【技术实现步骤摘要】
一种IGBT功率模块的安装机构
本技术涉及IGBT功率模块
,具体为一种IGBT功率模块的安装机构。
技术介绍
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT功率模块使用前需要将其进行安装,安装IGBT功率模块需要用到安装机构,但是,现有IGBT功率模块的安装机构操作时繁琐,不方便使用者安装IGBT功率模块,浪费了使用者大量的时间,降低了IGBT功率模块安装的效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种IGBT功率模块的安装机构,具备方便安装的优点,解决了现有IGBT功率模块的安 ...
【技术保护点】
1.一种IGBT功率模块的安装机构,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)内部的两侧均开设有容纳槽(2),所述容纳槽(2)的内壁固定连接有第一轴承(3),所述第一轴承(3)的内部固定连接有蜗杆(4),所述蜗杆(4)的外端贯穿至底座(1)的外部固定连接有转盘(5),所述容纳槽(2)内壁的背面固定连接有第二轴承(6),所述第二轴承(6)的内部固定连接有转轴(7),所述转轴(7)的表面固定连接有蜗轮(8),所述蜗轮(8)与蜗杆(4)啮合,所述转轴(7)的前端固定连接有圆盘(9),所述圆盘(9)的正面固定连接有传动杆(10),所述容纳槽(2)的内部横向固定连接有滑杆(11),所 ...
【技术特征摘要】
1.一种IGBT功率模块的安装机构,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)内部的两侧均开设有容纳槽(2),所述容纳槽(2)的内壁固定连接有第一轴承(3),所述第一轴承(3)的内部固定连接有蜗杆(4),所述蜗杆(4)的外端贯穿至底座(1)的外部固定连接有转盘(5),所述容纳槽(2)内壁的背面固定连接有第二轴承(6),所述第二轴承(6)的内部固定连接有转轴(7),所述转轴(7)的表面固定连接有蜗轮(8),所述蜗轮(8)与蜗杆(4)啮合,所述转轴(7)的前端固定连接有圆盘(9),所述圆盘(9)的正面固定连接有传动杆(10),所述容纳槽(2)的内部横向固定连接有滑杆(11),所述滑杆(11)的表面滑动连接有滑环(12),所述滑环(12)的底部固定连接有与传动杆(10)配合使用的移动框(13),所述滑环(12)的顶部固定连接有移动板(14),所述移动板(14)的顶部贯穿至底座(1)的外部,所述移动板(14)内侧的顶部固定连接有卡杆(15),所述底座(1)的顶部设置有IGBT功率模块本体(16),所述IGBT功率模块本体(16)两侧的底部均开设有卡槽(17),所述卡杆(15)远离移动板(14)的一端延伸至卡槽(17)的内部。
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【专利技术属性】
技术研发人员:薛芳峰,吴方军,乔德定,严建华,喻建华,吴恒华,郑树根,
申请(专利权)人:德兴市意发功率半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:江西;36
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