【技术实现步骤摘要】
存储装置及操作存储装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月11日提交的申请号为10-2018-0159496的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，且更特别地，涉及一种存储装置和操作该存储装置的方法。
技术介绍
存储装置在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据。存储装置可包括存储数据的存储器装置和控制该存储器装置的存储器控制器。这种存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在供应电力时存储数据；当电力供应中断时，丢失所存储的数据。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。即使在电力供应中断时，非易失性存储器装置也保持所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)以及闪速存储器。
技术实现思路
本公开的各个...
【技术保护点】
1.一种存储器控制器，所述存储器控制器控制包括多个存储器单元的存储器装置，所述存储器控制器包括：/n工作负载确定电路，当对所述存储器单元执行的读取操作失败时，基于用于读取所述多个存储器单元的最佳读取电压来确定指示所述存储器装置的操作模式的工作负载状态；以及/n操作环境设置电路，基于所述工作负载状态来设置所述存储器装置的操作环境。/n
【技术特征摘要】
20181211 KR 10-2018-01594961.一种存储器控制器，所述存储器控制器控制包括多个存储器单元的存储器装置，所述存储器控制器包括：
工作负载确定电路，当对所述存储器单元执行的读取操作失败时，基于用于读取所述多个存储器单元的最佳读取电压来确定指示所述存储器装置的操作模式的工作负载状态；以及
操作环境设置电路，基于所述工作负载状态来设置所述存储器装置的操作环境。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述工作负载状态指示在所述操作模式中是否执行比在默认操作模式中更多的读取操作。
3.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中所述工作负载确定电路基于偏移量来确定所述工作负载状态，所述偏移量是默认读取电压和基于所述默认读取电压所确定的所述最佳读取电压之间的差值。
4.根据权利要求3所述的存储器控制器，其中所述工作负载确定电路包括：
工作负载表，存储工作负载参考信息，所述工作负载参考信息指示分别对应于多个参考间隔的多个工作负载状态；
工作负载状态确定电路，基于所述多个参考间隔之中的选择参考间隔来确定多个样本工作负载状态；
状态信息存储装置，存储指示所述多个样本工作负载状态的工作负载状态信息；以及
状态信息计数器，对所述多个样本工作负载状态进行计数以生成计数数量。
5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中所述状态信息计数器在所述计数数量等于或大于参考数量时生成状态输出信号。
6.根据权利要求5所述的存储器控制器，
其中所述工作负载状态确定电路响应于所述状态输出信号来确定最终工作负载状态，并将所述工作负载状态提供到所述操作环境设置电路，并且
其中所述最终工作负载状态是所述多个样本工作负载状态之中对应于具有最大偏移量的参考间隔的样本工作负载状态。
7.根据权利要求2所述的存储器控制器，进一步包括：
缓冲器组，包括多个读取缓冲器和多个写入缓冲器；以及
命令队列，使命令排队并将所述命令输出到所述存储器装置。
8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中所述操作环境设置电路包括：
操作环境设置表，存储关于读取缓冲器的数量或写入缓冲器的数量的调整的缓冲器控制信息，并且存储指示在所述命令队列中排队的所述命令的排队顺序的命令队列控制信息；
缓冲器控制器，基于所述缓冲器控制信息和所述最终工作负载状态来调整所述读取缓冲器的数量或所述写入缓冲器的数量；以及
命令队列控制器，基于所述命令队列控制信息和所述最终工作负载状态来调整所述排队顺序。
9.根据权利要求8所述的存储器控制器，其中所述命令队列控制器调整所述排队顺序，使得所述命令中的至少一个读取命令先于最初早于所述至少一个读取命令排队的写入命令输出到所述存储器装置。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林秀晋，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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