【技术实现步骤摘要】
一种基于单MOSFET斩波的驱动电路
本技术属于驱动电路
，特别是涉及一种基于单MOSFET斩波的驱动电路。
技术介绍
目前市场上主流的底盘车或地刀驱动方案参见图3，该方案是采用H桥的方式驱动底盘车或地刀电机，通过不同桥臂的导通组合实现电机的正反转。由于上桥臂的浮地特性，想要使用4个N型MOSFET就必须要采用专用的半桥或全桥驱动器来实现桥臂的驱动，微控制器MCU需要提供两路互补的PWM波，实现起来较为复杂，并且只能驱动一个电机。短路保护实现通过在电路中串联限流电阻减小短路电流，发生短路时微控制器检测到电流异常增加，则关闭电压输出，反应时间较慢同时正常工作时限流电阻发热严重。采用传统的PWM斩波驱动方式存在以下缺点：1)元器件数量较多，有4个MOSFET、2个驱动芯片，硬件成本较高。2)需要两路互补的PWM波进行驱动控制，增加了控制的复杂性。3)只能驱动一路电机的正反转，无法控制两路电机。4)短路保护方式动作速度较慢，故障时损坏风险较大，同时正常驱动时能耗较高。因此，需要提供一种新的基于单MOS...
【技术保护点】
1.一种基于单MOSFET斩波的驱动电路，其特征在于：其包括将市电整流降压后输出至待驱动电机模块的整流桥电路、微控制器、检测所述整流桥电路输出电压并将其传输给所述微控制器的光耦隔离模块、设置在所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上的MOSFET晶体管、一与门逻辑器、与所述与门逻辑器输出端连接且驱动所述MOSFET晶体管的MOSFET驱动电路，所述微控制器的PWM输出信号与一MOSFET保护电路的输出信号接入所述与门逻辑器的两路输入端。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于单MOSFET斩波的驱动电路，其特征在于：其包括将市电整流降压后输出至待驱动电机模块的整流桥电路、微控制器、检测所述整流桥电路输出电压并将其传输给所述微控制器的光耦隔离模块、设置在所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上的MOSFET晶体管、一与门逻辑器、与所述与门逻辑器输出端连接且驱动所述MOSFET晶体管的MOSFET驱动电路，所述微控制器的PWM输出信号与一MOSFET保护电路的输出信号接入所述与门逻辑器的两路输入端。
2.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路，其特征在于：所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上且位于所述MOSFET晶体管的上游还设置有一霍尔元件，所述霍尔元件采集电流信号输送至所述微控制器。
3.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路，其特征在于：所述待驱动电机模块包括至少一个驱动电机。
4.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢菁锋，敖国辉，顾良杰，
申请(专利权)人：江苏国网自控科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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