【技术实现步骤摘要】
背板提高开口率的方法、制作方法、背板及显示面板
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种背板提高开口率的方法、制作方法、背板及显示面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDionde，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。其中，对于OLED背板而言，开口率作为衡量其优劣的重要参数之一，图1为一种现有OLED背板的截面图，如图1所示，包括衬底1000、形成在衬底上的金属屏蔽层600和存储电容的下极板800、覆盖金属屏蔽层600和下极板800的缓冲层900、形成在缓冲层上对应于金属屏蔽层600位置的第一氧化物半导体层700和对应于下极板800位置的第二氧化物半导体层705、在第一氧化物半导体层700上形成的栅极绝缘层500、在栅极绝缘层500上形成的栅极400、覆盖所述栅极400和第二氧化物半导体层705的层间介电层300、在层间介电层300上形成的金属走线200以及覆...
【技术保护点】
1.一种OLED背板提高开口率的方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成金属屏蔽层；/n形成覆盖所述金属屏蔽层的缓冲层；/n在所述缓冲层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述金属屏蔽层在所述衬底上的投影关系对应；/n贯穿所述氧化物半导体层形成开孔，露出所述缓冲层，所述开口将所述氧化物半导体层分成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；/n在所述第一氧化物半导体层上形成栅极绝缘层；/n在所述栅极绝缘层上形成栅极；/n形成层间介电层，覆盖所述栅极、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和所述开孔；/n去除所述开孔上方的层间介电层形成第一接触孔并去除所述开孔中填充的层间介...
【技术特征摘要】
1.一种OLED背板提高开口率的方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成金属屏蔽层；
形成覆盖所述金属屏蔽层的缓冲层；
在所述缓冲层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述金属屏蔽层在所述衬底上的投影关系对应；
贯穿所述氧化物半导体层形成开孔，露出所述缓冲层，所述开口将所述氧化物半导体层分成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；
在所述第一氧化物半导体层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
形成层间介电层，覆盖所述栅极、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和所述开孔；
去除所述开孔上方的层间介电层形成第一接触孔并去除所述开孔中填充的层间介电层以及所述开孔下方的缓冲层形成第二接触孔，从而露出所述金属屏蔽层；
在所述第二接触孔和所述第一接触孔中形成连接金属；
在对应于所述第二氧化物半导体层的所述层间介电层上形成金属走线，与所述连接金属电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一接触孔和所述第二接触孔在垂直于所述衬底的截面均为倒梯形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述第一接触孔的所述截面的底边长度a不小于所述第二接触孔的所述截面的底边长度b。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
0≤a-b≤10μm。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，
所述氧化物半导体层的材料包括IGZO、IZO或ITZO；
所述金属屏蔽层的材料包括ITO、Cu或Al。
6.一种OLED背板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成金属屏蔽层；
形成覆盖所述金属屏蔽层的缓冲层；
在所述缓冲层上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层与所述金属屏蔽层在所述衬底上的投影关系对应；
贯穿所述氧化物半导体层形成开孔，露出所述缓冲层，所述开孔将所述氧化物半导体层分成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；
在所述第一氧化物半导体层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
形成层间介电层，覆盖所述栅极、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和所述开孔；
去除所述开孔上方的层间介电层形成第一接触孔并去除所述开孔中填充的层间介电层以及所述开孔下方的缓冲层形成第二接触孔，从而露出所述金属屏蔽层；
在所述第二接触孔和所述第一接触孔中形成连接金属；
在对应于所述第二氧化物半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王东方，苏同上，李广耀，闫梁臣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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