一种高压EMI滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压EMI滤波器，包括屏蔽外壳、电感、第一电容、第二电容、第一绝缘柱和第二绝缘柱，屏蔽外壳包括呈圆柱形的第一屏蔽壳和第二屏蔽壳，第二屏蔽壳的一端与第一屏蔽壳固定连接，且第二屏蔽壳的轴线垂直于第一屏蔽壳的轴线，第一屏蔽壳与第二屏蔽壳的内部连通；第一电容和电感设置在第一屏蔽壳中，第二电容设置在第二屏蔽壳中，第一电容和第二电容均与电感固定连接，第一绝缘柱的一端伸入第一屏蔽壳内与第一电容固定连接；第二绝缘柱的一端与第二电容固定连接。优点是：高压EMI滤波器能消除壳体的谐振，保证滤波器在工作频段内插入损耗指标的实现，同时缩小滤波器的体积和重量，降低制造、安装和维护的难度。

A high voltage EMI filter

【技术实现步骤摘要】
一种高压EMI滤波器
本技术涉及电磁兼容
，尤其涉及一种高压EMI滤波器。
技术介绍
500米口径球面射电望远镜(FAST)是目前世界最大的单口径射电天文望远镜。由于宇宙射电信号是那样的微弱，除了选址在远离人类活动高电磁辐射EMI污染的区域外，还需要对提供能源的供配电系统进行严格的屏蔽和过滤。FAST工作频段在70MHz-3GHz，现代基于微处理器的各种电子设备虽然功率不大却是高频干扰的丰富来源。为避免这些干扰外泄，所有配电室屏蔽效能需要提高到90-100dB，所有进出配电室的工频电力线(10kV和0.4kV)都要经过电源滤波器对高频干扰进行滤除。高压滤波器工作在10kV相线和地线间，承受稳态电压是5.77kV。考虑到电源有偏相可能性，滤波器额定电压(即可连续承受)仍然规定为10kV。根据以上要求提出10kV高压EMI滤波器的技术指标是：额定电压：10kV；额定电流：116A，46A两档；漏电流：小于35mA@10kV；插入损耗：大于90dB@70MHz-3GHz。目前市面上不存在这种产品。现有供电线路的EMI滤波器电压一般低于1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压EMI滤波器，其特征在于：包括屏蔽外壳、电感、第一电容、第二电容、第一绝缘柱和第二绝缘柱，所述屏蔽外壳包括呈圆柱形的第一屏蔽壳和第二屏蔽壳，所述第二屏蔽壳的一端与所述第一屏蔽壳固定连接，且所述第二屏蔽壳的轴线垂直于所述第一屏蔽壳的轴线，所述第一屏蔽壳与所述第二屏蔽壳的内部连通；所述第一电容和所述电感设置在所述第一屏蔽壳中，所述第二电容设置在所述第二屏蔽壳中，所述第一电容和所述第二电容均与所述电感固定连接，所述第一绝缘柱的一端伸入所述第一屏蔽壳内与所述第一电容固定连接；所述第二绝缘柱的一端与所述第二电容固定连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压EMI滤波器，其特征在于：包括屏蔽外壳、电感、第一电容、第二电容、第一绝缘柱和第二绝缘柱，所述屏蔽外壳包括呈圆柱形的第一屏蔽壳和第二屏蔽壳，所述第二屏蔽壳的一端与所述第一屏蔽壳固定连接，且所述第二屏蔽壳的轴线垂直于所述第一屏蔽壳的轴线，所述第一屏蔽壳与所述第二屏蔽壳的内部连通；所述第一电容和所述电感设置在所述第一屏蔽壳中，所述第二电容设置在所述第二屏蔽壳中，所述第一电容和所述第二电容均与所述电感固定连接，所述第一绝缘柱的一端伸入所述第一屏蔽壳内与所述第一电容固定连接；所述第二绝缘柱的一端与所述第二电容固定连接。


2.根据权利要求1所述的高压EMI滤波器，其特征在于：所述电感包括导杆和套设在所述导杆外周的多套磁环组，各所述磁环组沿所述导杆的轴线方向依次排布；各所述磁环组包括与所述导杆同轴且沿所述导杆径向由内向外依次套设的至少三个磁环。


3.根据权利要求2所述的高压EMI滤波器，其特征在于：所述电感还包括第一绝缘护管和第二绝缘护管，所述第一绝缘护管与所述导杆同轴套设在所述导杆外周，所述第二绝缘护管与所述导杆同轴套设在所述磁环组外周。


4.根据权利要求3所述的高压EMI滤波器，其特征在于：所述第一屏蔽壳的一端密封设置，另一端敞口设置；所述第二屏蔽壳设置在靠近所述第一屏蔽壳密封端的位置处。


5.根据权利要求4所述的高压EMI滤波器，其特征在于：所述第一电容和所述电感与所述第一屏蔽壳同轴设置，所述第一电容固定在所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙京海，甘恒谦，斯可克，
申请(专利权)人：中国科学院国家天文台，
类型：新型
国别省市：北京;11