一种宽电压的电源电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种宽电压的电源电路，其包括降压电路、升压电路和电压比较控制模块，所述降压电路、升压电路和电压比较控制模块分别与电压输入端连接；所述电压比较控制模块的输出端分别与降压电路、升压电路连接；电压输入后经过电压比较控制电路分为两条或多条通路，高电压通过降压电路降压，低电压通过升压电路升压。采用本实用新型专利技术的技术方案，与传统宽压电路相比，具有更低成本和更宽电压幅度的优势，克服了传统宽压电路只能高压转低压的缺陷，更具有应用简单，可替代性强的特点。

A wide voltage power supply circuit

【技术实现步骤摘要】
一种宽电压的电源电路
本技术涉及电路
，尤其涉及一种宽电压的电源电路。
技术介绍
随着计算机不断发展，计算机的功能性能不断增强，应用环境也不断拓展，电压输入的环境也越来越复杂，很多车载电源甚至还可能出现大幅度的波动，这就要求我们的设计电路能应对这种电源的大幅度变化。现有的宽电压电路大多数都是由高电压转换低电压，大多都无法实现高电压和低电压的兼容设计，或者是实现成本较高，大大限制了宽电压电路设计的应用。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术公开了一种宽电压的电源电路，克服了传统宽压电路只能高压转低压的缺陷。对此，本技术的技术方案为：一种宽电压的电源电路，其包括降压电路、升压电路和电压比较控制模块，所述降压电路、升压电路和电压比较控制模块分别与电压输入端连接；所述电压比较控制模块的输出端分别与降压电路、升压电路连接；电压输入后经过电压比较控制电路分为两条或多条通路，高电压通过降压电路降压，低电压通过升压电路升压。采用此技术方案，宽电压输入后，经过电压比较控制电路分为两条(或多条)通路，高电压通过降压电路降到目标电压，低电压则通过升压电路升到目标电压。电路可以灵活多变，降压、升压可以分级进行。作为本技术的进一步改进，所述电压比较控制模块包括电压比较电路和switch开关，电压输入端分别与降压电路、电压比较电路和switch开关连接，所述switch开关与升压电路连接，所述降压电路、升压电路分别与输出端连接。作为本技术的进一步改进，所述电压比较电路包括电阻R24、电阻R26、电阻R21、电压检测器U2、电容C23、电阻R25、电阻R27、MOS管Q5、电阻R23、电容C24、MOS管Q4、电阻R22、电阻R20、电容C19、电容C20、电容C21和电容C22，所述switch开关包括开关管Q3；电压输入端通过电阻R24与电压检测器U2的SENSE端、电阻R26的一端连接，所述电阻R26的另一端接地；电压检测器U2的VDD端通过电阻R21与电压输入端连接、还通过电容C23接地；电压检测器U2的OUT端与电阻R25连接作为5V电压的输出端，又通过电阻R27连接后接地，又与MOS管Q5的栅极连接，所述MOS管Q5的源极接地，所述MOS管Q5的漏极通过电容C24接地，同时所述MOS管Q5的漏极通过电阻R23作为5V电压的输出端，还与MOS管Q4的栅极连接；MOS管Q4的源极接地，MOS管Q4的漏极通过电阻R22与开关管Q3的栅极连接，MOS管Q4的漏极通过电阻R20与电压输入端连接；开关管Q3的源极与电压输入端连接；开关管Q3的漏极与电容C19、电容C20、电容C21和电容C22的并联电路连接，作为VBOOST端。作为本技术的进一步改进，所述MOS管Q5为N通道增强型MOS场效应晶体管。作为本技术的进一步改进，所述降压电路包括降压电源芯片U1，所述降压电源芯片U1包括IN端、FREQ端、VCC1端、PG端、VCC2端、SYNCO端、EN/SYNC端、CCM/AAM端、PGND端、SGND端、COMP端、SS端、ILIM端、FB端、SENSE+端、SENSE-端、BG端、SW端、BST端和TG端；IN端与电压输入端连接，IN端分别通过电容C1A、电容C1B、电容C1C接地；FREQ端与通过电阻R1接地；VCC1端通过电阻R2连接PG端，又通过C4接地；VCC2端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端作为Vout输出端，VCC2端还通过电容C3接地；SYNCO端通过电阻R15接地；EN/SYNC端通过电阻R16与电压输入端连接，又通过电阻R17、C12的并联电路后接地；CCM/AAM端通过电阻R4、C9的并联电路后接地；PGND端、SGND端连接接地；COMP端与连接电容C5、电阻R5的串联电路连接接地，又通过电容C7接地；SS端通过电容C5接地；ILIM端通过电阻R6接地；FB端通过电阻R9接地，又通过电阻R8与Vout输出端连接，FB端还通过电容C10、电阻R10的串联电路与Vout输出端连接；SENSE-端通过电阻R20与Vout输出端连接；SENSE+端与电阻R19的一端连接，电阻R19的另一端通过电阻R7与Vout输出端连接；BG端通过电阻R12与MOS管M2的栅极连接，MOS管M2的源极接地，MOS管M2的漏极通过R14、C11的串联电路接地，MOS管M2的漏极与SW端连接；SW端通过电感L2与电阻R19的另一端连接；BST端通过电阻R13分别与二极管D1的负极、电容C8的一端连接，电容C8的另一端与SW端连接；二极管D1的正极连接VCC1端；TG端通过电阻R11与MOS管M1的栅极连接，MOS管M1的源极与MOS管M2的漏极连接，MOS管M1的漏极与IN端连接。作为本技术的进一步改进，所述降压电源芯片U1的型号为MP9928。作为本技术的进一步改进，所述升压电路包括电源芯片U1，所述电源芯片U1包括RC端、SS端、DIS/EN端、COMP端、FB端、GND端、ISNS端、GDRV端、VBP端和VDD端；RC端通过电容C3接地，又通过电阻R6与VDD端连接；SS端通过电容C5、电阻R3的串联电路接地；COMP端通过电容C2、电阻R4的串联电路与电阻R5的一端连接，又通过电容C4与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接地；FB端与电阻R5的一端连接，FB端又通过电阻R7与Vout输出端连接；GND端接地；ISNS端通过电容C10接地，ISNS端又通过电阻R10与电阻R11的一端连接，电阻R11的另一端接地；GDRV端通过电阻R9与MOS管Q1的栅极与电阻R连接，MOS管Q1的源极与电阻R11的一端连接，MOS管Q1的漏极与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极作为输出端，二极管D1的负极还通过电容C12、C13的并联电路接地；VBP端通过电容C7接地；VDD端通过电容C9接地，VDD端通过电容C8接地，VDD端通过电感L1与MOS管的漏极连接，VDD端通过电容C1接地，VDD端与电压输入端连接。作为本技术的进一步改进，所述电源芯片的型号为TPS40210。与现有技术相比，本技术的有益效果为：采用本技术的技术方案，与传统宽压电路相比，具有更低成本和更宽电压幅度的优势，克服了传统宽压电路只能高压转低压的缺陷，更具有应用简单，可替代性强的特点。附图说明图1是本技术一种宽电压的电源电路的结构示意图。图2是本技术的电压比较控制模块的电路图。图3是本技术的降压电路的电路图。图4是本技术的升压电路的电路图。具体实施方式下面结合附图，对本技术的较优的实施例作进一步的详细说明。如图1所示，一种宽电压的电源电路，其包括降压电路、升压电路和电压比较控制模块，所述降压电路、升压电路和电压比较控制模块分别与电压输入端连接；所述电压比较控制模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽电压的电源电路，其特征在于：其包括降压电路、升压电路和电压比较控制模块，所述降压电路、升压电路和电压比较控制模块分别与电压输入端连接；所述电压比较控制模块的输出端分别与降压电路、升压电路连接；电压输入后经过电压比较控制电路分为两条或多条通路，高电压通过降压电路降压，低电压通过升压电路升压。/n

【技术特征摘要】
1.一种宽电压的电源电路，其特征在于：其包括降压电路、升压电路和电压比较控制模块，所述降压电路、升压电路和电压比较控制模块分别与电压输入端连接；所述电压比较控制模块的输出端分别与降压电路、升压电路连接；电压输入后经过电压比较控制电路分为两条或多条通路，高电压通过降压电路降压，低电压通过升压电路升压。


2.根据权利要求1所述的宽电压的电源电路，其特征在于：所述电压比较控制模块包括电压比较电路和switch开关，电压输入端分别与降压电路、电压比较电路和switch开关连接，所述switch开关与升压电路连接，所述降压电路、升压电路分别与输出端连接。


3.根据权利要求2所述的宽电压的电源电路，其特征在于：所述电压比较电路包括电阻R24、电阻R26、电阻R21、电压检测器U2、电容C23、电阻R25、电阻R27、MOS管Q5、电阻R23、电容C24、MOS管Q4、电阻R22、电阻R20、电容C19、电容C20、电容C21和电容C22，所述switch开关包括开关管Q3；
电压输入端通过电阻R24与电压检测器U2的SENSE端、电阻R26的一端连接，所述电阻R26的另一端接地；电压检测器U2的VDD端通过电阻R21与电压输入端连接、还通过电容C23接地；
电压检测器U2的OUT端与电阻R25连接作为5V电压的输出端，又通过电阻R27连接后接地，又与MOS管Q5的栅极连接，所述MOS管Q5的源极接地，所述MOS管Q5的漏极通过电容C24接地，同时所述MOS管Q5的漏极通过电阻R23作为5V电压的输出端，还与MOS管Q4的栅极连接；MOS管Q4的源极接地，MOS管Q4的漏极通过电阻R22与开关管Q3的栅极连接，MOS管Q4的漏极通过电阻R20与电压输入端连接；开关管Q3的源极与电压输入端连接；开关管Q3的漏极与电容C19、电容C20、电容C21和电容C22的并联电路连接，作为VBOOST端。


4.根据权利要求2所述的宽电压的电源电路，其特征在于：所述MOS管Q5为N通道增强型MOS场效应晶体管。


5.根据权利要求2所述的宽电压的电源电路，其特征在于：所述降压电路包括降压电源芯片U1，所述降压电源芯片U1包括IN端、FREQ端、VCC1端、PG端、VCC2端、SYNCO端、EN/SYNC端、CCM/AAM端、PGND端、SGND端、COMP端、SS端、ILIM端、FB端、SENSE+端、SENSE-端、BG端、SW端、BST端和TG端；
IN端与电压输入端连接，IN端分别通过电容C1A、电容C1B、电容C1C接地；FREQ端与通过电阻R1接地；VCC1端通过电阻R2连接PG端，又通过C4接地；VCC2端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端作为Vout输出端，VC...

【专利技术属性】
技术研发人员：周浩，徐俊丰，张强，卢坤，张治宇，钟景维，石庆，
申请(专利权)人：深圳市国科亿道科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44