一种全电压的光电一体化电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种全电压的光电一体化电路。目前市面上的方案高低压切换存在迟滞现象容易导致MOS炸裂问题。本实用新型专利技术涉及一种全电压的光电一体化电路，其中：120‑240VAC的交流输入线与整流桥相连，产生全波整流信号波形，LED1和驱动芯片直接由整流后的DC电压通过R4供电到IC的第3脚。LED1、LED2、LED3、LED4、的电流由四个外部采样电阻R16～R26设置，RS1‑RS6设置总功率电流的下拉电阻。本装置的优点在于：解决了当输入电压大于240V避免烧毁第四段MOS管的问题，从而提升产品的可靠性；与之前市面上的不带AC侦测电路可靠性高；对于产品追求高质量来分析技术含量有了明显的优势。

A photoelectric integrated circuit with full voltage

【技术实现步骤摘要】
一种全电压的光电一体化电路
本技术涉及照明
，尤其是一种全电压的光电一体化电路。
技术介绍
随着近几年LED照明行业爆发式的发展，LED照明企业除了一如既往对灯具的稳定性提出要求以外，更面临来自产品成本与竞争力的压力。就驱动IC而言，未来驱动IC的主流方式将是是更加集成化，简单化；在许多电源驱动企业高层看来，驱动IC的技术已经达到一定的顶峰，拼技术拼价格已经占不到什么便宜，而应该转向提高产品附加值。这意味着由创新带动的新生力军被业内普遍看好，光电一体化的新技术被广泛应用，但基于技术层面的原因还是存在一定的极限性，新的技术应用还是值得我们去探索研究。目前我司采用4段驱动的线性恒功率一体化方案，100瓦的投光灯的输入电压220-240VAC,没办法满足全球客户的市场及客户特殊需求.技术短板：1.老方案输入电压是220-240VAC,输入电压在无法满全球输入电压的要求，使产品局限在输入电压在230VAC的国家；2.目前市面上的方案高低压切换存在迟滞现象容易导致MOS炸裂问题；3.目前市面上的双压方案输入电压在150-180时的产品功率跌落在50％左右，当输入电压大于260VAC时产品功耗增大容易产生炸裂IC问题；4.目前市面上的双压方案无法满足UL、CE、SAA、CQC等认证要求。
技术实现思路
(一)解决的技术问题本技术的目的是克服现有技术的不足，本技术提供了一种全电压的光电一体化电路，采用4段式的线性恒功率IC进行改良灯珠的串并方式，关键的技术是IC的第7脚增加模拟信号来改变恒功率状态；从而减少第四段功耗，达到全压输入最优设计；当高压输入时灯珠处于串联关系，当低压输入时自动变为并联关系。(二)技术方案本技术的技术方案：一种全电压的光电一体化电路，包括AC侦测电路、第一段MOS管控电路、第二段MOS管控电路、第三段MOS管控电路、第四段MOS管控电路；其中：120-240VAC的交流输入线与整流桥相连，产生全波整流信号波形，LED1和驱动芯片直接由整流后的DC电压通过R4供电到IC的第3脚。LED1、LED2、LED3、LED4、的电流由四个外部采样电阻R16～R26设置，RS1-RS6设置总功率电流的下拉电阻。进一步地，AC侦测电路包括：第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、三极管Q14、二极管D2、第一电容C1、第二电容C2,第七电阻R7通过VCC电压基准取样，第十电阻R10可以设置最小功率。进一步地，第一段MOS管控电路包括：第一LED1串、第三电容C3、第二MOS管Q2，第十二电阻R12、第十四电阻R14，第十二电阻R12一端与第二MOS管Q2的栅极相连，另一端连接主控芯片U1的G1端，第一LED1串一端与主控芯片U1的VDD端通过第四电阻R4连接，另一端与第二MOS管Q2的漏极相连，第三电容C3与第二MOS管Q2的漏极连接后接地，第二MOS管Q2的源极通过下拉电阻RS1～RS3后接地，第十四电阻R14一端与主控芯片U1的CS1端相连，另一端与第二MOS管Q2的源极相连。进一步地，第二段MOS管控电路包括：第二LED2串、第四电容C4、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18和三极管Q13，第二LED2串一端与第一LED1串的一端相连，另一端通过第四电容C4接地，第十七电阻R17与三极管Q13基极均与主控芯片U1的G2端相连，第十七电阻R17另一端与三极管Q13发射极相连，三极管Q13集电极接地，第三MOS管Q3与第四MOS管Q4的栅极均与三极管Q13发射极连接，第三MOS管Q3与第四MOS管Q4的漏极均与第四电容C4一端连接，第三MOS管Q3与第四MOS管Q4的源极分别通过第十六电阻R16和第十八电阻R18经由下拉电阻RS1～RS3后接地，第三MOS管Q3源极端与第四MOS管Q4栅极端通过下拉电阻后连接。进一步地，第三段MOS管控电路包括：第三LED3串、第五电容C5、第五MOS管Q5、第六MOS管Q6、第十三电阻R13、第十五电阻R15、第十九电阻R19、第二十电阻R20，第三LED3串一端与第二LED2串的一端通过超快恢复二极管D3相连，另一端通过第五电容C5接地，第十五电阻R15一端与主控芯片U1的G3端相连，另一端均与第五MOS管Q5与第六MOS管Q6的栅极连接，第五MOS管Q5与第六MOS管Q6的漏极均与第五电容C5一端连接，第五MOS管Q5与第六MOS管Q6的源极分别通过第十九电阻R19和第二十电阻R20经由下拉电阻RS4～RS6后接地，第十三电阻R13一端与主控芯片U1的CS2端相连，另一端与下拉电阻RS4～RS6一端相连。进一步地，第四段MOS管控电路包括：第四LED4串、第六电容C6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第九MOS管Q9、第十MOS管Q10、第十一MOS管Q11、第二十一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十四电阻R24、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26和三极管Q12,其中第四LED4串一端与第三LED1串的一端相连，另一端通过第六电容C6接地，第二十四电阻R24与三极管Q12基极均与主控芯片U1的G4端相连，第二十四电阻R24另一端与三极管Q12发射极相连，三极管Q12集电极接地，第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第九MOS管Q9、第十MOS管Q10与第十一MOS管Q11的栅极均与三极管Q13发射极连接，第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第九MOS管Q9、第十MOS管Q10与第十一MOS管Q11的漏极均与第六电容C6一端连接，第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第九MOS管Q9、第十MOS管Q10与第十一MOS管Q11的源极分别对应通过第二十一电阻R21、第二十二电阻R22、第二十三电阻R23、第二十五电阻R25、第二十六电阻R26经由下拉电阻RS4～RS6后接地。进一步地，主控芯片U1采用DF6928S线性恒流驱动IC。进一步地，下拉电阻RS1～RS3与下拉电阻RS4～RS6共地。(三)有益效果本技术的优点在于：解决了当输入电压大于240V避免烧毁第四段MOS的问题，从而提升产品的可靠性；与之前市面上的不带AC侦测电路可靠性高；对于产品追求高质量来分析技术含量有了明显的优势；通过试验结果来分析，第一段MOS的温升是最低的，表面温度通常只有85度，第二，第三段温度也不高只有92度左右，第四段通常是136度(计算功耗后143度接近MOS结温150)这样容易击穿MOS管；增加AC侦测电路后每段功率到达平衡状态，这时第四段MOS温度只有102度，从而提高了整体方案的转换效率，使温度达到均衡状态；当AC电压超过270V后开始降功率，但不会偏离到闪灯的现象。附图说明图1为本技术的电路原理图。图2为本技术的全压灯具功率曲线图。图3为现有技术的双压灯具功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全电压的光电一体化电路，包括AC侦测电路、第一段MOS管控电路、第二段MOS管控电路、第三段MOS管控电路、第四段MOS管控电路；其特征在于：120-240VAC的交流输入线与整流桥相连，产生全波整流信号波形，LED1和驱动芯片直接由整流后的DC电压通过R4供电到IC的第3脚，第一LED1串、第二LED2串、第三LED3串、第四LED4串的电流由四个外部采样电阻R16～R26设置，RS1-RS6设置总功率电流的下拉电阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种全电压的光电一体化电路，包括AC侦测电路、第一段MOS管控电路、第二段MOS管控电路、第三段MOS管控电路、第四段MOS管控电路；其特征在于：120-240VAC的交流输入线与整流桥相连，产生全波整流信号波形，LED1和驱动芯片直接由整流后的DC电压通过R4供电到IC的第3脚，第一LED1串、第二LED2串、第三LED3串、第四LED4串的电流由四个外部采样电阻R16～R26设置，RS1-RS6设置总功率电流的下拉电阻。


2.根据权利要求1所述的一种全电压的光电一体化电路，其特征在于：AC侦测电路包括第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、三极管Q14、二极管D2、第一电容C1、第二电容C2,第七电阻R7通过VCC电压基准取样，第十电阻R10可以设置最小功率。


3.根据权利要求1所述的一种全电压的光电一体化电路，其特征在于：第一段MOS管控电路包括第一LED1串、第三电容C3、第二MOS管Q2，第十二电阻R12、第十四电阻R14，第十二电阻R12一端与第二MOS管Q2的栅极相连，另一端连接主控芯片U1的G1端，第一LED1串一端与主控芯片U1的VDD端通过第四电阻R4连接，另一端与第二MOS管Q2的漏极相连，第三电容C3与第二MOS管Q2的漏极连接后接地，第二MOS管Q2的源极通过下拉电阻RS1～RS3后接地，第十四电阻R14一端与主控芯片U1的CS1端相连，另一端与第二MOS管Q2的源极相连。


4.根据权利要求1所述的一种全电压的光电一体化电路，其特征在于：第二段MOS管控电路包括第二LED2串、第四电容C4、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18和三极管Q13，第二LED2串一端与第一LED1串的一端相连，另一端通过第四电容C4接地，第十七电阻R17与三极管Q13基极均与主控芯片U1的G2端相连，第十七电阻R17另一端与三极管Q13发射极相连，三极管Q13集电极接地，第三MOS管Q3与第四MOS管Q4的栅极均与三极管Q13发射极连接，第三MOS管Q3与第四MOS管Q4的漏极均与第四电容C4一端连接，第三MOS管Q3与第四MOS管Q4的源极分别通过第十六电阻R16和第十八电阻R18经由下拉电阻RS1～RS3后接地，第三MOS管Q3源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝瑞明，王海汴，
申请(专利权)人：赣州市众恒光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36