为电源走线。相关技术中，电源走线位于有源层和源/漏金属层之间的介电层内，随着电源走线的厚度增加，该介电层的厚度也需要相应增加。然而，相关技术中，像素结构中的存储电容通常由部分有源层与部分源/漏金属层组成，随着有源层和源/漏金属层之间介电层厚度的增加，像素结构中的存储电容的电容值会相应减小，从而导致不能满足显示面板的需求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够解决显示装置存储电容电容值过小的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED显示基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的...
【技术保护点】
1.一种OLED显示基板，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n位于所述衬底基板上的有源层；/n栅绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；/n栅极层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。/n
【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的有源层；
栅绝缘层，位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧；
栅极层，位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述栅极层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述栅极层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第一存储电容。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述有源层朝向所述衬底基板一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层朝向所述衬底基板一侧的遮光金属层，所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域，所述遮光金属层与所述有源层组成所述OLED显示基板的第二存储电容。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述有源层包括：
半导体部，所述半导体部在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域；
位于所述半导体部两端的导体部。
4.根据权利要求3所述的OLED显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的层间介电层，覆盖所述栅绝缘层和所述栅极层，其中，所述缓冲层、所述层间介电层上设置有第一过孔，所述第一过孔的正投影覆盖至少部分所述遮光金属层，所述层间介电层上设置有第二过孔和第三过孔，所述第二过孔的正投影覆盖至少部分所述导体部，所述第三过孔的正投影覆盖至少部分所述栅极层；
位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的源漏金属层，用于形成驱动晶体管的源极、漏极以及导电连接线，所述导电连接线通过所述第一过孔与所述遮光金属层连接，通过所述第三过孔与所述栅极层连接，所述源极和所述漏极分别通过所述第二过孔与所述半导体部两端的导体部连接。
5.根据权利要求4所述的OLED显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述层间介电层远离所述衬底基板一侧的钝化层，覆盖所述源漏金属层；
位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的彩膜层；
位于所述彩膜层远离所述衬底基板一侧的平坦层，覆...
【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，林奕呈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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