【技术实现步骤摘要】
一种超快激光直写配合激光抛光制备中阶梯光栅的方法
本专利技术涉及到激光加工领域，尤其涉及到一种超快激光直写制备中阶梯光栅以及激光抛光光栅表面的方法。
技术介绍
中阶梯光栅作为一种周期在几十微米到几百微米的光栅，槽形为三角形，由于其具有大的衍射角、很高的衍射级次、很高的分辨本领以及高的角色散率等特点，在天文高分辨率光谱仪、天文望远镜、波分复用器等诸多领域中有着重要的作用，因而对中阶梯光栅的制备研究就显得很有必要。当前，中阶梯光栅的制备方法主要有机械刻划法、单晶硅湿法刻蚀法、离子束刻蚀法。机械刻蚀法是利用刻刀在材料表面进行刻划，使材料发生弹性变形以及塑性变形，加工过程包含犁切、挤压隆起、成槽、材料回弹与稳定四个阶段。然而机械刻划法对刻刀损伤严重，同时刻划过程中会产生刻划误差，对表面质量会有很大影响，成本高，效率低。单晶硅湿法刻蚀法是利用单晶硅各向异性腐蚀的特点，制备出的光栅面光滑、平整、粗糙度低。然而，湿法刻蚀法需要使用光刻胶和腐蚀液，对环境影响较大。离子束刻蚀法是利用具有能量的离子束轰击带有掩模...
【技术保护点】
1.一种超快激光直写技术配合激光抛光技术制备中阶梯光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过超快激光直写制备中阶梯光栅粗胚，使用一定参数的激光对中阶梯光栅粗胚表面进行抛光，得到中阶梯光栅。/n
【技术特征摘要】
1.一种超快激光直写技术配合激光抛光技术制备中阶梯光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过超快激光直写制备中阶梯光栅粗胚，使用一定参数的激光对中阶梯光栅粗胚表面进行抛光，得到中阶梯光栅。
2.根据权利要求1所述的超快激光直写技术配合激光抛光技术制备中阶梯光栅的方法，其特征在于，中阶梯光栅包括数个依次连接的三角形槽。
3.根据权利要求2所述的超快激光直写技术配合激光抛光技术制备中阶梯光栅的方法，其特征在于，三角形槽的宽度为几十到几百微米，具有较高的衍射级次。
4.根据权利要求2所述的超快激光直写技术配合激光抛光技术制备中阶梯光栅的方法，其特征在于，三角形槽的制备刻写步骤如下：
步骤一：先设计好所需三角形槽的形状；
步骤二：根据三角形槽的形状选择构成该槽需要刻写的线条数目和线条间距；
步骤三：针对每一线条确定对应的脉冲能量与脉冲个数，即每一条线需要激光刻写的深度；
步骤四：每一线条都刻写完后就得到了所需的三角形槽粗胚。
5.根据权利要求1至4任一项所述的超快激光直写技术配合激光抛光技术制备中阶梯光栅的方法，其特征在于，使用一定参数的激光对中阶梯光栅表面进行抛光的步骤包括如下：
步骤一：选定要抛光的中阶梯光栅；
步骤二：将中阶梯光栅置于超声清洗装置中震荡清洗，去除表面污染物后烘干；
步骤三：清洗结束的中阶梯光栅放置于超快激光中进行抛光，得到抛光后的中阶梯光栅。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：任云鹏，葛亮，任旭东，辛志铎，陆恒，李致宇，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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