一种快速启动电路与方法技术

本发明专利技术公开了一种快速启动电路与方法，主要解决现有启动电路功耗与启动速度不兼具的问题。该电路主要通过对电容C和负载电容Cload进行充放电实现电路节点的电压的快速建立；当电路使能EN从0变成1时，晶体管MP4的栅端电压从0变成1，MP5的栅端电压为0V，MP2开启，MN2关断，MP5通过电阻R对C进行充电，MN3/MN4的栅端电压逐级升高，流过MN3和MN4的电流逐渐增加，对电容Cload进行放电，当负载电容Cload的下极板电压达到工作电压时，晶体管MP3导通，将晶体管MP5的栅极电压上拉到VCC从而关断，流过MN3和MN4的电流为零，电路启动完成。使得主电路工作以后会自动关闭启动部分，不需要逻辑电路的硬切换，不增加电路的静态工作电流，在降低功耗的同时又兼具快速启动功能。

【技术实现步骤摘要】
一种快速启动电路与方法
本专利技术涉及集成电路
，具体地说，是涉及一种快速启动电路与方法。
技术介绍
在集成电路中，电路的启动速度决定了电路从关闭状态到正常工作之间的建立时间。启动电路需要在电路使能之后提供较大的电流迅速将电路建立到正常工作的电压点，电路正常工作之后，启动电路需要自动关闭，不能增加电路的静态工作电流。现有的启动电路，其启动速度快和功耗低是相矛盾的，即启动速度快了，对应的功耗也会增加，如果功耗降低了，那么启动速度也会相应变慢。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种快速启动电路与方法，主要解决现有启动电路功耗与启动速度不兼具的问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种快速启动电路，包括P型晶体管MP0～MP5，N型晶体管MN0～MN4，电阻R，以及负载电容Cload和电容C；所述晶体管MP0的源极接VCC，漏极与所述晶体管MN0的漏极相接，所述晶体管MP0的栅极与晶体管MN0栅极相接并接入启动电路的使能信号EN，晶体管MN0的源极接地；所述晶体管MP1的源极接VC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速启动电路，其特征在于，包括P型晶体管MP0～MP5，N型晶体管MN0～MN4，电阻R，以及负载电容Cload和电容C；所述晶体管MP0的源极接VCC，漏极与所述晶体管MN0的漏极相接，所述晶体管MP0的栅极与晶体管MN0栅极相接并接入启动电路的使能信号EN，晶体管MN0的源极接地；所述晶体管MP1的源极接VCC，漏极接所述晶体管MP4的栅极和晶体管MN1的漏极，栅极接晶体管MP0和MN0的漏极；所述晶体管MN1的源极接地，栅极接晶体管MP1、MP2、MN2的栅极；所述晶体管MP2的源极接VCC，漏极接晶体管MP5的源极；所述晶体管MP3的源极接VCC，漏极接晶体管MP4的源极、MP...

【技术特征摘要】
1.一种快速启动电路，其特征在于，包括P型晶体管MP0～MP5，N型晶体管MN0～MN4，电阻R，以及负载电容Cload和电容C；所述晶体管MP0的源极接VCC，漏极与所述晶体管MN0的漏极相接，所述晶体管MP0的栅极与晶体管MN0栅极相接并接入启动电路的使能信号EN，晶体管MN0的源极接地；所述晶体管MP1的源极接VCC，漏极接所述晶体管MP4的栅极和晶体管MN1的漏极，栅极接晶体管MP0和MN0的漏极；所述晶体管MN1的源极接地，栅极接晶体管MP1、MP2、MN2的栅极；所述晶体管MP2的源极接VCC，漏极接晶体管MP5的源极；所述晶体管MP3的源极接VCC，漏极接晶体管MP4的源极、MP5的栅极，栅极接负载电容Cload的下端板；所述晶体管MP4的漏极接地；所述晶体管MP5的漏极接电阻R，电阻R的另一端接晶体管MN3的漏极、栅极及晶体管MN2的漏极，晶体管MN3的栅极接晶体管MN2的漏极、晶体管MN4的栅极及电容C，晶体管MN2、MN3、MN4的源极及电容C的另一端接地；所述晶体管MN4的漏极接负载电容Cload的下端板；所述负载电容Cload的上端板接VCC。


2.如权利要求1所述的一种快速启动电路的启动方法，其特征在于，包括如下步骤：
(S1)电路使能后，不同晶体管的栅极端电压发生变化，电容C开始充电；
(S2)随着电容C的电容储能上升，栅极端与电容C相连的的晶体管的电压逐渐升高，流过该晶体管的电流也逐渐增加；
(S3)负载电容开始放电，电路工作点建立；
(S4)负载电容的下极板电压下降到集成电路工作电压时，启动电路关闭，电路启动完成。

【专利技术属性】
技术研发人员：肖哲飞，
申请(专利权)人：上海南芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31