具备多重置机制的光电侦测装置制造方法及图纸

技术编号:24571753 阅读:50 留言:0更新日期:2020-06-20 23:50
一种光电侦测装置,包含一光电转换器、一迭接晶体管以及一重置晶体管。该光电转换器具有一第一输出端,该光电转换器配置以将一入射光转换为一电信号。该迭接晶体管具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该迭接晶体管的该第二通道端耦接于该光电转换器的该第一输出端。该重置晶体管具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该重置晶体管的该第一通道端耦接于一电源电压且该重置晶体管的该第二通道端耦接于该迭接晶体管的该第一通道端。

Photoelectric detector with multi reset mechanism

【技术实现步骤摘要】
具备多重置机制的光电侦测装置
本专利技术关于一种光电侦测装置,尤其关于一种具备多重置机制的光电侦测装置。
技术介绍
光电侦测装置可用于侦测入射光并且将入射光转换为电信号,使其可进一步被其他电路处理。光电侦测器可用于消费电子产品、图像传感器、数据通信、飞时测距(time-of-flight,ToF),光学雷达(lightdetectionandranging,LiDAR)、医疗设备以及许多其他适当的应用中。然而,当光电侦测器以单个或数组配置来应用于这些用途时,漏电流(leakagecurrent)和暗电流(darkcurrent)可能会降低性能,例如增加功耗并降低信噪比。
技术实现思路
本专利技术的第一实施方式公开了一种光电侦测装置,包含一光电转换器(optical-to-electricconverter)、一迭接(cascode)晶体管、一重置晶体管。该光电转换器具有一第一输出端,该光电转换器配置以将一入射光转换为一电信号。该迭接晶体管,具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该迭接晶体管的该第二通道端耦接于该光电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电侦测装置,其特征在于,包含:/n一光电转换器,具有一第一输出端,该光电转换器配置以将一入射光转换为一电信号;/n一迭接晶体管,具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该迭接晶体管的该第二通道端耦接于该光电转换器的该第一输出端;以及/n一重置晶体管,具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该重置晶体管的该第一通道端耦接于一电源电压且该重置晶体管的该第二通道端耦接于该迭接晶体管的该第一通道端。/n

【技术特征摘要】
20181212 US 62/778,291;20190219 US 62/807,250;20191.一种光电侦测装置,其特征在于,包含:
一光电转换器,具有一第一输出端,该光电转换器配置以将一入射光转换为一电信号;
一迭接晶体管,具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该迭接晶体管的该第二通道端耦接于该光电转换器的该第一输出端;以及
一重置晶体管,具有一控制端、一第一通道端以及一第二通道端,其中该重置晶体管的该第一通道端耦接于一电源电压且该重置晶体管的该第二通道端耦接于该迭接晶体管的该第一通道端。


2.如权利要求1所述的光电侦测装置,其特征在于,该光电转换器的该第一输出端实质上操作于一恒压。


3.如权利要求1所述的光电侦测装置,其特征在于,该光电转换器包含形成于一半导体基板之上的一吸光材质,其中该吸光材质为不同于该半导体基板的一种材质。


4.如权利要求3所述的光电侦测装置,其特征在于,该吸光材质为Ge1-xSix,其中0≤x<1,且该半导体基板为硅。


5.如权利要求1所述的光电侦测装置,其特征在于,该光电转换器另包含:
一光电二极管,配置以将该入射光转换为该电信号;
一第一开关,配置以根据一第一开关信号将该电信号输出至该第一输出端;以及
一第二开关,配置以根据一第二开关信号将该电信号输出至该光电转换器的一第二输出端。


6.如权利要求5所述的光电侦测装置,其特征在于,该光电二极管包含一N型掺杂区以及一P型掺杂区,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:那允中梁哲夫陈建龙吕元復卢彦丞
申请(专利权)人:美商光程研创股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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